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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N1125R | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Caja | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2383-1N1125R | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | VB30120S-M3/4W | 0.8938 | ![]() | 8978 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB30120 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 1.1 V @ 30 A | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||
![]() | S1K-13-G | - | ![]() | 1837 | 0.00000000 | Diodos incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | S1K-13-GDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2545CT-E3/4W | - | ![]() | 6477 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR2545 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 820 MV @ 30 A | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 2EZ4.7D2E3/TR12 | - | ![]() | 2372 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 2ez4.7 | 2 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.7 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N3350RB | 49.3800 | ![]() | 7389 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3350 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 152 V | 200 V | 100 ohmios | |||||||||||
![]() | 1 PMT4133CE3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 1636 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4133 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 66.12 V | 87 V | 250 ohmios | |||||||||||
![]() | PZM3.6NB, 115 | - | ![]() | 1201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM3.6 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | |||||||||||
![]() | ES1H | 0.0900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.209 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 500 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||
![]() | MUR105GP-BP | 0.0941 | ![]() | 7275 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Mur105 | Estándar | Do-41 | descascar | 353-MOR105GP-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 970 MV @ 1 A | 45 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1N6003C/TR | 4.0698 | ![]() | 8752 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6003C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 9.9 V | 13 V | 25 ohmios | ||||||||||||
![]() | RD6.2E-T4 | 0.0600 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||||||
1N5519 | 2.7150 | ![]() | 6738 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5519 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 900 MV | 3.6 V | |||||||||||||||
CMZ5947B TR13 | - | ![]() | 3364 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CMZ5947 | 500 MW | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jans1n4975c | 299.3502 | ![]() | 9054 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4975c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n3044b-1/tr | 9.0573 | ![]() | 4894 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3044B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | ||||||||||||
![]() | SR502-T | - | ![]() | 9444 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SR502 | Schottky | Do-201ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 5 A | 1 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||
![]() | MMSZ4704-TP | 0.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4704 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 950 MV @ 10 Ma | 50 na @ 12.9 V | 17 V | ||||||||||||
![]() | LZ52C3V6W | - | ![]() | 6333 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 1206 (3216 Métrica) | LZ52C | 500 MW | 1206 | - | 31-LZ52C3V6W | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.6 V | 85 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX84C8V2 | 0.1200 | ![]() | 177 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | R6221440HSOO | - | ![]() | 7655 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | Una granela | Activo | Apretar | DO-200AA, A-PUK | R6221440 | Estándar | DO-200AA, R62 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 2 V @ 800 A | 1 µs | 50 Ma @ 1400 V | 400A | - | |||||||||||
![]() | 1N4761CP/TR8 | - | ![]() | 5022 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4761 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||||
![]() | Ammsz5262a-hf | 0.0725 | ![]() | 9337 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | AMMSZ5262 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 641-AMMSZ5262A-HFTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | |||||||||||
![]() | Smaz30-tp | 0.4400 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz30 | 1 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 22.8 V | 30 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | BZV55-B12,135 | 0.3600 | ![]() | 914 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZV55-B12 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | |||||||||||
![]() | CZRF52C6V2-HF | 0.0805 | ![]() | 4139 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 1005 (2512 Métrica) | CZRF52 | 200 MW | 1005/sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | MBR6035 | 8.0000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Schottky | Do-5 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2383-MBR6035 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | - | 60A | - | ||||||||||||
![]() | BZX884S-B11-Qyl | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1.82% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-882 | 365 MW | Dfn1006bd-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX38450-C10-QX | 0.2400 | ![]() | 753 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BZX38450-Q | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX38450 | 300 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 7.6 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||
![]() | CZRU52C36-HF | 0.0621 | ![]() | 7338 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | CZRU52C36 | 150 MW | 0603/sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 90 ohmios |
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