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Diodos (453)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1n5247bbulk | 0.1800 |  | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5247BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | ||||||||||||
| 1N757AT/R | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N757AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||
 | 1N4752AT/R | 0.0600 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4752AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | ||||||||||||
| Fr105bulk | 0.2100 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR105BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4730AT/R | 0.1500 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4730AT/RTR | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||||
| 1N5230BT/R | 0.0400 | | 50 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5230BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||
| 1N4759AT/R | 0.0500 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4759AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||
| 1N4731Abulk | 0.1300 | | 12 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1n4731abulk | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | ||||||||||||
| 1N4756A | 0.1800 | | 9 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4756A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | ||||||||||||
| SR1J | 0.0593 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SR1JTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4728Abulk | 0.1500 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1n4728abulk | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | ||||||||||||
| 1N5241BT/R | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5241BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22 ohmios | ||||||||||||
| BR2502 | 2.6300 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2502 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 25 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
| 1N5253BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5253BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 19 V | 25 V | 35 ohmios | ||||||||||||
| 1N5338A | 0.4100 | | 9 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5338A | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||
| 1n5361abulk | 0.2300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5361Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 19.4 V | 27 V | 5 ohmios | ||||||||||||
| 1N4006BULK | 0.1300 | | 48 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4006BULK | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4763A | 0.0600 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4763ATR | 8541.10.0000 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | ||||||||||||
| KBP210 | 0.8500 | | 200 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-kbp210 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
| 1N4934BULK | 0.1800 | | 90 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4934BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.2 v @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR1510 | 2.6600 | | 450 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1510 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
| FBR804 | 1.3800 | | 200 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FBR804 | 8541.10.0000 | 200 | 1.3 v @ 4 a | 10 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
| BR2500 | 2.5400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2500 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 50 V | 25 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
| 1n5819bulk | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5819 | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5819BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5234BT/R | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5234BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||
| 1N5397T/R | 0.0400 | | 55 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5397T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| RBV3506 | 2.8100 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3506 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| 3EZ150D5 | 0.2100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 3 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-3EZ150D5 | 8541.10.0000 | 500 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 V | 150 V | 550 ohmios | ||||||||||||
| 1N4749BULK | 0.1800 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4749BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||
| Byd33gbulk | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Avalancha | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-byd33gbulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 1 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.3a | - |
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