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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB049NE7N3GATMA1 | 2.8000 |  | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB049 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 4.9mohm @ 80a, 10v | 3.8V @ 91 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 37.5 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Irf630ns | - | | 6230 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf630ns | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | N-canal | 200 V | 9.3a (TC) | 10V | 300mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 575 pf @ 25 V | - | 82W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF7501TR | - | | 7557 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | IRF7501 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | Micro8 ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2.4a | 135mohm @ 1.7a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 8NC @ 4.5V | 260pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7503TR | - | | 8846 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | IRF7503 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | Micro8 ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 2.4a | 135mohm @ 1.7a, 10v | 1V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 210pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
 | BSB053N03LP G | - | | 1041 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Wdson | Mosfet (Óxido de metal) | MG-WDSON-2, Canpak M ™ | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 17A (TA), 71A (TC) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRFHM830TRPBF | 0.9300 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IRFHM830 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10v | 2.35V @ 50 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 2155 pf @ 25 V | - | 2.7W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BSD816SNL6327HTSA1 | - | | 2703 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.4a (TA) | 1.8V, 2.5V | 160mohm @ 1.4a, 2.5V | 950MV @ 3.7 µA | 0.6 NC @ 2.5 V | ± 8V | 180 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSO215C | - | | 4370 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO215 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 20V | 3.7a | 100mohm @ 3.7a, 10V | 2V @ 10 µA | 11.5nc @ 10V | 246pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
| IRF7321D2TR | - | | 7221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFU9024NPBF | 1.0900 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9024 | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 55 V | 11a (TC) | 10V | 175mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IRF7303TRPBF | 1.0200 | | 6101 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF73 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.9a | 50mohm @ 2.4a, 10V | 1V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 520pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| BSO130N03MSGXUMA1 | - | | 8332 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 11.1a, 10v | 2V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 15 V | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSP320S E6327 | - | | 6029 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 2.9a (TA) | 10V | 120mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 20 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFR5305TRPBF | - | | 4473 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001573302 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 55 V | 31a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRLR8256TRPBF | - | | 4722 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR8256 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 25 V | 81a (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 25A, 10V | 2.35V @ 25 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1470 pf @ 13 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IRF9910TR | - | | 1441 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF99 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 10a, 12a | 13.4mohm @ 10a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | 900pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
 | Bfs17we6327htsa1 | - | | 4974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BFS17 | 280MW | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 15V | 25 Ma | NPN | 40 @ 2mA, 1V | 1.4GHz | 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R041P6FKSA1 | 13.4900 | | 4596 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW60R041 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 77.5a (TC) | 10V | 41mohm @ 35.5a, 10V | 4.5V @ 2.96MA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 8180 pf @ 100 V | - | 481W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IRF3711ZSPBF | - | | 2427 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 92a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 2.45V @ 250 µA | 24 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2150 pf @ 10 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPS135N03LGAKMA1 | - | | 5866 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRF7453PBF | - | | 8490 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7453 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001577342 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 250 V | 2.2a (TA) | 10V | 230mohm @ 1.3a, 10V | 5.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 930 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPC26N12NX2SA1 | - | | 8497 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | IPC26N | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000980076 | 0000.00.0000 | 2,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF300R12KT3HOSA1 | 214.2900 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF300R12 | 1450 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 480 A | 2.15V @ 15V, 300A | 5 Ma | No | 21 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRLB8743PBF | 1.5400 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRLB8743 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001572884 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 78a (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 40a, 10V | 2.35V @ 100 µA | 54 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5110 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | FD800R17HP4KB2BOSA2 | 1.0000 | | 8025 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Ihm-b | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FD800R17 | 5200 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Piquero | - | 1700 V | 800 A | 2.25V @ 15V, 800A | 5 Ma | No | 65 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFR2905ZTRPBF | 1.3200 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR2905 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 10V | 14.5mohm @ 36a, 10v | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| ICA32V07X1SA1 | - | | 6989 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000960548 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZ1200R17HE4HOSA2 | 860.7400 | | 6358 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Ihm-b | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FZ1200 | 7800 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Interruptor Único | - | 1700 V | 1200 A | 2.3V @ 15V, 1200A | 5 Ma | No | 97 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPP65R190C7 | 1.0000 | | 1826 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 650 V | 13a (TC) | 10V | 190mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 290 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 400 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BF2040WH6814XTSA1 | - | | 1018 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BF2040 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT343-3D | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 40mera | 15 Ma | - | 23dB | 1.6db | 5 V |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
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