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Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
KBP04M-43E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP04M-43E4/51 -
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM KBP04 Estándar KBPM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 400 V 1.5 A Fase única 400 V
KBP06ML-6161E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP06ML-6161E4/72 -
RFQ
 ECAD 1359 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM KBP06 Estándar KBPM - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
KBP06ML-6424E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP06ML-6424E4/72 -
RFQ
 ECAD 8293 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM KBP06 Estándar KBPM - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
KBP08ML-6747E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP08ML-6747E4/51 -
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM KBP08 Estándar KBPM - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 800 V 1.5 A Fase única 800 V
BZT52B36-TP Micro Commercial Co BZT52B36-TP 0.0341
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52B36 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27 V 36 V 90 ohmios
GBJL2006-BP Micro Commercial Co GBJL2006-BP -
RFQ
 ECAD 5317 0.00000000 Micro Commercial Co - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero 4-SIP, GBJL GBJL2006 Estándar Gbjl descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.200 1.05 v @ 10 a 10 µA @ 600 V 20 A Fase única 600 V
MP358W-BP Micro Commercial Co MP358W-BP 2.0394
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero 4 Cuadrado, MP-50W Mp38 Estándar MP-50W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 400 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 A Fase única 800 V
BR104-BP Micro Commercial Co BR104-BP 0.8250
RFQ
 ECAD 2961 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero 4 Cuadrados, PB-6 BR104 Estándar PB-6 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.600 1.1 v @ 5 a 10 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
BR108-BP Micro Commercial Co BR108-BP 0.8250
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero 4 Cuadrados, PB-6 BR108 Estándar PB-6 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.600 1.1 v @ 5 a 10 µA @ 800 V 10 A Fase única 800 V
1M150Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M150Z R1G -
RFQ
 ECAD 4756 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m150 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 114 V 150 V 1000 ohmios
1M200Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M200Z R1G -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m200 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 152 V 200 V 1500 ohmios
1N4741AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741AHR1G -
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4741 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 15.2 V 11 V 22 ohmios
2M12Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M12Z 0.1565
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M12 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 1 µA @ 9.1 V 12 V 4.5 ohmios
2M150ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2m150zh 0.1667
RFQ
 ECAD 2829 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M150 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 114 V 150 V 575 ohmios
RMB4S Taiwan Semiconductor Corporation Rmb4s 0.2448
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) RMB4 Estándar MBS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 1 V @ 400 Ma 5 µA @ 400 V 500 mA Fase única 400 V
RMB4SH Taiwan Semiconductor Corporation Rmb4sh 0.2739
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) RMB4 Estándar MBS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 1 V @ 400 Ma 5 µA @ 400 V 500 mA Fase única 400 V
RMB6SH Taiwan Semiconductor Corporation Rmb6sh 0.2739
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) RMB6 Estándar MBS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 1 V @ 400 Ma 5 µA @ 600 V 500 mA Fase única 600 V
SBS25 RGG Taiwan Semiconductor Corporation SBS25 RGG -
RFQ
 ECAD 2086 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SBS25 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 500 MV @ 2 A 100 µA @ 50 V 2 A Fase única 50 V
SBS36 Taiwan Semiconductor Corporation SBS36 0.6996
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SBS36 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 500 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V 3 A Fase única 60 V
DBLS102GHRDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS102GHRDG -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS102 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
DBLS151GHRDG Taiwan Semiconductor Corporation Dbls151ghrdg -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS151 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 50 V 1.5 A Fase única 50 V
DBLS152GHRDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS152GHRDG -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS152 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 100 V 1.5 A Fase única 100 V
DBLS154G Taiwan Semiconductor Corporation Dbls154g 0.2997
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS154 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 400 V 1.5 A Fase única 400 V
DBLS154GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS154GH 0.3209
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS154 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 400 V 1.5 A Fase única 400 V
DBLS155GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS155GH 0.3209
RFQ
 ECAD 8914 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS155 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
DBLS156G Taiwan Semiconductor Corporation Dbls156g 0.2997
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS156 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 800 V 1.5 A Fase única 800 V
DBLS202GHRDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS202GHRDG -
RFQ
 ECAD 2056 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS202 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 100 V 2 A Fase única 100 V
DBLS206GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS206GH 0.3192
RFQ
 ECAD 8828 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS206 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 800 V 2 A Fase única 800 V
DBLS208GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS208GH 0.3192
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS208 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.3 v @ 2 a 2 µA @ 1200 V 2 A Fase única 1.2 kV
HDBLS102G RDG Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS102G RDG -
RFQ
 ECAD 1222 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HDBLS102 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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