SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
LMB14S-TP Micro Commercial Co LMB14S-TP 0.4800
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota LMB14S Schottky LMBS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 40 V 1 A Fase única 40 V
MMBZ5251BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5251BW-7-F 0.0630
RFQ
ECAD 7096 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MMBZ5251BW-FDITR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 17 V 22 V 29 ohmios
TBS408 Taiwan Semiconductor Corporation TBS408 1.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TBS408 Estándar Cucharadita descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 1 v @ 4 a 2 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
TBS610 Taiwan Semiconductor Corporation TBS610 1.5300
RFQ
ECAD 413 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TBS610 Estándar Cucharadita descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 1 v @ 6 a 2 µA @ 1000 V 6 A Fase única 1 kV
VS-35EPF06L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-35EPF06L-M3 2.8500
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 35epf06 Estándar Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.46 V @ 35 A 160 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 35a -
BZD27B3V9P-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B3V9P-HM3-08 -
RFQ
ECAD 2394 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27B3V9 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 50 µA @ 1 V 3.9 V 8 ohmios
UFZVTE-1710B Rohm Semiconductor Ufzvte-1710b 0.3000
RFQ
ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo ± 2.77% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Ufzvte 500 MW Umd2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 200 na @ 7 V 10 V 8 ohmios
CGRBT205-HF Comchip Technology CGRBT205-HF -
RFQ
ECAD 3433 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 2-smd, sin plomo Estándar Z2pak descascar 1 (ilimitado) 641-CGRBT205-HFTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a 14PF @ 4V, 1MHz
CGRAT104L-HF Comchip Technology CGRAT104L-HF -
RFQ
ECAD 3592 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 2-smd, sin plomo Estándar 2010/DO-214AC descascar 1 (ilimitado) 641-CGRAT104L-HFTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 930 MV @ 1 A 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.2pf @ 4V, 1MHz
CSPB40K-HF Comchip Technology CSPB40K-HF 0.3296
RFQ
ECAD 2841 0.00000000 Tecnología de Collip * Tape & Reel (TR) Activo CSPB40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 641-CSPB40K-HFTR EAR99 8541.10.0080 1.500
SBR8U60P5-13D Diodes Incorporated SBR8U60P5-13D 0.2194
RFQ
ECAD 5577 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBR8U60 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados SBR8U60P5-13DDI EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 60 V 530 MV @ 8 A 600 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 8A -
SZMM5Z33VT5G onsemi SZMM5Z33VT5G 0.1061
RFQ
ECAD 5258 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.06% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Szmm5 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 23.2 V 33 V 80 ohmios
MM5Z4V3T5G onsemi MM5Z4V3T5G 0.0297
RFQ
ECAD 1660 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.98% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z4 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
MM5Z6V2ST5G onsemi MM5Z6V2ST5G 0.0439
RFQ
ECAD 9691 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 2.18% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z6 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
PMEG3001EEFZ Nexperia USA Inc. PMEG3001Eefz 0.2300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0201 (0603 Métrica) PMEG3001 Schottky DFN0603-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 460 MV @ 10 Ma 1.5 ns 300 na @ 10 V 150 ° C (Máximo) 100mA 4PF @ 1V, 1MHz
BAT46GW,115 Nexperia USA Inc. BAT46GW, 115 -
RFQ
ECAD 6887 0.00000000 Nexperia USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 1
SMBZ1477LT1 onsemi SMBZ1477LT1 0.0200
RFQ
ECAD 57 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 3.000
SMBZ2606-5LT3 onsemi SMBZ2606-5LT3 0.0200
RFQ
ECAD 2904 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados 10,000
RD9.1ES-T1 Renesas Electronics America Inc RD9.1ES-T1 0.0600
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 5.413
BZX85C18 Fairchild Semiconductor BZX85C18 0.0300
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 12.5 V 18 V 20 ohmios
1N5228BRL onsemi 1N5228BRL 0.0200
RFQ
ECAD 275 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do -204AH descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
RD6.2E-TB Renesas Electronics America Inc RD6.2E-TB 0.0600
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 1
SMSZ1600-35T3 onsemi SMSZ1600-35T3 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 15,000
BZX85C24-ON onsemi Bzx85c24-on 0.0300
RFQ
ECAD 45 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000
R1200F Rectron USA R1200F 0.0390
RFQ
ECAD 3782 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R1200FTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.5 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA -
BZV90-C7V5115 NXP USA Inc. BZV90-C7V5115 1.0000
RFQ
ECAD 5758 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.5 W SOT-223 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 50 Ma 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
BZX585-C4V3135 NXP USA Inc. BZX585-C4V3135 1.0000
RFQ
ECAD 5859 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 300 MW Sod-523 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1 1.1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
BAW62 Fairchild Semiconductor Baw62 0.0200
RFQ
ECAD 247 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Baw62 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V 175 ° C (Máximo) 300mA 2pf @ 0V, 1 MHz
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0.0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4751 1 W Do-41 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 22.8 V 30 V 40 ohmios
1N4750ARL onsemi 1N4750arl 0.0200
RFQ
ECAD 27 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 5 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock