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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
Aigw50n65h5xksa1	7.7800	RFQ	3081	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Aigw50	Estándar		270 W		PG-TO247-3-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 25A, 12ohm, 15V											Zanja	650 V		150 A	2.1V @ 15V, 50A	490 µJ (Encendido), 140 µJ (apagado)	1018 NC	21ns/156ns
IPD60R180P7ATMA1	2.7400	RFQ	12	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		600 V	18a (TC)	10V	180mohm @ 5.6a, 10v	4V @ 280 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1081 pf @ 400 V	-	72W (TC)
IPB013N06NF2SATMA1	3.9600	RFQ	800	Infineon Technologies	StrongIrfet ™ 2	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB013		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		60 V	40a (TA), 198a (TC)	6V, 10V	1.3mohm @ 100a, 10v	3.3V @ 246 µA	305 NC @ 10 V	± 20V	13800 pf @ 30 V	-	3.8W (TA), 300W (TC)
IPB65R225C7ATMA2	1.5955	RFQ	1321	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB65R225		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		650 V	11a (TC)	10V	225mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 240 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	996 pf @ 400 V	-	63W (TC)
Spp08p06phxksa1	-	RFQ	5450	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp08p		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		Canal P		60 V	8.8a (TC)	10V	300mohm @ 6.2a, 10V	4V @ 250 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	420 pf @ 25 V	-	42W (TC)
IPD60R360P7ATMA1	1.7700	RFQ	4	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		600 V	9A (TC)	10V	360mohm @ 2.7a, 10V	4V @ 140 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	555 pf @ 400 V	-	41W (TC)
BS7067N06LS3G	-	RFQ	2846	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal		60 V	14a (TA), 20a (TC)	4.5V, 10V	6.7mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 35 µA	62 NC @ 10 V	± 20V	4800 pf @ 30 V	-	2.1W (TA), 78W (TC)
IQE013N04LM6SCATMA1	3.1000	RFQ	5893	Infineon Technologies	Optimos ™ 6	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN			Mosfet (Óxido de metal)			PG-whson-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	6,000		N-canal		40 V	31a (TA), 205A (TC)	4.5V, 10V	1.35mohm @ 20a, 10v	2V @ 51 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	3800 pf @ 20 V	-	2.5W (TA), 107W (TC)
IPB140N08S404ATMA1	-	RFQ	5051	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	IPB140		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-7-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		80 V	140A (TC)	10V	4.2mohm @ 100a, 10V	4V @ 100 µA	80 NC @ 10 V	± 20V	5500 pf @ 25 V	-	161W (TC)
IPI126N10N3GXKSA1	0.6900	RFQ	10	Infineon Technologies	Optimos ™ 3	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		100 V	58a (TC)	6V, 10V	12.6mohm @ 46a, 10v	3.5V @ 46 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 50 V	-	94W (TC)
IPA60R125CP	-	RFQ	1680	Infineon Technologies	Coolmos®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-31	descascar						0000.00.0000	1		N-canal		600 V	25A (TC)	10V	125mohm @ 16A, 10V	3.5V @ 1.1MA	70 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 100 V	-	35W (TC)
FS950R08A6P2BBPSA1	917.7000	RFQ	9	Infineon Technologies	Hybridpack ™	Banda	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS950R08			870 W	Estándar	Ag-Hybridd-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	6	Inversor trifásico													Parada de Campo de Trinchera	750 V	950 A		1.35V @ 15V, 450a				1 MA	Si	80 nf @ 50 V
IRGP4760-EPBF	-	RFQ	7167	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		325 W		Un 247ad	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001535750	EAR99	8541.29.0095	25			400V, 48a, 10ohm, 15V											-	650 V	90 A	144 A	2V @ 15V, 48a	1.7MJ (Encendido), 1MJ (Apaguado)	145 NC	70ns/140ns
IPB024N08NF2SATMA1	3.1100	RFQ	779	Infineon Technologies	StrongIrfet ™ 2	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB024N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		80 V	107a (TC)	6V, 10V	2.4mohm @ 100a, 10V	3.8V @ 85 µA	133 NC @ 10 V	± 20V	6200 pf @ 40 V	-	150W (TC)
