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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Calificaciones | Tamaña / dimensión | AltoRura - Sentada (Max) | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Freacuencia | Productora | Voltaje - Suministro | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Real - Suministro (Max) | Alta | Base de resonancia | Estabilidad de Frecuencia | Rango de Extracció Absoluta (APR) | Difundir el Ancho de Banda del Espectro | Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) | FRECUENCIA - Salida 1 | FRECUENCIA - Salida 2 | FRECUENCIA - Salida 3 | FRECUENCIA - Salida 4 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSC1122NI5-200.0000T | - |  | 2940 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1122 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1122 | 200 MHz | Lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1122NI5-200.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 58 Ma | Mems | ± 10ppm | - | - | 22 MA | |||||||
 | DSC1201BL3-11M05920 | - | | 8732 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC12X1 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1201 | 11.0592 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1201BL3-11M05920 | EAR99 | 8542.39.0001 | 72 | En Espera (Potencia) | 27 Ma (typ) | Mems | ± 20ppm | - | - | 5 µA | |||||||
| DSC1202NE2-156M2600 | - | | 1218 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC12X2 | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Xo (Estándar) | DSC1202 | 156.26 MHz | Lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1202NE2-156M2600 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 50 mA (typ) | Mems | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
| DSC1202NE2-156M2600T | - | | 7219 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC12X2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Xo (Estándar) | DSC1202 | 156.26 MHz | Lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1202NE2-156M2600T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 50 mA (typ) | Mems | ± 25ppm | - | - | - | ||||||
| DSC1203CI3-133M3300 | - | | 7849 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC12X3 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1203 | 133.33 MHz | LVDS | 2.25V ~ 3.63V | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1203CI3-133M3300 | EAR99 | 8542.39.0001 | 110 | En Espera (Potencia) | 32MA (typ) | Mems | ± 20ppm | - | - | 5 µA | |||||||
| DSC1203NI1-100M0000 | 2.2600 | | 8281 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC12X3 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Xo (Estándar) | DSC1203 | 100 MHz | LVDS | 2.25V ~ 3.63V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1203NI1-100M0000 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 32MA (typ) | Mems | ± 50ppm | - | - | 5 µA | ||||||
| DSC1204NL3-122M8800 | - | | 4970 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC12X4 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Xo (Estándar) | DSC1204 | 122.88 MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.63V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1204NL3-122M8800 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 40 Ma (typ) | Mems | ± 20ppm | - | - | 5 µA | ||||||
| DSC1222CI2-125M0000T | - | | 3683 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC12X2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1222 | 125 MHz | Lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1222CI2-125M0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 50 mA (typ) | Mems | ± 25ppm | - | - | 5 µA | ||||||
| DSC1223CL3-156M2500 | - | | 6177 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC12X3 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1223 | 156.25 MHz | LVDS | 2.25V ~ 3.63V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1223CL3-156M2500 | EAR99 | 8542.39.0001 | 110 | Habilitar/deshabilitar | 32MA (typ) | Mems | ± 20ppm | - | - | 5 µA | ||||||
 | DSC6001ML2B-040.0000 | - | | 6631 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC60XXB | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-Vflga | Xo (Estándar) | DSC6001 | 40 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6001ML2B-040.0000 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | Habilitar/deshabilitar | 1.3MA (typ) | Mems | ± 25ppm | - | - | - | ||||||
| DSC6011HI1B-025.0000T | - | | 7884 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC60XXB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-Vflga | Xo (Estándar) | DSC6011 | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6011HI1B-025.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 1.3MA (typ) | Mems | ± 50ppm | - | - | - | ||||||
| DSC6013JI1B-012.0000T | - | | 1176 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC60XXB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-vlga | Xo (Estándar) | DSC6013 | 12 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6013JI1B-012.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 1.3MA (typ) | Mems | ± 50ppm | - | - | - | ||||||
 | DSC6101HA3B-024.0000 | - | | 1724 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Dsc61xxb | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-Vflga | Xo (Estándar) | DSC6101 | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6101HA3B-024.0000 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | Habilitar/deshabilitar | 3MA (typ) | Mems | ± 20ppm | - | - | - | |||||||
| DSC6101HA3B-024.0000T | - | | 8313 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Dsc61xxb | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-Vflga | Xo (Estándar) | DSC6101 | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6101HA3B-024.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 3MA (typ) | Mems | ± 20ppm | - | - | - | ||||||
