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Diodos (166326)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GBU8K-3E3/51 | - |  | 1878 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU8 | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 800 V | 3.9 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| GBU8K-4E3/51 | - | | 3729 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU8 | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 800 V | 3.9 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| GBU8K-5410E3/51 | - | | 2419 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU8 | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 800 V | 3.9 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| GBU8KL-5302E3/45 | - | | 3404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU8 | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 800 V | 3.9 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| GSIB2560NL-01M3/P | - | | 8795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB2560 | Estándar | GSIB-5S | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 600 V | 3.5 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| GSIB2580-5401E3/45 | - | | 4959 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB2580 | Estándar | GSIB-5S | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | 3.5 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| MBL108S-01M3/I | - | | 5945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | MBL1 | Estándar | 4-SMD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 950 MV @ 400 Ma | 5 µA @ 800 V | 1 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
 | BZX84W-B22X | 0.0389 | | 9941 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | ||||||||||
| BZX84W-B5V6F | 0.0287 | | 6892 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||
| BZX84W-C43X | 0.0313 | | 3824 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | ||||||||||
| BZX84W-C56X | 0.0313 | | 7570 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 39.2 V | 56 V | 200 ohmios | ||||||||||
 | UDZVFHTE-1733B | 0.3500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.48% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 25 V | 33 V | 250 ohmios | |||||||||||
 | Rabf152-13 | - | | 5882 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Rabf152 | Estándar | 4-SOPA | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.3 V @ 1.5 A | 5 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | ||||||||||
| Rabf156-13 | - | | 9716 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Rabf156 | Estándar | 4-SOPA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.3 V @ 1.5 A | 5 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | ||||||||||
 | RDBF254-13 | 0.2272 | | 3386 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | RDBF254 | Estándar | DBF | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1.3 V @ 2.5 A | 5 µA @ 400 V | 2.5 A | Fase única | 400 V | ||||||||||
 | KBP306G | 0.8300 | | 35 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | KBP306 | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | ||||||||||
| KBP308G | 0.8300 | | 35 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | KBP308 | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 800 V | 3 A | Fase única | 800 V | ||||||||||
| KBP404G | 0.7400 | | 9572 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | KBP404 | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 A | Fase única | 400 V | ||||||||||
 | Pdzvtftr12b | 0.4400 | | 17 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.25% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtftr12 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 9 V | 12.75 V | 8 ohmios | |||||||||||
| Pdzvtftr3.0b | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtftr3.0 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 µA @ 1 V | 3.2 V | 15 ohmios | |||||||||||
| Pdzvtftr4.3b | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.81% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtftr4.3 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1 V | 4.55 V | 15 ohmios | |||||||||||
| Pdzvtftr5.6b | 0.4400 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.25% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtftr5.6 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1.5 V | 5.95 V | 8 ohmios | |||||||||||
 | Bzx84b22vlfht116 | 0.0474 | | 2009 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 1.82% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 15 V | 22 V | 55 ohmios | |||||||||||
| BZX84B7V5LFHT116 | 0.2700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | |||||||||||
| Rs502-G | - | | 2737 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, Rs-5 | Estándar | Rs5 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 100 V | 5 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||
 | VS-1ENH02-M3/85A | 0.0743 | | 9054 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | 1enh02 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 1 A | 28 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||
 | SZ1SMB5936BT3G-VF01 | - | | 9646 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SZ1SMB5936 | 3 W | SMB | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | ||||||||||
 | 1N6015B-TP | - | | 7474 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6015 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||
| GBJA608-BP | 0.4399 | | 2311 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | 4-SIP, JA | GBJA608 | Estándar | Ja | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 v @ 3 a | 10 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | ||||||||||
| KBJA602-BP | 0.3820 | | 3311 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | 4-SIP, JB | KBJA602 | Estándar | Jb | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 1.05 v @ 3 a | 10 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V |
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