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Diodos (453)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4735Abulk | 0.1800 |  | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4735Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | |||||||||||||
| 1N4741T/R | 0.0600 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4741T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | |||||||||||||
| RBV1004 | 1.3800 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1004 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 400 V | 10 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
| RBV2508 | 1.7400 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV2508 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||
| RBV804 | 1.2800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV804 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
| 1N4743T/R | 0.0500 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4743T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||
| BR600 | 0.7300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br600 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||
| BR5006 | 4.0000 | | 300 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||
| BR801 | 1.3500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br801 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 100 V | 8 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||
| 1N4005T/R | 0.0300 | | 75 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4005T/RTR | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | 1N5243BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5243BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | |||||||||||||
| RBV2502 | 1.5900 | | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV2502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 25 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
| 1N5353BBULK | 0.3900 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5353BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||
| 1N4756AT/R | 0.0600 | | 30 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4756AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | |||||||||||||
| 1n751abulk | 0.2100 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1n751abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||||
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| 1N4736Abulk | 0.1800 | | 13 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1n4736abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||
| 1N5380BBULK | 0.3800 | | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5380BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 91.2 V | 120 V | 170 ohmios | |||||||||||||
| RBV2504 | 1.7000 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV2504 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
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| 1N5350BBULK | 0.3600 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5350BBULK | EAR99 | 8541.10.0050 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
| 1N5242BT/R | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5242BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||||||
| 1N4937T/R | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4937 | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4937T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4749AT/R | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4749AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||||||
 | Fr301bulk | 0.2100 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR301BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
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| 1N4004BULK | 0.0900 | | 38 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4004BULK | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| 1N4755AT/R | 0.0600 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4755AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | |||||||||||||
| BR3504 | 2.6900 | | 300 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR3504 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V |
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