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Diodos (453)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BR600 | 0.7300 |  | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br600 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
| 1N5339B | 0.2600 | | 30 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5339BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 1 ohmios | |||||||||||
| 1N5363BBULK | 0.4100 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5363BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 22.8 V | 30 V | 8 ohmios | ||||||||||||
 | 1N5243BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5243BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | ||||||||||||
| 1N5353BBULK | 0.3900 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5353BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
 | Por 399 | 0.2400 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-by399 | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.25 v @ 3 a | 250 ns | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4733AG | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4733AG | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||
| RBV2508 | 1.7400 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV2508 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| SZ6515 | 0.1052 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SZ6515TR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 11.5 V | 15 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
| BR1004 | 0.9800 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1004 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 400 V | 10 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
| BR2510 | 2.8100 | | 250 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2510 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
| RBV800 | 1.0900 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV800 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 50 V | 8 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
| FR104T/R | 0.0400 | | 30 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR104T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| Sf13-bulk | 0.2100 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SF13-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| Fepf16dt | 1.6600 | | 530 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-fepf16dt | 8541.10.0000 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 85pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR608 | 0.8900 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br608 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||
| Z1150-T/R | 0.0980 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-Z1150-T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 114 V | 150 V | 1000 ohmios | |||||||||||
| FR302T/R | 0.1100 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR302T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1n4746bulk | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4746BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||
| BR1506 | 2.4100 | | 200 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1506 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| KBL406M | 1.1800 | | 800 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-KBL406M | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 600 V | 4 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| BR5001 | 2.9300 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br5001 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 100 V | 50 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||
| RBV1008 | 1.4600 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1008 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 800 V | 10 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| Sf54-bulk | 0.6400 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SF54 a granel | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| KBP204 | 0.8500 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp204 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 2 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| BR602 | 0.6300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br602 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
| BR1508 | 2.5600 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1508 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||
| RBV3504 | 2.3100 | | 800 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3504 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| KBP208 | 0.8500 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp208 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | 2 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| Rm11b-bulk | 0.1900 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | D-2, axial | Estándar | D2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-rm11b-bulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 920 MV @ 1.5 A | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.2a | 30pf @ 4V, 1 MHz |
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