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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
BFP460E6327HTSA1	-	RFQ	9350	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP460			230MW		PG-SOT343-4-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000				12.5db ~ 26.5db												5.8v	70 Ma									NPN		90 @ 20MA, 3V	22 GHz			0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
BC 850C B5003	-	RFQ	5980	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC 850			330 MW		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																45 V	100 mA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	420 @ 2mA, 5V	250MHz
IRF7807D1	-	RFQ	1194	Infineon Technologies	Fetky ™	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal			30 V	8.3a (TA)	4.5V	25mohm @ 7a, 4.5V	1V @ 250 µA	17 NC @ 5 V	± 12V		Diodo Schottky (Aislado)	2.5W (TC)
Spp10n10l	-	RFQ	7680	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp10n		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			100 V	10.3a (TC)	4.5V, 10V	154mohm @ 8.1a, 10v	2V @ 21 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	444 pf @ 25 V	-	50W (TC)
FP35R12W2T4PB11BPSA1	73.8100	RFQ	18	Infineon Technologies	EasyPim ™ 2B	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FP35R12			20 MW	Rectificador de Puente Trifásico	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	18	Inversor trifásico														Parada de Campo de Trinchera	1200 V	70 A		2.2V @ 15V, 35a				1 MA	Si	2 NF @ 25 V
Auirf3315s	-	RFQ	5176	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001520202	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			150 V	21a (TC)	10V	82mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 94W (TC)
IRF2804Strr7pp	-	RFQ	4611	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb			Mosfet (Óxido de metal)			D2PAK (7-LEAD)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			40 V	160A (TC)	10V	1.6mohm @ 160a, 10v	4V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	6930 pf @ 25 V	-	330W (TC)
FF150R12ME3GBOSA1	149.8350	RFQ	6303	Infineon Technologies	ECONODUAL ™	Banda	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF150R12M			695 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Medio puente														Parada de Campo de Trinchera	1200 V	200 A		2.15V @ 15V, 150a				5 Ma	Si	10.5 NF @ 25 V
IRFR3910TRL	-	RFQ	1405	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			100 V	16a (TC)	10V	115mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	640 pf @ 25 V	-	79W (TC)
Bcr133sb6327xt	-	RFQ	7286	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR133			250MW		PG-SOT363-PO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	30,000																50V	100mA						-			2 NPN - Precializado (dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	130MHz	10 kohms	10 kohms
FZ3600R17HE4PHPSA1	1.0000	RFQ	8001	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FZ3600				Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3	Interruptor Único														Parada de Campo de Trinchera	1700 V	7200 A		2.3V @ 15V, 3600A				5 Ma	No	295 NF @ 25 V
Auirfr2905z	1.6100	RFQ	3	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Auirfr2905		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001518150	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal			55 V	42a (TC)	10V	14.5mohm @ 36a, 10v	4V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1380 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Bsm25gd120dn2bosa1	144.1820	RFQ	9997	Infineon Technologies	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños	150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	BSM25GD120			200 W	Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Puente completo														-	1200 V	35 A		3V @ 15V, 25A				800 µA	No	1.65 NF @ 25 V
BCR108SE6433HTMA1	-	RFQ	3900	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR108			250MW		PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000																50V	100mA						-			2 NPN - Precializado (dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	170MHz	2.2 kohms	47 kohms
BC857BWH6327XTSA1	0.0587	RFQ	3382	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC857			250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																45 V	100 mA						15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	250MHz
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1	355.4950	RFQ	5692	Infineon Technologies	-	Banda	Activo				FS13MR12						-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	18
IPD25N06S4L30ATMA1	-	RFQ	3641	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD25N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			60 V	25A (TC)	4.5V, 10V	30MOHM @ 25A, 10V	2.2V @ 8 µA	16.3 NC @ 10 V	± 16V	1220 pf @ 25 V	-	29W (TC)
IRF5210StrrPBF	-	RFQ	6661	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF5210		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P			100 V	38a (TC)	10V	60mohm @ 38a, 10V	4V @ 250 µA	230 NC @ 10 V	± 20V	2780 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 170W (TC)
BSL202SNH6327XTSA1	0.6400	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	BSL202		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSOP6-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			20 V	7.5a (TA)	2.5V, 4.5V	22mohm @ 7.5a, 4.5V	1.2V @ 30 µA	8.7 NC @ 10 V	± 12V	1147 pf @ 10 V	-	2W (TA)
Bf799we6327btsa1	-	RFQ	4440	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BF799			280MW		PG-SOT323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000				-												20V	35mA									NPN		40 @ 20MA, 10V	800MHz			3DB @ 100MHz
BCW67BE6327HTSA1	0.0662	RFQ	7930	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCW67			330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																32 V	800 Ma						20NA (ICBO)			PNP	700mv @ 50 mm, 500 mA	160 @ 100mA, 1V	200MHz
FF200R12KE4HOSA1	151.9500	RFQ	1	Infineon Technologies	hacer	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FF200R12			1100 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Medio puente														Parada de Campo de Trinchera	1200 V	240 A		2.15V @ 15V, 200a				5 Ma	No	14 NF @ 25 V
SPI100N03S2L03	-	RFQ	3139	Infineon Technologies	Optimos ™	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Spi100n		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			30 V	100A (TC)	10V	3mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	220 NC @ 10 V	± 20V	8180 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IHW20N120R5	1.0000	RFQ	2974	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		288 W		PG-TO247-3-41	descascar					EAR99	8541.29.0095	1			600V, 20a, 10ohm, 15V												Parada de Campo de Trinchera	1200 V	40 A	60 A	1.75V @ 15V, 20a	-, 750 µJ (apaguado)	170 NC	-/260ns
Irfu4620pbf	-	RFQ	2941	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)			IPAK (TO-251AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001573610	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal			200 V	24a (TC)	10V	78mohm @ 15a, 10v	5V @ 100 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1710 pf @ 50 V	-	144W (TC)
Auirl3705z	-	RFQ	2305	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001519682	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			55 V	75A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 52a, 10v	3V @ 250 µA	60 NC @ 5 V	± 16V	2880 pf @ 25 V	-	130W (TC)
FS75R12KT4BPSA2	153.0900	RFQ	9747	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 2	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS75R12			20 MW	Estándar	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor trifásico														Parada de Campo de Trinchera	1200 V	75 A		2.15V @ 15V, 75a				1 MA	Si	4.3 NF @ 25 V
BFP 720FESD E6327	-	RFQ	7811	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-smd, planos de cables	BFP 720			100MW		4-TSFP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000				10dB ~ 29dB												4.7V	30mera									NPN		160 @ 15 Ma, 3V	45 GHz			0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
IRGIB4615DPBF	-	RFQ	1806	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar				Un 220FP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001542156	EAR99	8541.29.0095	500			-												-	600 V	15 A		-	145 µJ (Encendido), 70 µJ (apaguado)		-
SPP07N60S5XKSA1	-	RFQ	1722	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp07n		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000681034	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			600 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10V	5.5V @ 350 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	970 pf @ 25 V	-	83W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²