IST006N04NM6AUMA1	3.8800	RFQ	1241	Infineon Technologies	Optimos ™ 6	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	5-Powersfn	Ist006		Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOF-5-1	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal		40 V	58a (TA), 475A (TC)	6V, 10V	0.6mohm @ 100a, 10V	3.3V @ 250 µA	178 NC @ 10 V	± 20V	8800 pf @ 20 V	-	3.8W (TA), 250W (TC)
ISZ0703NLSATMA1	1.1100	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	ISZ0703N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8-25	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal		60 V	13a (TA), 56A (TC)	4.5V, 10V	7.3mohm @ 20a, 10v	2.3V @ 15 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 30 V	-	2.5W (TA), 44W (TC)
IPB65R225C7ATMA1	-	RFQ	2290	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB65R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		650 V	11a (TC)	10V	225mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 240 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	996 pf @ 400 V	-	63W (TC)
IPI530N15N3GXKSA1	-	RFQ	5036	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI530		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		150 V	21a (TC)	8V, 10V	53mohm @ 18a, 10v	4V @ 35 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	887 pf @ 75 V	-	68W (TC)
SPU02N60S5	-	RFQ	9583	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		600 V	1.8a (TC)	10V	3ohm @ 1.1a, 10v	5.5V @ 80 µA	9.5 NC @ 10 V	± 20V	240 pf @ 25 V	-	25W (TC)
IAUC100N08S5N031ATMA1	2.8800	RFQ	2499	Infineon Technologies	Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IAUC100		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-34	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal		80 V	100A (TC)	6V, 10V	3.1mohm @ 50A, 10V	3.8V @ 95 µA	76 NC @ 10 V	± 20V	5525 pf @ 40 V	-	167W (TC)
AUirlR3410TRL	2.4800	RFQ	2728	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Auirlr3410		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		100 V	17a (TC)	4V, 10V	105mohm @ 10a, 10v	2V @ 250 µA	34 NC @ 5 V	± 16V	800 pf @ 25 V	-	79W (TC)
IRF9332TRPBF	0.8000	RFQ	469	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF9332		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P		30 V	9.8a (TA)	4.5V, 10V	17.5mohm @ 9.8a, 10v	2.4V @ 25 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	1270 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IPP50R500CEXKSA1	-	RFQ	7144	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP50R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		500 V	7.6a (TC)	13V	500mohm @ 2.3a, 13V	3.5V @ 200 µA	18.7 NC @ 10 V	± 20V	433 pf @ 100 V	-	-
BSS88	1.0000	RFQ	3605	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo				BSS8						descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1
IPP05CN10NGHKSA1	-	RFQ	1809	Infineon Technologies	Optimos ™ 2	Tubo	Activo				IPP05CN10						descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000096461	EAR99	8541.29.0095	500					100A (TC)
SPI07N65C3	0.8300	RFQ	500	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		650 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10V	3.9V @ 350 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	83W (TC)
F475R12KS4BPSA1	194.0000	RFQ	1500	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	F475R12			500 W	Estándar	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor de puente entero													-	1200 V	100 A		3.75V @ 15V, 75a				5 Ma	Si	5.1 NF @ 25 V
IRLSL4030PBF	4.5600	RFQ	7490	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRLSL4030		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		100 V	180A (TC)	4.5V, 10V	4.3mohm @ 110a, 10V	2.5V @ 250 µA	130 NC @ 4.5 V	± 16V	11360 pf @ 50 V	-	370W (TC)
IPD25DP06NMATMA1	0.9800	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD25DP06		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-313	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P		60 V	6.5a (TC)	10V	250mohm @ 6.5a, 10V	4V @ 270 µA	10.6 NC @ 10 V	± 20V	420 pf @ 30 V	-	28W (TC)
IQFH99N06NM5ATMA1	2.4512	RFQ	1165	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo										-	ROHS3 Cumplante						3.000

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²