SIC
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Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZX584B22 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B22 0.0379
RFQ
 ECAD 9824 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B22TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 15.4 V 22 V 55 ohmios
1N5937P/TR12 Microchip Technology 1N5937P/TR12 1.8600
RFQ
 ECAD 1032 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5937 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
CD0603-Z4V7 Bourns Inc. CD0603-Z4V7 -
RFQ
 ECAD 4422 0.00000000 Bourns Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) CD0603 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 5 µA @ 2 V 4.7 V 78 ohmios
BZG03C130TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C130T3 -
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzg03c Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 100 V 130 V 300 ohmios
JANTXV1N3044DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3044dur-1/tr 50.5932
RFQ
 ECAD 5652 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n3044dur-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
SS2P2HE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P2HE3/84A -
RFQ
 ECAD 7804 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q100, ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO220AA SS2P2 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 2 A 150 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
1N5942CP/TR8 Microchip Technology 1N5942CP/TR8 2.2800
RFQ
 ECAD 5595 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5942 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 38.8 V 51 V 70 ohmios
2EZ130D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ130D5/TR12 -
RFQ
 ECAD 3075 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 2EZ130 2 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 98.8 V 130 V 400 ohmios
AZ23C18-TP Micro Commercial Co AZ23C18-TP 0.0426
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C18 300 MW Sot-23 descascar 353-AZ23C18-TP EAR99 8541.10.0050 1 1 par Ánodo Común 100 na @ 14 V 18 V 50 ohmios
UES2605HR2 Microchip Technology UES2605HR2 92.9100
RFQ
 ECAD 7837 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 Estándar A 3 - No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1.25 V @ 15 A 50 ns -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
1N5234C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5234C-TR 0.0288
RFQ
 ECAD 2260 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5234 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohmios
JANTX1N4476C Microchip Technology Jantx1n4476c 18.0150
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4476 1.5 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 24 V 30 V 20 ohmios
ZPY6.8 Diotec Semiconductor Zpy6.8 0.0986
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero DO-204AC, DO-41, AXIAL 1.3 W DO-41/DO-204AC descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 2796-Zpy6.8TR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 2 V 6.8 V 1 ohmios
1N8034-GA GeneSiC Semiconductor 1N8034-GA -
RFQ
 ECAD 7578 0.00000000 Semiconductor genesico - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 257-3 1N8034 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 257 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.34 v @ 10 a 0 ns 5 µA @ 650 V -55 ° C ~ 250 ° C 9.4a 1107pf @ 1V, 1 MHz
SL12-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL12-M3/61T 0.0860
RFQ
 ECAD 4831 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SL12 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 445 MV @ 1 A 200 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1.5a -
JANS1N6330C Microchip Technology Jans1n6330c 358.7400
RFQ
 ECAD 9859 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-jans1n6330c EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 14 V 18 V 14 ohmios
V15P45S-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15P45S-M3/87A 0.4706
RFQ
 ECAD 9353 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN V15P45 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 400 MV @ 5 A 1.5 Ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C 4.8a -
3EZ19D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ19D/TR8 -
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 3EZ19 3 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 14.4 V 19 V 7 ohmios
SS22L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RTG -
RFQ
 ECAD 1482 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SCPAS15FF Semtech Corporation Scpas15ff -
RFQ
 ECAD 1184 0.00000000 Corpacia semtech - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Módulo SCPAS15 Estándar - - Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) - 150 V 42.5a 970 MV @ 30 A 30 ns 60 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
JANTX1N4122CUR-1 Microchip Technology Jantx1n4122cur-1 24.3150
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N4122 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 27.4 V 36 V 200 ohmios
UF4003 BK Central Semiconductor Corp UF4003 BK -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Central de semiconductores - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4003 Estándar Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
HZM12NB1TR-E Renesas HZM12NB1TR-E 0.1500
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 2.06% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-MPAK descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-HZM12NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 9 V 11.66 V 35 ohmios
CDLL4121 Microchip Technology CDLL4121 3.5850
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL4121 500 MW DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 25.1 V 33 V 200 ohmios
SSL23H Taiwan Semiconductor Corporation SSL23H 0.2793
RFQ
 ECAD 2420 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SSL23 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 410 MV @ 2 A 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 2a -
CD3824 Microchip Technology CD3824 4.0650
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 1 W Morir - Alcanzar sin afectado 150-CD3824 EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
RBQ3RSM10BTL1 Rohm Semiconductor RBQ3RSM10BTL1 0.9000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Schottky Un 277a descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 700 MV @ 3 A 80 µA @ 100 V 150 ° C 3A -
S1M-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1M-M3/5AT 0.3400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1M Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
DLLFSD01LP3-7 Diodes Incorporated Dllfsd01lp3-7 0.3700
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0201 (0603 Métrica) Dllfsd01 Estándar X3-DFN0603-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 200 na @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C 100mA 2.5pf @ 0V, 1 MHz
V8PAL45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8pal45hm3_a/i 0.9700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma V8PAL45 Schottky DO-221BC (SMPA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 430 MV @ 4 A 1.85 Ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C 4A 1400pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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