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Diodos (453)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5231BBULK | 0.1800 |  | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5231BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||
 | SZ6015 | 0.1052 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SZ6015TR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 10.8 V | 15 V | 2.5 ohmios | |||||||||||
 | Hes303bulk | 0.2500 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER303BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1N5360BBULK | 0.4000 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5360BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 19 V | 25 V | 4 ohmios | |||||||||||
| MR850BULK | 0.2100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-MR850BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.25 v @ 3 a | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| Sf56-bulk | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SF56-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| 1N5357BBULK | 0.3800 | | 12 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5357BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 15.2 V | 20 V | 3 ohmios | |||||||||||
| Byd13dbulk | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Avalancha | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-byd13dbulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 1 a | 1 µA @ 200 V | 175 ° C | 1.4a | - | ||||||||||
| 1n5256bbulk | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5256BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | |||||||||||
| MURA110 | 0.8500 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-mura110 | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 1 A | 30 ns | 2 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||
| 1N5403BULK | 0.1800 | | 13 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5403BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5932BT/R | 0.0500 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5932BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | ||||||||||||
| BZX55C18T/R | 0.0300 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BZX55C18T/RTR | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 13 V | 18 V | 50 ohmios | |||||||||||
| 1N5260BBULK | 0.1800 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5260BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||||
| 1N5361AT/R | 0.1500 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5361AT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 19.4 V | 27 V | 5 ohmios | |||||||||||
| 1n5230bbulk | 0.1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5230BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | |||||||||||
| BR2504 | 2.9600 | | 650 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2504 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| 1N752AT/R | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N752AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 1 V | 5.6 V | 11 ohmios | |||||||||||
| BR3506 | 3.1300 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br3506 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| 1N4739Abulk | 0.1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4739Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | |||||||||||
| BR3501 | 2.6900 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br3501 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 100 V | 35 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
| 1N5393T/R | 0.0400 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5393T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N5232BBULK | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5232BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios | |||||||||||
| 1N4750A | 0.1800 | | 11 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4750A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | |||||||||||
| 1N5377BBULK | 0.3800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5377BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 69.2 V | 91 V | 75 ohmios | |||||||||||
| 1N5255BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5255BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 28 V | 44 ohmios | |||||||||||
| 1N4732AG | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4732AG | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | |||||||||||
| 1N4736BULK | 0.2000 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4736BULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||
| 1N5915BBULK | 0.2500 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5915BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 25 µA @ 1 V | 3.9 V | 7.5 ohmios | ||||||||||||
| BR806 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br806 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 600 V | 8 A | Fase única | 600 V |
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