SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
PTFB211803ELV1R250XTMA1 Infineon Technologies Ptfb211803elv1r250xtma1 -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis H-33288-6 2.17GHz Ldmos H-33288-6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000812610 EAR99 8541.29.0095 250 - 1.3 A 40W 17.5dB - 30 V
IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPB144N12N3GATMA1 2.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB144 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 120 V 56a (TA) 10V 14.4mohm @ 56a, 10v 4V @ 61 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 3220 pf @ 60 V - 107W (TC)
AUXTMGPS4070D1 Infineon Technologies Auxtmgps4070d1 -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Autxmgps - - Alcanzar sin afectado 448-AUXTMGPS4070D1 EAR99 8541.29.0095 1 - - - - -
FF600R12IE4PNOSA1 Infineon Technologies FF600R12IE4PNOSA1 548.1433
RFQ
 ECAD 4469 0.00000000 Infineon Technologies Primepack ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF600R12 3350 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 600 A 2.05V @ 15V, 600A 5 Ma Si 37 NF @ 25 V
BSM150GB120DN2FE325HOSA1 Infineon Technologies BSM150GB120DN2FE325HOSA1 -
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto BSM150 - Obsoleto 1
BCP5116H6433XTMA1 Infineon Technologies Bcp5116h643333xtma1 0.2968
RFQ
 ECAD 5088 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP51 2 W PG-SOT223-4-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
IRF7821PBF Infineon Technologies IRF7821PBF -
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 ECAD 3917 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001566368 EAR99 8541.29.0095 3.800 N-canal 30 V 13.6a (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10v 1V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRFR7546TRPBF Infineon Technologies IRFR7546TRPBF 1.0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR7546 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 56a (TC) 6V, 10V 7.9mohm @ 43a, 10v 3.7V @ 100 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 3020 pf @ 25 V - 99W (TC)
BSS159NH6906XTSA1 Infineon Technologies BSS159NH6906XTSA1 0.7800
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS159 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 230 mA (TA) 0V, 10V 3.5ohm @ 160mA, 10V 2.4V @ 26 µA 2.9 NC @ 5 V ± 20V 44 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 360MW (TA)
BSM15GP120B2BOSA1 Infineon Technologies Bsm15gp120b2bosa1 -
RFQ
 ECAD 8094 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo Bsm15g 180 W Rectificador de Puente Trifásico Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Puente completo - 1200 V 35 A 2.55V @ 15V, 15a 500 µA Si 1 NF @ 25 V
PTFA212401F V4 R250 Infineon Technologies PTFA212401F V4 R250 -
RFQ
 ECAD 7943 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA212401 2.14 GHz Ldmos H-37260-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 1.6 A 50W 15.8db - 30 V
BSS138W L6327 Infineon Technologies BSS138W L6327 -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 280MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.4V @ 26 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 43 pf @ 25 V - 500MW (TA)
IRF7821TR Infineon Technologies Irf7821tr -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 13.6a (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10v 1V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRG4PC40UPBF Infineon Technologies IRG4PC40UPBF -
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 160 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 480v, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 40 A 160 A 2.1V @ 15V, 20a 320 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) 100 NC 34ns/110ns
IRFHM830TRPBF Infineon Technologies IRFHM830TRPBF 0.9300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFHM830 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 21a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 50 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2155 pf @ 25 V - 2.7W (TA), 37W (TC)
IRFU4105ZPBF Infineon Technologies IRFU4105ZPBF -
RFQ
 ECAD 1090 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
BSO094N03S Infineon Technologies BSO094N03S -
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10v 2V @ 30 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 2300 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies IGB50N65S5ATMA1 3.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IGB50 Estándar 270 W PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 50A, 8.2ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 200 A 1.7V @ 15V, 50A 1.23mj (Encendido), 740 µJ (apagado) 120 NC 20ns/139ns
IRL3715ZCSPBF Infineon Technologies IRL3715ZCSPBF -
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 45W (TC)
IRF7488TRPBF Infineon Technologies IRF7488TRPBF -
RFQ
 ECAD 8813 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 80 V 6.3a (TA) 10V 29mohm @ 3.8a, 10v 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 1680 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
FP15R06KL4BOMA1 Infineon Technologies FP15R06KL4BOMA1 -
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 20
IRGP50B60PDPBF Infineon Technologies IRGP50B60PDPBF -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRGP50 Estándar 370 W To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 390V, 33A, 3.3OHM, 15V 50 ns Escrutinio 600 V 75 A 150 A 2.6V @ 15V, 50A 360 µJ (Encendido), 380 µJ (apagado) 240 NC 34ns/130ns
IPD78CN10NG Infineon Technologies Ipd78cn10ng -
RFQ
 ECAD 9851 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 2 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 13a (TC) 10V 78mohm @ 13a, 10v 4V @ 12 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 716 pf @ 50 V - 31W (TC)
IRG4IBC20FD Infineon Technologies IRG4IBC20FD -
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Irg4ibc Estándar 34 W PG-to220-FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4IBC20FD EAR99 8541.29.0095 50 480V, 9a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 V 14.3 A 64 A 2V @ 15V, 9a 250 µJ (Encendido), 640 µJ (apagado) 27 NC 43ns/240ns
BTS244Z E3062A Infineon Technologies BTS244Z E3062A -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 Infineon Technologies Tempfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-5-62 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10v 2V @ 130 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 25 V Diodo de Deteca de Temperatura 170W (TC)
IRFU4105 Infineon Technologies IRFU4105 -
RFQ
 ECAD 1937 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFU4105 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 27a (TC) 10V 45mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 68W (TC)
IRLI530N Infineon Technologies IRLI530N -
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLI530N EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 12a (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10v 2V @ 250 µA 34 NC @ 5 V ± 16V 800 pf @ 25 V - 41W (TC)
BSM150GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies Bsm150gd60dlcbosa1 -
RFQ
 ECAD 6354 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo BSM150 570 W Estándar Módulo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero - 600 V 180 A 2.45V @ 15V, 150a 500 µA No 6.5 NF @ 25 V
PSDC212F0835632NOSA1 Infineon Technologies PSDC212F0835632NOSA1 -
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Alcanzar sin afectado 448-PSDC212F0835632NOSA1 EAR99 8541.29.0095 1
BSM75GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies Bsm75gb60dlchosa1 -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo Bsm75g 355 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 600 V 100 A 2.45V @ 15V, 75a 500 µA No 3.3 NF @ 25 V
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AD9208BBPZ-3000

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