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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Aigw50n65h5xksa1 | 7.7800 |  | 3081 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Aigw50 | Estándar | 270 W | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12ohm, 15V | Zanja | 650 V | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 490 µJ (Encendido), 140 µJ (apagado) | 1018 NC | 21ns/156ns | ||||||||||||||||||||
 | BSC025N03MSGATMA1 | 1.4100 | | 7472 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC025 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 23a (TA). 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7600 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPN60R2K1CE | - | | 3514 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 261-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 3.7a (TC) | 10V | 2.1ohm @ 800 mA, 10V | 3.5V @ 60 µA | 6.7 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 100 V | - | 5W (TC) | |||||||||||||||||||
 | BSZ050N03LSG | 1.0000 | | 8626 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 16a (TA), 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IMT65R107M1HXTMA1 | - | | 8797 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Imt65r | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPT039N15N5ATMA1 | 7.3500 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 21a (TA), 190a (TC) | 8V, 10V | 3.9mohm @ 50A, 10V | 4.6V @ 257 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7700 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 319W (TC) | |||||||||||||||||||
| IMT65R022M1HXTMA1 | - | | 3711 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Imt65r | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AuIRFB8405-071 | - | | 7744 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 161 NC @ 10 V | ± 20V | 5193 pf @ 25 V | - | 163W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IAUS300N08S5N011TATMA1 | 8.9100 | | 5880 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 16-POWERSOP | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-16-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 80 V | 300A (TJ) | 6V, 10V | 1.1mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 275 µA | 231 NC @ 10 V | ± 20V | 16250 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPT65R190CFD7XTMA1 | 1.6315 | | 7495 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Guisal | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 650 V | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | IPP80CN10NGXKSA1 | 0.4600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 2 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-123 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 13a (TC) | 10V | 80mohm @ 13a, 10v | 4V @ 12 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 716 pf @ 50 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||
| Spa20n60cfd | 3.0600 | | 111 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-313 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 20.7a (TC) | 10V | 220mohm @ 13.1a, 10V | 5V @ 1MA | 124 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPT65R080CFD7XTMA1 | 3.3605 | | 6407 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | - | PG-HSOF-8-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 650 V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| AIMZHN120R120M1TXKSA1 | 12.1686 | | 7276 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tubo | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-AMZZHN120R120M1TXKSA1 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ff300r12me4pbosa1 | 214.0950 | | 7547 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | Activo | FF300R12 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISC030N12NM6ATMA1 | 5.5400 | | 1581 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC030N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSON-8-3 | - | 1 (ilimitado) | 5,000 | N-canal | 120 V | 21a (TA), 194a (TC) | 8V, 10V | 3.04mohm @ 50A, 10V | 3.6V @ 141 µA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 60 V | - | 3W (TA), 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IPD380P06NMATMA1 | 2.3500 | | 22 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD380 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 35A (TC) | 10V | 38mohm @ 35a, 10v | 4V @ 1.7MA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 30 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||
| BSM75GD120DN2BOSA1 | 253.7550 | | 9649 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM75GD120 | 520 W | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | - | 1200 V | 103 A | 3V @ 15V, 75a | 1.5 Ma | No | 5.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| Irg7ch75uef-r | - | | 7405 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Irg7ch | Estándar | Morir | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP001548040 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 100A, 5OHM, 15V | - | 1200 V | 2V @ 15V, 100A | - | 770 NC | 120ns/890ns | ||||||||||||||||||||||
 | IGP10N60TATMA1 | - | | 4884 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 110 W | PG-TO20-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 10a, 23ohm, 15V | NPT, Parada de Campo de Trinchegras | 600 V | 24 A | 30 A | 2.05V @ 15V, 10a | 160 µJ (Encendido), 270 µJ (apaguado) | 62 NC | 12ns/215ns | ||||||||||||||||||||
| IKQB120N75CP2AKSA1 | 15.8800 | | 230 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC10N65C3X1SA1 | - | | 2899 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000655832 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| BSM50GP60B2BOSA1 | 53.3300 | | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | BSM50G | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R099P6XKSA1 | 6.8500 | | 4147 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R099 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 37.9a (TC) | 10V | 99mohm @ 14.5a, 10v | 4.5V @ 1.21MA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3330 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||||||||||||||
| FP75R07N2E4B16BPSA1 | 127.9073 | | 2419 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 95 A | 1.95V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| IRG4RC10UTRLPBF | - | | 4568 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRG4RC10U | Estándar | 38 W | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001547814 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 480V, 5A, 100OHM, 15V | - | 600 V | 8.5 A | 34 A | 2.6V @ 15V, 5A | 80 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado) | 15 NC | 19ns/116ns | |||||||||||||||||||
 | Sgp15n60xksa1 | - | | 3718 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sgp15n | Estándar | 139 W | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V, 15a, 21ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 31 A | 62 A | 2.4V @ 15V, 15a | 570 µJ | 76 NC | 32NS/234NS | ||||||||||||||||||||
| SIGC42T60UNX7SA1 | - | | 1099 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC42T60 | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | 400V, 50A, 6.8OHM, 15V | Escrutinio | 600 V | 50 A | 150 A | 3.15V @ 15V, 50A | - | 48ns/350ns | ||||||||||||||||||||||
 | IPC70N04S54R6ATMA1 | 1.1000 | | 4360 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IPC70N04 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 70A (TC) | 7V, 10V | 4.6mohm @ 35a, 10V | 3.4V @ 17 µA | 24.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1430 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPI65R310CFDXKSA1 | - | | 9693 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 11.4a (TC) | 10V | 310mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 440 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 100 V | - | 104.2W (TC) |
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