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Diodos (166326)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n4134d-1/tr | 15.1886 |  | 6951 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4134D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 69.2 V | 91 V | 1200 ohmios | ||||||||||||||
 | 1N4930A/TR | 69.4350 | | 1640 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4930A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 V | 36 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantx1n3023dur-1/tr | 41.5359 | | 7620 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3023DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
 | UES1105/TR | 24.5700 | | 9017 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Ues1105/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||||
 | CDLL5259C | 4.8678 | | 7627 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5259C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
| Jan1N750AUR-1/TR | 4.0831 | | 1088 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n750aur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||||
 | 1N5935B-TP | - | | 6856 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5935 | 1.5 W | Do-41G | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 353-1N5935B-TPTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||||||
 | 1N4745AP-TP | 0.0806 | | 9980 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4745 | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 353-1N4745AP-TPTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | ||||||||||||
 | 1N5932BP-TP | 0.0963 | | 9966 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5932 | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 353-1N5932BP-TPTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | ||||||||||||
 | 1N5238B-G | - | | 3261 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | - | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 641-1N5238B-GTB | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
| Jans1n4623-1/tr | 55.5200 | | 6480 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4623-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.3 V | 1.6 ohmios | ||||||||||||||
| Jantxv1n751a-1/tr | 6.4372 | | 9477 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n751a-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 14 ohmios | ||||||||||||||
| 1N5259A/TR | 3.9102 | | 9651 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5259A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 29 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
| Jantxv1n5531bur-1/tr | 17.4629 | | 6893 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5531bur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 11 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
| Jan1n4101ur-1/TR | 7.8736 | | 1744 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n4101ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.3 V | 8.2 V | 200 ohmios | |||||||||||||||
 | LXZ1000-23-14 | 5.9400 | | 4818 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-LXZ1000-23-14 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 75 MW | 0.3pf @ 500mv, 1 MHz | Schottky - Conexión de la Serie de 1 par | 1V | - | ||||||||||||||||
| CDLL4739D | 7.3682 | | 1545 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4739D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | ||||||||||||||
 | CDLL3826/TR | 9.1371 | | 4902 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL3826/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
| CDLL979B/TR | 2.7664 | | 7602 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL979B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | ||||||||||||||
| Jan1N4114-1/TR | 3.7772 | | 4366 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4114-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||||||||
| CDLL4784A/TR | 305.6250 | | 4038 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4784A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.5 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
| CDLL5244A/TR | 2.7132 | | 3449 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5244A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
| Jan1N747D-1/TR | 5.8919 | | 6848 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N747D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||||||
| Jans1n4621d-1/tr | 145.5408 | | 6927 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4621d-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 V | 1.7 ohmios | ||||||||||||||
| Jantx1n748cur-1/tr | 10.8262 | | 1239 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N748CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||
| Jantxv1n5542cur-1/tr | 44.0363 | | 1821 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5542CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 V | 24 V | 100 ohmios | ||||||||||||||
| 1N746A-1E3 | 2.2100 | | 404 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-1N746A-1E3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 24 ohmios | |||||||||||||
| 1N4770/TR | 61.1550 | | 8175 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4770/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jan1n3019b-1/TR | 6.9160 | | 4290 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3019B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
 | Jans1n6490dus/tr | - | | 3302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6490dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios |
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