 | DSA1001DI2-006.7800TVAO | - | | 5312 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | 6.78 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1001DI2-006.7800TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | ||||||||
| DSC6331ML1GB-020.0250T | - | | 9596 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Dsc63xxb | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-Vflga | Xo (Estándar) | 20.025 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6331ML1GB-020.0250TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (typ) | Mems | ± 50ppm | - | -0.25%, Propagación Hacia Abajo | - | ||||||||
| DSC1001CE3-064.0000T | - | | 1310 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | 64 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001CE3-064.0000TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 10.5MA | Mems | ± 20ppm | - | - | 15 µA | ||||||||
| DSC1001CI5-075.0000T | - | | 5750 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | 75 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001CI5-075.0000TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 16.6MA | Mems | ± 10ppm | - | - | 15 µA | ||||||||
| DSA400-444444Q0168KL2TVAO | - | | 2764 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA400 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 20-vfqfn almohadilla exposición | MEMS (Silicio) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-dsa400-4444Q0168kl2tvaotr | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/Deshabilitar (reprogramable) | 88 Ma | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 44 Ma | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | ||||||||
 | DSA612PA3A-01R6TVAO | - | | 5959 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA612 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) | 6-vflga | Xo (Estándar) | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA612PA3A-01R6TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 6mA | 0.035 "(0.89 mm) | Mems | ± 20ppm | 3 MA | 10MHz | 32.768 kHz | - | - | ||||||||
| DSC6003HI3B-032K768 | - | | 4561 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC60XXB | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-Vflga | Xo (Estándar) | 32.768 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6003HI3B-032K768 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | Habilitar/deshabilitar | 1.3MA (typ) | Mems | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||
| DSC1001BI2-048.4610T | - | | 8978 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | 48.461 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001BI2-048.4610TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 10.5MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | ||||||||
| DSA1001CL1-006.0053TVAO | - | | 5438 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | 6.0053 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1001CL1-006.0053TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | ||||||||
| DSA400-333333Q0001KI2VAO | - | | 8961 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA400 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 20-vfqfn almohadilla exposición | MEMS (Silicio) | LVDS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA400-333333Q0001KI2VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 72 | Habilitar/Deshabilitar (reprogramable) | 48 Ma | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 44 Ma | 100MHz | 100MHz | 100MHz | 100MHz | ||||||||
| DSC6003MI3B-026.0000T | - | | 3110 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC60XXB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-Vflga | Xo (Estándar) | 26 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6003MI3B-026.0000TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 1.3MA (typ) | Mems | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||
| DSA400-333333Q0172KI2VAO | - | | 1749 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA400 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 20-vfqfn almohadilla exposición | MEMS (Silicio) | LVDS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA400-333333Q0172KI2VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 72 | Habilitar/Deshabilitar (reprogramable) | 48 Ma | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 44 Ma | 156.25MHz | 156.25MHz | 156.25MHz | 156.25MHz | ||||||||
| DSA6111JA3B-014.3180TVAO | - | | 5993 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Dsa61xx | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-vlga | Xo (Estándar) | 14.318 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA6111JA3B-014.3180TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 3MA (typ) | Mems | ± 20ppm | - | - | 1,5 µA (Típico) | ||||||||
| DSA400-4441Q0170KI2TVAO | - | | 9283 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA400 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 20-vfqfn almohadilla exposición | MEMS (Silicio) | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA400-4441Q0170KI2TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/Deshabilitar (reprogramable) | 88 Ma | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 44 Ma | 50MHz | 100MHz | 100MHz | 100MHz | ||||||||
| DSA400-4444Q0001KL2VAO | - | | 4111 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA400 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 20-vfqfn almohadilla exposición | MEMS (Silicio) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA400-4444Q0001KL2VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 72 | Habilitar/Deshabilitar (reprogramable) | 88 Ma | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 44 Ma | 100MHz | 100MHz | 100MHz | 100MHz | ||||||||
| DSC1001BI3-024.5760 | - | | 6977 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | 24.576 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001BI3-024.5760 | EAR99 | 8542.39.0001 | 72 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 20ppm | - | - | 15 µA |
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