SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies Bsc0901nsiatma1 1.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0901 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 28a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 20 NC @ 15 V ± 20V 2600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
IRLMS2002GTRPBF Infineon Technologies IRLMS2002GTRPBF -
RFQ
 ECAD 6094 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (SOT23-6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 6.5a (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 22 NC @ 5 V ± 12V 1310 pf @ 15 V - 2W (TA)
IRLML5203 Infineon Technologies IRLML5203 -
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 30 V 3a (TA) 4.5V, 10V 98mohm @ 3a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 510 pf @ 25 V - 1.25W (TA)
FZ1800R17KF4NOSA1 Infineon Technologies FZ1800R17KF4NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 13500 W Estándar Módulo descascar 0000.00.0000 1 3 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 3560 A 2.1V @ 15V, 2.4ka 5 Ma No 150 NF @ 25 V
BSF885N03LQ3G Infineon Technologies BSF885N03LQ3G 0.3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 5,000
AUIRF3504 Infineon Technologies Auirf3504 -
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521622 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 87a (TC) 10V 9.2mohm @ 52a, 10v 4V @ 100 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 25 V - 143W (TC)
IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD70R1K4P7SAUMA1 0.7500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 700 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 700 mA, 10V 3.5V @ 40 µA 4.7 NC @ 10 V ± 16V 158 pf @ 400 V - 23W (TC)
BTS244Z E3043 Infineon Technologies BTS244Z E3043 -
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 Infineon Technologies Tempfet® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-5 Mosfet (Óxido de metal) P-to220-5-43 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10v 2V @ 130 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 25 V Diodo de Deteca de Temperatura 170W (TC)
IRG8CH37K10F Infineon Technologies IRG8CH37K10F -
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic IRG8CH37 Estándar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001532998 EAR99 8541.29.0095 1 600V, 35a, 5ohm, 15V - 1200 V 2V @ 15V, 35a - 210 NC 35ns/190ns
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies IKW75N65ET7XKSA1 9.1500
RFQ
 ECAD 1061 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKW75N65 Estándar 333 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 4.7ohm, 15V 100 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 225 A 1.65V @ 15V, 75a 2.17MJ (Encendido), 1.23mj (apaguado) 435 NC 28ns/310ns
DD1200S33KL2C_B5 Infineon Technologies DD1200S33KL2C_B5 1.0000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo 1800 W Estándar A-IHV130-6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 2 Independientes - 3300 V - No
IPP50CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP50CN10NGXKSA1 -
RFQ
 ECAD 8387 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP50C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 20A (TC) 10V 50mohm @ 20a, 10v 4V @ 20 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 1090 pf @ 50 V - 44W (TC)
FS100R17KE3BOSA1 Infineon Technologies FS100R17KE3BOSA1 223.0770
RFQ
 ECAD 5818 0.00000000 Infineon Technologies - Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FS100R17 555 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico - 1700 V 145 A 2.45V @ 15V, 100A 5 Ma Si 9 NF @ 25 V
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies AIKW50N65DH5XKSA1 11.1100
RFQ
 ECAD 7873 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 AIKW50 Estándar 270 W PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V Zanja 650 V 150 A 2.1V @ 15V, 50A 490 µJ (Encendido), 140 µJ (apagado) 1018 NC 21ns/156ns
FZ2400R12HE4PB9HPSA1 Infineon Technologies FZ2400R12HE4PB9HPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 9058 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FZ2400 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 1200 V 2400 A 2.1V @ 15V, 2400A 5 Ma No 150 NF @ 25 V
FS100R12W2T7BOMA1 Infineon Technologies FS100R12W2T7BOMA1 99.1800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS100R12 20 MW Estándar Ag-Easy2b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 70 A - 9 µA Si 21.7 NF @ 25 V
IRL3502STRLPBF Infineon Technologies IRL3502STRLPBF -
RFQ
 ECAD 1629 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 110A (TC) 4.5V, 7V 7mohm @ 64a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 110 NC @ 4.5 V ± 10V 4700 pf @ 15 V - 140W (TC)
IRL3714STRRPBF Infineon Technologies IRL3714Strrpbf -
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 9.7 NC @ 4.5 V ± 20V 670 pf @ 10 V - 47W (TC)
IPP90R340C3XKSA1 Infineon Technologies IPP90R340C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 5492 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP90R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 900 V 15A (TC) 10V 340mohm @ 9.2a, 10v 3.5V @ 1MA 94 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 100 V - 208W (TC)
BSS139L6906HTSA1 Infineon Technologies BSS139L6906HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3797 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 250 V 100 mA (TA) 0V, 10V 14ohm @ 0.1ma, 10V 1V @ 56 µA 3.5 NC @ 5 V ± 20V 76 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 360MW (TA)
IRFSL7434PBF Infineon Technologies IRFSL7434PBF -
RFQ
 ECAD 6170 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL7434 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001557628 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 195a (TC) 6V, 10V 1.6mohm @ 100a, 10v 3.9V @ 250 µA 324 NC @ 10 V ± 20V 10820 pf @ 25 V - 294W (TC)
BFP420H6327XTSA1 Infineon Technologies Bfp420h6327xtsa1 0.6900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP420 160MW PG-SOT343-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 21db 5V 35mA NPN 60 @ 20MA, 4V 25 GHz 1.1DB @ 1.8GHz
IRG4PSC71UDPBF Infineon Technologies IRG4PSC71UDPBF -
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 274AA Estándar 350 W Super-247 ™ (TO74AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 480v, 60a, 5ohm, 15V 82 ns - 600 V 85 A 200 A 2V @ 15V, 60A 3.26mj (Encendido), 2.27MJ (apaguado) 340 NC 90ns/245ns
IRLR6225TRPBF Infineon Technologies IRLR6225TRPBF 1.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR6225 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 100A (TC) 2.5V, 4.5V 4mohm @ 21a, 4.5V 1.1V @ 50 µA 72 NC @ 4.5 V ± 12V 3770 pf @ 10 V - 63W (TC)
IRG4BC30SPBF Infineon Technologies IRG4BC30SPBF -
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 100 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480v, 18a, 23ohm, 15V - 600 V 34 A 68 A 1.6v @ 15V, 18a 260 µJ (Encendido), 3.45mj (apagado) 50 NC 22ns/540ns
IRLR7807ZCPBF Infineon Technologies IRLR7807ZCPBF -
RFQ
 ECAD 9788 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 43a (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10v 2.25V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 780 pf @ 15 V - 40W (TC)
IPI65R420CFD Infineon Technologies IPI65R420CFD 0.8200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 650 V 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 300 µA 31.5 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 100 V - 83.3W (TC)
BSC150N03LD Infineon Technologies Bsc150n03ld 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn BSC150 Mosfet (Óxido de metal) 26W PG-TDSON-8-4 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 30V 8A 15mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 6.4nc @ 10V 1100pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BSO203P Infineon Technologies BSO203P 0.5500
RFQ
 ECAD 5102 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO203 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 421 2 Canal P (Dual) 20V 8.2a 21mohm @ 8.2a, 4.5V 1.2V @ 100 µA 48.6nc @ 4.5V 2242pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRFR7746TRPBF Infineon Technologies IRFR7746TRPBF -
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR7746 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 75 V 56a (TC) 6V, 10V 11.2mohm @ 35a, 10v 3.7V @ 100 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 3107 pf @ 25 V - 99W (TC)
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