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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFC3315B | - |  | 8380 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC3315B | Obsoleto | 1 | - | 150 V | 23A | 10V | 70mohm @ 23a, 10v | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPDD60R105CFD7XTMA1 | 6.1000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 10-PowerSop | IPDD60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-10-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.700 | N-canal | 600 V | 31a (TC) | 105mohm @ 7.8a, 10v | 4.5V @ 390 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1504 pf @ 400 V | - | 198W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPI45N06S4L08AKSA2 | 0.4000 | | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPI80N08S2-07R | - | | 6020 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Spi80n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 7.3mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 5830 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IPD50R500CEAUMA1 | 1.0100 | | 26 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50R500 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 7.6a (TC) | 13V | 500mohm @ 2.3a, 13V | 3.5V @ 200 µA | 18.7 NC @ 10 V | ± 20V | 433 pf @ 100 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRF6644 | - | | 2829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MN | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mn | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | SP001574786 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 100 V | 10.3a (TA), 60a (TC) | 10V | 13mohm @ 10.3a, 10v | 4.8V @ 150 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2210 pf @ 25 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | 63-9015 | - | | 5446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FF150R12ME3G | 114.1500 | | 351 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 695 W | Estándar | Agonod-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 200 A | 2.15V @ 15V, 150a | 5 Ma | Si | 10.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSB280N15NZ3GXUMA1 | 1.3572 | | 5254 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Wdson | BSB280 | Mosfet (Óxido de metal) | MG-WDSON-2, Canpak M ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 150 V | 9A (TA), 30A (TC) | 10V | 28mohm @ 30a, 10v | 4V @ 60 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 75 V | - | 2.8W (TA), 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IPB049N06L3G | 0.6100 | | 2527 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 58 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 8400 pf @ 30 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IAUC45N04S6L063HATMA1 | 1.5800 | | 1705 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IAUC45 | Mosfet (Óxido de metal) | 41W (TC) | PG-TDSON-8-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | 45a (TJ) | 6.3mohm @ 22a, 10v | 2V @ 9 µA | 13NC @ 10V | 775pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||
 | BCX68-16 | - | | 4575 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 3 W | PG-SOT89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 20 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Ff300r17me4b11bosa1 | - | | 7269 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Una granela | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF300R17 | 1800 W | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 375 A | 2.3V @ 15V, 300A | 3 MA | Si | 24.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFR13N15DPBF | - | | 8617 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001556864 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 150 V | 14a (TC) | 10V | 180mohm @ 8.3a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BSL202SNH6327XTSA1 | 0.6400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL202 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 7.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 22mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.2V @ 30 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 12V | 1147 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | FS450R17KE4BOSA1 | 1.0000 | | 6852 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™+ | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FS450R17 | 2500 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | Puente completo | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 600 A | 2.3V @ 15V, 450a | 3 MA | Si | 36 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
 | IRF933333TRPBF | - | | 8220 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF9333 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 9.2a (TA) | 4.5V, 10V | 19.4mohm @ 9.2a, 10v | 2.4V @ 25 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | IRFHM8329TRPBF | - | | 9501 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 16a (TA), 57A (TC) | 4.5V, 10V | 6.1mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 25 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 10 V | - | 2.6W (TA), 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPAN80R360P7XKSA1 | 2.8400 | | 7024 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Ipan80 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 13a (TC) | 10V | 360mohm @ 5.6a, 10V | 3.5V @ 280 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 500 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRL5602STRLPBF | - | | 7219 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001573916 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 20 V | 24a (TC) | 2.5V, 4.5V | 42mohm @ 12a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1460 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Auirf7484qtr | - | | 2059 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 14a (TA) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V @ 250 µA | 100 NC @ 7 V | ± 8V | 3520 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPP65R310CFDAAKSA1 | 1.7962 | | 2079 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R310 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000879438 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 11.4a (TC) | 10V | 310mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 440 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 pf @ 100 V | - | 104.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPB0401NM5SATMA1 | 4.8800 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | IPB0401 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS14C40LPBF | - | | 1486 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRGS14 | Lógica | 125 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | - | 430 V | 20 A | 1.75V @ 5V, 14A | - | 27 NC | 900NS/6 µs | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4PH30KD | - | | 2205 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRG4PH30 | Estándar | 100 W | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRG4PH30KD | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 800V, 10a, 23ohm, 15V | 50 ns | - | 1200 V | 20 A | 40 A | 4.2V @ 15V, 10a | 950 µJ (Encendido), 1.15MJ (apagado) | 53 NC | 39ns/220ns | ||||||||||||||||||||||
| Irfr9n20dtrr | - | | 6974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 9.4a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.6a, 10V | 5.5V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 30V | 560 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Irfc4468ed | - | | 2092 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP80R1K4P7XKSA1 | 1.6600 | | 28 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP001422718 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.4a, 10V | 3.5V @ 70 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 500 V | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRL3716Strpbf | - | | 9143 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 90a, 10v | 3V @ 250 µA | 79 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5090 pf @ 10 V | - | 210W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| SIPC06N60C3 | - | | 9481 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000013362 | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 |
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