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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | Si4410DYTRPBF | - | ![]() | 6838 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 10a, 10v | 1V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1585 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7342PBF | - | ![]() | 6799 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF734 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001571984 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Dual) | 55V | 3.4a | 105mohm @ 3.4a, 10v | 1V @ 250 µA | 38nc @ 10V | 690pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1405StrlPBF | 3.0700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF1405 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 131a (TC) | 10V | 5.3mohm @ 101a, 10V | 4V @ 250 µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 5480 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FT150R12KE3GB4BDLA1 | - | ![]() | 7148 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FT150R12 | 700 W | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001505398 | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 Independientes | - | 1200 V | 200 A | 2.15V @ 15V, 150a | 5 Ma | No | 10.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKD04N60RF | - | ![]() | 7108 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ikd04n | Estándar | 75 W | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 4A, 43OHM, 15V | 34 ns | Zanja | 600 V | 8 A | 12 A | 2.5V @ 15V, 4A | 110 µJ | 27 NC | 12ns/116ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CB5003 | 0.0200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-11 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf3709zs | - | ![]() | 4125 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF3709ZS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 87a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2130 pf @ 15 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA65R660CFDXKSA2 | 1.3395 | ![]() | 7438 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA65R660 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220 Paqueto completo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 700 V | 6a (TC) | 10V | 660mohm @ 2.1a, 10v | 4.5V @ 200 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 615 pf @ 100 V | - | 27.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP600N25N3GXKSA1 | 3.2000 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP600 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 25A (TC) | 10V | 60mohm @ 25A, 10V | 4V @ 90 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 100 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP520FE6327 | 0.1600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | 100MW | 4-TSFP | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 22.5db | 3.5V | 40mera | NPN | 70 @ 20MA, 2V | 45 GHz | 0.95db @ 1.8Ghz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKD10N60RF | - | ![]() | 4626 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | 150 W | PG-TO252-3-313 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 10a, 26ohm, 15V | 72 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 20 A | 30 A | 2.5V @ 15V, 10a | 190 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado) | 64 NC | 12ns/168ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7205TRPBF | 0.9700 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7205 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 4.6a (TA) | 4.5V, 10V | 70mohm @ 4.6a, 10v | 3V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 10 V | - | 2.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
IPI530N15N3GXKSA1 | - | ![]() | 5036 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI530 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 150 V | 21a (TC) | 8V, 10V | 53mohm @ 18a, 10v | 4V @ 35 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 887 pf @ 75 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6644TR1PBF | - | ![]() | 8973 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MN | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mn | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 10.3a (TA), 60a (TC) | 10V | 13mohm @ 10.3a, 10v | 4.8V @ 150 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2210 pf @ 25 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS50R12U1T4BPSA1 | - | ![]() | 8439 | 0.00000000 | Infineon Technologies | SmartPack1 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FS50R12 | 250 W | Estándar | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 90 A | 2.15V @ 15V, 50A | 1 MA | Si | 100 pf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFSL4020PBF | - | ![]() | 1861 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001565208 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 105mohm @ 11a, 10v | 4.9V @ 100 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD65R660CFDATMA1 | 0.8193 | ![]() | 5263 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD65R660 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 6a (TC) | 10V | 660mohm @ 2.1a, 10v | 4.5V @ 200 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 615 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPU09P06PL | - | ![]() | 4232 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | SPU09P | Mosfet (Óxido de metal) | P-to251-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canal P | 60 V | 9.7a (TC) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 6.8a, 10v | 2V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI50R250CP | 1.1100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10v | 3.5V @ 520 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1420 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF225R12ME4B11BPSA2 | 172.9350 | ![]() | 1720 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF225R12 | 1050 W | Estándar | Agóndo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 320 A | 2.15V @ 15V, 225a | 3 MA | Si | 13 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfc4115ed | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ400R12KS4HOSA1 | 156.3400 | ![]() | 9130 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FZ400R12 | 2500 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | - | 1200 V | 510 A | 3.7V @ 15V, 400A | 5 Ma | No | 26 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aihd03n60rfatma1 | - | ![]() | 6976 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | AIHD03 | Estándar | 53.6 W | PG-TO252-3-313 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001346868 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 2.5A, 68OHM, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 5 A | 7.5 A | 2.5V @ 15V, 2.5a | 50 µJ (Encendido), 40 µJ (apaguado) | 17.1 NC | 10ns/128ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLU3714 | - | ![]() | 8226 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLU3714 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL2203NSTRR | - | ![]() | 8315 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 116a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10v | 3V @ 250 µA | 60 NC @ 4.5 V | ± 16V | 3290 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IEWS20R5135IPBXKLA1 | - | ![]() | 6258 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-6 | Lógica | 288 W | PG-TO247-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001778868 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | Parada de Campo de Trinchera | 1350 V | 40 A | 60 A | 1.85V @ 0v, 20a | -, 1.2mj (apaguado) | 668ns/2.034 µs | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB7446GPBF | - | ![]() | 2478 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001566710 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 70a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 3183 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R225C7ATMA1 | - | ![]() | 2290 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 225mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 240 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 996 pf @ 400 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7304TRPBF | - | ![]() | 3953 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF73 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.3a | 90mohm @ 2.2a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 22NC @ 4.5V | 610pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR116SE6327 | - | ![]() | 5291 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR116 | 250MW | PG-SOT363-6-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150MHz | 4.7 kohms | 47 kohms |
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