SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
SI4410DYTRPBF Infineon Technologies Si4410DYTRPBF -
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 10a, 10v 1V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1585 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRF7342PBF Infineon Technologies IRF7342PBF -
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF734 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001571984 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10v 1V @ 250 µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRF1405STRLPBF Infineon Technologies IRF1405StrlPBF 3.0700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF1405 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 131a (TC) 10V 5.3mohm @ 101a, 10V 4V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 5480 pf @ 25 V - 200W (TC)
FT150R12KE3GB4BDLA1 Infineon Technologies FT150R12KE3GB4BDLA1 -
RFQ
 ECAD 7148 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FT150R12 700 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001505398 EAR99 8541.29.0095 24 3 Independientes - 1200 V 200 A 2.15V @ 15V, 150a 5 Ma No 10.5 NF @ 25 V
IKD04N60RF Infineon Technologies IKD04N60RF -
RFQ
 ECAD 7108 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ikd04n Estándar 75 W PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 4A, 43OHM, 15V 34 ns Zanja 600 V 8 A 12 A 2.5V @ 15V, 4A 110 µJ 27 NC 12ns/116ns
BC847CB5003 Infineon Technologies BC847CB5003 0.0200
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-11 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF3709ZS Infineon Technologies Irf3709zs -
RFQ
 ECAD 4125 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3709ZS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2130 pf @ 15 V - 79W (TC)
IPA65R660CFDXKSA2 Infineon Technologies IPA65R660CFDXKSA2 1.3395
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R660 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10v 4.5V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 615 pf @ 100 V - 27.8W (TC)
IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP600N25N3GXKSA1 3.2000
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP600 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 25A (TC) 10V 60mohm @ 25A, 10V 4V @ 90 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
BFP520FE6327 Infineon Technologies BFP520FE6327 0.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables 100MW 4-TSFP descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 22.5db 3.5V 40mera NPN 70 @ 20MA, 2V 45 GHz 0.95db @ 1.8Ghz
IKD10N60RF Infineon Technologies IKD10N60RF -
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar 150 W PG-TO252-3-313 descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 10a, 26ohm, 15V 72 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 20 A 30 A 2.5V @ 15V, 10a 190 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado) 64 NC 12ns/168ns
IRF7205TRPBF Infineon Technologies IRF7205TRPBF 0.9700
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7205 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 4.6a (TA) 4.5V, 10V 70mohm @ 4.6a, 10v 3V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 2.5W (TC)
IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI530N15N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI530 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 150 V 21a (TC) 8V, 10V 53mohm @ 18a, 10v 4V @ 35 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 887 pf @ 75 V - 68W (TC)
IRF6644TR1PBF Infineon Technologies IRF6644TR1PBF -
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MN Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mn descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 10.3a (TA), 60a (TC) 10V 13mohm @ 10.3a, 10v 4.8V @ 150 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2210 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
FS50R12U1T4BPSA1 Infineon Technologies FS50R12U1T4BPSA1 -
RFQ
 ECAD 8439 0.00000000 Infineon Technologies SmartPack1 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS50R12 250 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 90 A 2.15V @ 15V, 50A 1 MA Si 100 pf @ 25 V
IRFSL4020PBF Infineon Technologies IRFSL4020PBF -
RFQ
 ECAD 1861 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001565208 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 18a (TC) 10V 105mohm @ 11a, 10v 4.9V @ 100 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 50 V - 100W (TC)
IPD65R660CFDATMA1 Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA1 0.8193
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R660 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 6a (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10v 4.5V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 615 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
SPU09P06PL Infineon Technologies SPU09P06PL -
RFQ
 ECAD 4232 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA SPU09P Mosfet (Óxido de metal) P-to251-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal P 60 V 9.7a (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 6.8a, 10v 2V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 42W (TC)
IPI50R250CP Infineon Technologies IPI50R250CP 1.1100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 520 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1420 pf @ 100 V - 114W (TC)
FF225R12ME4B11BPSA2 Infineon Technologies FF225R12ME4B11BPSA2 172.9350
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF225R12 1050 W Estándar Agóndo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 320 A 2.15V @ 15V, 225a 3 MA Si 13 NF @ 25 V
IRFC4115ED Infineon Technologies Irfc4115ed -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 -
FZ400R12KS4HOSA1 Infineon Technologies FZ400R12KS4HOSA1 156.3400
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FZ400R12 2500 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 1200 V 510 A 3.7V @ 15V, 400A 5 Ma No 26 NF @ 25 V
AIHD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Aihd03n60rfatma1 -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 AIHD03 Estándar 53.6 W PG-TO252-3-313 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001346868 EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 2.5A, 68OHM, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 5 A 7.5 A 2.5V @ 15V, 2.5a 50 µJ (Encendido), 40 µJ (apaguado) 17.1 NC 10ns/128ns
IRLU3714 Infineon Technologies IRLU3714 -
RFQ
 ECAD 8226 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLU3714 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 9.7 NC @ 4.5 V ± 20V 670 pf @ 10 V - 47W (TC)
IRL2203NSTRR Infineon Technologies IRL2203NSTRR -
RFQ
 ECAD 8315 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 116a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10v 3V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 16V 3290 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 180W (TC)
IEWS20R5135IPBXKLA1 Infineon Technologies IEWS20R5135IPBXKLA1 -
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-6 Lógica 288 W PG-TO247-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001778868 EAR99 8541.29.0095 1,000 - Parada de Campo de Trinchera 1350 V 40 A 60 A 1.85V @ 0v, 20a -, 1.2mj (apaguado) 668ns/2.034 µs
IRFB7446GPBF Infineon Technologies IRFB7446GPBF -
RFQ
 ECAD 2478 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001566710 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 70a, 10v 3.9V @ 100 µA 93 NC @ 10 V ± 20V 3183 pf @ 25 V - 99W (TC)
IPB65R225C7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 225mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 240 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 996 pf @ 400 V - 63W (TC)
IRF7304TRPBF Infineon Technologies IRF7304TRPBF -
RFQ
 ECAD 3953 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF73 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V 4.3a 90mohm @ 2.2a, 4.5V 700mv @ 250 µA 22NC @ 4.5V 610pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BCR116SE6327 Infineon Technologies BCR116SE6327 -
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR116 250MW PG-SOT363-6-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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