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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
BSM100GB120DN2KHOSA1	-	RFQ	7097	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	BSM100				700 W	Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Medio puente																			-	1200 V	145 A		3V @ 15V, 100A					2 MA	No	6.5 NF @ 25 V
IRGS4045DTRRPBF	-	RFQ	4316	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar			77 W		D²pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800				400V, 6a, 47ohm, 15V															74 ns	-	600 V	12 A	18 A	2V @ 15V, 6a	56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado)	19.5 NC	27ns/75ns
IAUC90N10S5N062ATMA1	2.7800	RFQ	13	Infineon Technologies	Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IAUC90			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-34	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						100 V	90A (TC)	6V, 10V	6.2mohm @ 45a, 10V	3.8V @ 59 µA	36 NC @ 10 V	± 20V	3275 pf @ 50 V	-	115W (TC)
IRFS5615TRLPBF	-	RFQ	4541	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						150 V	33A (TC)	10V	42mohm @ 21a, 10v	5V @ 100 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 50 V	-	144W (TC)
Auirl1404z	-	RFQ	2280	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001516820	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						40 V	160A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 75a, 10v	2.7V @ 250 µA	110 NC @ 5 V	± 16V	5080 pf @ 25 V	-	200W (TC)
BCX5310E6327	0.0900	RFQ	19	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA					2 W		PG-SOT89-4-2	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																					80 V	1 A							100NA (ICBO)				500mv @ 50 mA, 500 mA	40 @ 50 mm, 2v	125MHz
IPP80N04S3H4AKSA1	-	RFQ	6133	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						40 V	80a (TC)	10V	4.8mohm @ 80a, 10v	4V @ 65 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	3900 pf @ 25 V	-	115W (TC)
IRLR2908TRLPBF	-	RFQ	1144	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						80 V	30A (TC)	4.5V, 10V	28mohm @ 23a, 10v	2.5V @ 250 µA	33 NC @ 4.5 V	± 16V	1890 pf @ 25 V	-	120W (TC)
IRF6616TR1	-	RFQ	5448	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX				Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						30 V	19a (TA), 106a (TC)	4.5V, 10V	5mohm @ 19a, 10v	2.25V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 20V	3765 pf @ 20 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IPD079N06L3GBTMA1	-	RFQ	7162	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD079			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						60 V	50A (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 50A, 10V	2.2V @ 34 µA	29 NC @ 4.5 V	± 20V	4900 pf @ 30 V	-	79W (TC)
IKY120N120CH7XKSA1	16.0100	RFQ	240	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	Iky120n120	Estándar			721 W		PG-TO247-4-U10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30				600V, 100A, 4OHM, 15V																Parada de Campo de Trinchera	1200 V	212 A	400 A	2.15V @ 15V, 100A	2.37MJ (Encendido), 2.65mj (apaguado)	714 NC	44ns/359ns
IRF1405ZLPBF	2.3000	RFQ	581	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						55 V	75A (TC)	10V	4.9mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	4780 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IPD80R2K7C3AATMA1	1.5800	RFQ	4	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD80R2			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						800 V	2a (TC)	10V	2.7ohm @ 1.2a, 10v	3.9V @ 250 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	290 pf @ 100 V	-	42W (TC)
IRLS3036TRLPBF	3.8000	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRLS3036			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						60 V	195a (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 165a, 10V	2.5V @ 250 µA	140 NC @ 4.5 V	± 16V	11210 pf @ 50 V	-	380W (TC)
IPN60R1K5PFD7SATMA1	0.7900	RFQ	7569	Infineon Technologies	CoolMos ™ PFD7	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	IPN60R1			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						600 V	3.6a (TC)	10V	1.5ohm @ 700 mA, 10V	4.5V @ 40 µA	4.6 NC @ 10 V	± 20V	169 pf @ 400 V	-	6W (TC)
PTFA212401F V4	-	RFQ	8287	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA212401		2.14 GHz	Ldmos			H-37260-2	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40			10 µA		1.6 A	50W	15.8db											-										30 V
Auirf7675m2tr	2.7500	RFQ	9	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico M2	Auirf7675			Mosfet (Óxido de metal)			DirectFet ™ Isométrico M2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal						150 V	4.4a (TA), 18a (TC)	10V	56mohm @ 11a, 10v	5V @ 100 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1360 pf @ 25 V	-	2.7W (TA), 45W (TC)
Auxclfz24nstrl	-	RFQ	8412	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						55 V	17a (TC)	10V	70mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 45W (TC)
BFR 182T E6327	-	RFQ	7673	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	BFR 182				250MW		PG-SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000							20dB														12V	35mA										NPN		50 @ 10mA, 8V	8GHz	1.2db ~ 1.9db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPI70P04P409AKSA1	-	RFQ	2561	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI70P			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000735974	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						40 V	72a (TC)	10V	9.4mohm @ 70a, 10v	4V @ 120 µA	70 NC @ 10 V	± 20V	4810 pf @ 25 V	-	75W (TC)
IRFR1205TRR	-	RFQ	8149	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR1205			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						55 V	44a (TC)	10V	27mohm @ 26a, 10v	4V @ 250 µA	65 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	107W (TC)
SPB18P06P	-	RFQ	7720	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB18P			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P						60 V	18.7a (TA)	10V	130mohm @ 13.2a, 10v	4V @ 1MA	28 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	81.1W (TA)
IGC06T60TEX7SA2	-	RFQ	7622	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		-	-	-	IGC06	-					-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1				-																-				-	-		-
IRL8113StrrPBF	-	RFQ	4802	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						30 V	105A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 21a, 10v	2.25V @ 250 µA	35 NC @ 4.5 V	± 20V	2840 pf @ 15 V	-	110W (TC)
IPB60R360CFD7ATMA1	2.8900	RFQ	1534	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD7	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R360			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						600 V	7a (TC)	10V	360mohm @ 2.9a, 10v	4.5V @ 140 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	679 pf @ 400 V	-	43W (TC)
BSC010NE2LSIATMA1	2.1000	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC010			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						25 V	38a (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	1.05mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	59 NC @ 10 V	± 20V	4200 pf @ 12 V	-	2.5W (TA), 96W (TC)
Irf7331tr	-	RFQ	6159	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF733			Mosfet (Óxido de metal)	2W		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)							20V	7A		30mohm @ 7a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	20NC @ 4.5V		1340pf @ 16V	Puerta de Nivel Lógico
IPB114N03L G	-	RFQ	5825	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB114N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						30 V	30A (TC)	4.5V, 10V	11.4mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 15 V	-	38W (TC)
IPB60R040C7ATMA1	13.6500	RFQ	7269	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA	IPB60R040			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						600 V	50A (TC)	10V	40mohm @ 24.9a, 10V	4V @ 1.24mA	107 NC @ 10 V	± 20V	4340 pf @ 400 V	-	227W (TC)
BC 846BW H6327	-	RFQ	3606	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC 846				250 MW		PG-SOT323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																					65 V	100 mA							15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²