SIC
close

Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
TSS4B04G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B04G C2G -
RFQ
 ECAD 5157 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B04 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.3 v @ 4 a 5 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
DBL205GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL205GH 0.2874
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) DBL205 Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
DBL207GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL207GH 0.2874
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) DBL207 Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 1000 V 2 A Fase única 1 kV
DBLS101G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G C1G -
RFQ
 ECAD 8226 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS101 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 50 V 1 A Fase única 50 V
DBLS102G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS102G C1G -
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS102 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
DBLS104G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS104G C1G -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS104 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 400 V 1 A Fase única 400 V
DBLS106G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS106G C1G -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS106 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 800 V 1 A Fase única 800 V
DBLS106GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS106GHC1G -
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS106 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 800 V 1 A Fase única 800 V
DBLS107GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS107GHC1G -
RFQ
 ECAD 3233 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS107 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 1000 V 1 A Fase única 1 kV
DBLS151G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151G C1G -
RFQ
 ECAD 6632 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS151 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 50 V 1.5 A Fase única 50 V
DBLS152G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS152G C1G -
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS152 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 100 V 1.5 A Fase única 100 V
DBLS155G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS155G C1G -
RFQ
 ECAD 4793 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS155 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
DBLS159G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS159G C1G -
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS159 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.25 V @ 1.5 A 2 µA @ 1400 V 1.5 A Fase única 1.4 kV
DBLS201G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G C1G -
RFQ
 ECAD 4917 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS201 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 50 V 2 A Fase única 50 V
DBLS203G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS203G C1G -
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS203 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 200 V 2 A Fase única 200 V
DBLS205G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS205G C1G -
RFQ
 ECAD 9616 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS205 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
GBL005 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL005 D2G -
RFQ
 ECAD 7572 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBL005 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 5 V 4 A Fase única 50 V
GBL06HD2G Taiwan Semiconductor Corporation Gbl06hd2g -
RFQ
 ECAD 7456 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBL06 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 600 V 4 A Fase única 600 V
GBL08HD2G Taiwan Semiconductor Corporation Gbl08hd2g -
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBL08 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
GBL202HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL202HD2G -
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBL202 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 2 a 5 µA @ 100 V 2 A Fase única 100 V
GBLA005 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBLA005 D2G -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBLA005 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
GBLA005HD2G Taiwan Semiconductor Corporation Gbla005hd2g -
RFQ
 ECAD 6808 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBLA005 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
GBLA04 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA04 -
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBLA04 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 4 a 5 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
GBLA10 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA10 -
RFQ
 ECAD 1876 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBLA10 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
GBU1001HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1001HD2G -
RFQ
 ECAD 1281 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU1001 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 50 V 10 A Fase única 50 V
GBU1002 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1002 D2G -
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU1002 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 100 V 10 A Fase única 100 V
GBU1005H Taiwan Semiconductor Corporation GBU1005H -
RFQ
 ECAD 7816 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU1005 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
GBU15L05 Taiwan Semiconductor Corporation GBU15L05 2.7984
RFQ
 ECAD 9944 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU15 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 900 MV @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
GBU15L06 Taiwan Semiconductor Corporation GBU15L06 2.7984
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU15 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 960 MV @ 7.5 A 5 µA @ 800 V 15 A Fase única 800 V
GBU401HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401HD2G -
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU401 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar