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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Auirfu4104 | - |  | 9512 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001518784 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IPB03N03LB | - | | 2212 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB03N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 55a, 10V | 2V @ 100 µA | 59 NC @ 5 V | ± 20V | 7624 pf @ 15 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSZ028N04LSATMA1 | 1.5700 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSZ028 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 21a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10v | - | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 20 V | - | 2.1W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Irgr4045dtrrpbf | - | | 6126 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Irgr4045 | Estándar | 77 W | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001533062 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 6a, 47ohm, 15V | 74 ns | Zanja | 600 V | 12 A | 18 A | 2V @ 15V, 6a | 56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado) | 19.5 NC | 27ns/75ns | ||||||||||||||||||||||
 | Ipaw60r280cexksa1 | - | | 7407 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PAQUETO SOBRETO, VARIANTE | Ipaw60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220 Paqueto completo, Encendido Encendido | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 600 V | 19.3a (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10v | 3.5V @ 430 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BFP450E6327 | - | | 1849 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 450MW | PG-SOT343-4 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 15.5dB | 5V | 100mA | NPN | 60 @ 50mA, 4V | 24GHz | 1.25db @ 1.8Ghz | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7478QTRPBF | - | | 7405 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 60 V | 7a (TA) | 26mohm @ 4.2a, 10V | 3V @ 250 µA | 31 NC @ 4.5 V | 1740 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Auxhafr6215 | - | | 4047 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL314PEH6327XTSA1 | - | | 3466 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL314 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 1.5a | 140mohm @ 1.5a, 10v | 2V @ 6.3 µA | 2.9nc @ 10V | 294pf @ 15V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | ||||||||||||||||||||||||
 | BC846SH6727XTSA1 | 0.0990 | | 5629 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP6650D-EPBF | - | | 1218 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 306 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001549702 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 35a, 10ohm, 15V | 50 ns | - | 600 V | 80 A | 105 A | 1.95V @ 15V, 35a | 300 µJ (Encendido), 630 µJ (apaguado) | 75 NC | 40ns/105ns | |||||||||||||||||||||||
 | 63-9019 | - | | 5942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPB067N08N3GATMA1 | 2.7800 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB067 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 80 V | 80a (TC) | 6V, 10V | 6.7mohm @ 73a, 10v | 3.5V @ 73 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 pf @ 40 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSL207NL6327 | - | | 3507 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL207 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.124 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2.1a | 70mohm @ 2.1a, 4.5V | 1.2V @ 11 µA | 2.1NC @ 4.5V | 419pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
| Auirfs8408-7trl | 5.2200 | | 800 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | Auirf8408 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-900 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 240a (TC) | 10V | 1mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 315 NC @ 10 V | ± 20V | 10250 pf @ 25 V | - | 294W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPB120P04P404ATMA1 | 3.9200 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 40 V | 120a (TC) | 10V | 3.5mohm @ 100a, 10v | 4V @ 340 µA | 205 NC @ 10 V | ± 20V | 14790 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IPW65R150CFDFKSA2 | 5.2300 | | 2547 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R150 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 650 V | 22.4a (TC) | 10V | 150mohm @ 9.3a, 10v | 4.5V @ 900 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 100 V | - | 195.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Auirf6218s | - | | 2588 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 150 V | 27a (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2210 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | - | | 1464 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR4104 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Bts244znksa1 | - | | 9725 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 220-5 clientes Potenciales Formados | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-5-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 19a, 10v | 2V @ 130 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 2660 pf @ 25 V | Diodo de Deteca de Temperatura | 170W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BSP373L6327HTSA1 | - | | 6233 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 1.7a (TA) | 10V | 300mohm @ 1.7a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 550 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| IRF7416TRPBF | 1.2100 | | 28 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7416 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5.6a, 10V | 1V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| Bfn38e6327htsa1 | - | | 8719 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | PG-SOT223-4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 300 V | 200 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 30 @ 30mA, 10V | 70MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| Auirf7416qtr | - | | 8954 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5.6a, 10V | 2.04V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | IPA65R190C6XKSA1 | - | | 3325 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to20-3-111 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 20.2a (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10v | 3.5V @ 730 µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 1620 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRF9410 | - | | 7452 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9410 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 7a (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7a, 10v | 1V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| IPD22N08S2L50ATMA1 | 1.3000 | | 5376 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD22N08 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 75 V | 27a (TC) | 5V, 10V | 50mohm @ 50A, 10V | 2V @ 31 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 630 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRG4IBC30KDPBF | - | | 8225 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 45 W | Un entero de 220ab-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 480v, 16a, 23ohm, 15V | 42 ns | - | 600 V | 17 A | 34 A | 2.7V @ 15V, 16A | 600 µJ (Encendido), 580 µJ (apagado) | 67 NC | 60ns/160ns | |||||||||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | 0.6200 | | 39 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BSP88H6327 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 240 V | 350MA (TA) | 2.8V, 10V | 6ohm @ 350mA, 10V | 1.4V @ 108 µA | 6.8 NC @ 10 V | ± 20V | 95 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | 5.0200 | | 8020 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IKB40N65 | Estándar | 250 W | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 40a, 15ohm, 15V | 83 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 74 A | 160 A | 2.1V @ 15V, 40A | 420 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) | 95 NC | 22ns/160ns |
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