SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPP60R950C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R950C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 6011 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 4.4a (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 100 V - 37W (TC)
IRFP048N Infineon Technologies Irfp048n -
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfp048n EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 55 V 64a (TC) 10V 16mohm @ 37a, 10v 4V @ 250 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRL3103SPBF Infineon Technologies IRL3103SPBF -
RFQ
 ECAD 5304 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 34a, 10v 1V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 16V 1650 pf @ 25 V - 94W (TC)
IPB067N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB067N08N3GATMA1 2.7800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB067 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 80a (TC) 6V, 10V 6.7mohm @ 73a, 10v 3.5V @ 73 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 3840 pf @ 40 V - 136W (TC)
BCR10PNH6730 Infineon Technologies BCR10PNH6730 -
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR10 250MW PG-SOT363-6-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 kohms 10 kohms
F3L150R12W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies F3L150R12W2H3B11BPSA1 105.1700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo F3L150 500 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico - 1200 V 75 A 1.75V @ 15V, 75a 1 MA Si 8.7 NF @ 25 V
BSO130P03SHXUMA1 Infineon Technologies BSO130P03SHXUMA1 1.3300
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO130 Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 9.2a (TA) 10V 13mohm @ 11.7a, 10V 2.2V @ 140 µA 81 NC @ 10 V ± 25V 3520 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
IRF6631TR1PBF Infineon Technologies IRF6631TR1PBF -
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 13A (TA), 57A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 13a, 10v 2.35V @ 25 µA 18 NC @ 4.5 V ± 20V 1450 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRF8788PBF Infineon Technologies IRF8788PBF -
RFQ
 ECAD 5807 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001566558 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 24a (TA) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 24a, 10v 2.35V @ 100 µA 66 NC @ 4.5 V ± 20V 5720 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRFH5053TR2PBF Infineon Technologies IRFH5053TR2PBF -
RFQ
 ECAD 5235 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Pqfn (5x6) muere individual descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 9.3a (TA), 46a (TC) 18mohm @ 9.3a, 10V 4.9V @ 100 µA 36 NC @ 10 V 1510 pf @ 50 V -
IRF7380QTRPBF Infineon Technologies IRF7380QTRPBF -
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7380 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 80V 3.6a 73mohm @ 2.2a, 10v 4V @ 250 µA 23nc @ 10V 660pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRL540NSTRR Infineon Technologies IRL540NSTRR -
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 36A (TC) 4V, 10V 44mohm @ 18a, 10v 2V @ 250 µA 74 NC @ 5 V ± 16V 1800 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 140W (TC)
IRF7471PBF Infineon Technologies IRF7471PBF -
RFQ
 ECAD 1335 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7471 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001563538 EAR99 8541.29.0095 4,085 N-canal 40 V 10a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 32 NC @ 4.5 V ± 20V 2820 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
IPTG054N15NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTG054N15NM5ATMA1 6.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Ala de Gaviota Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOG-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IPTG054N15NM5ATMA1CT EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 150 V 17.5a (TA), 143A (TC) 8V, 10V 5.4mohm @ 50A, 10V 4.6V @ 191 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 5700 pf @ 75 V - 3.8W (TA), 250W (TC)
AUIRLS3034-7TRL Infineon Technologies Auirls3034-7trl 4.0351
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Auirls3034 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519894 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 240a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 200a, 10v 2.5V @ 250 µA 180 NC @ 4.5 V ± 20V 10990 pf @ 40 V - 380W (TC)
BSO200P03SHXUMA1 Infineon Technologies BSO200P03SHXUMA1 0.5126
RFQ
 ECAD 9183 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO200 Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 7.4a (TA) 10V 20mohm @ 9.1a, 10V 1.5V @ 100 µA 54 NC @ 10 V ± 25V 2330 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPB17N80C3ATMA1 5.2000
RFQ
 ECAD 9248 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB17N80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 17a (TC) 10V 290mohm @ 11a, 10v 3.9V @ 1MA 177 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 100 V - 227W (TC)
IPC90R120C3X1SA1 Infineon Technologies IPC90R120C3X1SA1 -
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto IPC90R - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000464892 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies IPN80R600P7ATMA1 1.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN80R600 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 3.5V @ 170 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 570 pf @ 500 V - 7.4W (TC)
DF11MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1PB11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 3849 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo DF11MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW Ag-Easy1b-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 30 2 Canal N (Dual) 1200V (1.2kv) 50A (TJ) 22.5mohm @ 50A, 15V 5.55V @ 20 mm 124nc @ 15V 3680pf @ 800V -
IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies IRF150DM115XTMA1 1.8119
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - - - Mosfet (Óxido de metal) - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 150 V - - - - - - -
IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R039M1HXKSA1 17.4100
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IMW65R Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 46a (TC) 18V 50mohm @ 25A, 18V 5.7V @ 7.5mA 41 NC @ 18 V +20V, -2V 1393 pf @ 400 V - 176W (TC)
IRFSL4510PBF Infineon Technologies IRFSL4510PBF -
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 61a (TC) 10V 13.9mohm @ 37a, 10v 4V @ 100 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 3180 pf @ 50 V - 140W (TC)
BCR141E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR141E6327HTSA1 0.0517
RFQ
 ECAD 4863 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR141 250 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 130 MHz 22 kohms 22 kohms
64-4123PBF Infineon Technologies 64-4123pbf -
RFQ
 ECAD 5514 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001518380 Obsoleto 0000.00.0000 3.000
AUIRGP4062D1-E Infineon Technologies Auirgp4062d1-e 5.2766
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Auirgp4062 Estándar 217 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001511102 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 24a, 10ohm, 15V 102 ns Zanja 600 V 55 A 72 A 1.77v @ 15V, 24a 532 µJ (Encendido), 311 µJ (apaguado) 77 NC 19ns/90ns
IPP50R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPP50R250CPXKSA1 1.8880
RFQ
 ECAD 4408 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP50R250 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 520 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1420 pf @ 100 V - 114W (TC)
SPB18P06P Infineon Technologies SPB18P06P -
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB18P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 18.7a (TA) 10V 130mohm @ 13.2a, 10v 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 81.1W (TA)
IRFH7914TRPBF Infineon Technologies IRFH7914TRPBF 0.7300
RFQ
 ECAD 2076 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IRFH7914 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 15A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 14a, 10v 2.35V @ 25 µA 12 NC @ 4.5 V ± 20V 1160 pf @ 15 V - 3.1W (TA)
IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R2K0PFD7SATMA1 0.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ PFD7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 261-3 IPN60R2 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 3A (TC) 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 30 µA 3.8 NC @ 10 V ± 20V 134 pf @ 400 V - 6W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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