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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | Auirfr8403trlarma1 | 1.1051 | ![]() | 4136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirfr8403 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-901 | Dpak | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 76a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 99 NC @ 10 V | ± 20V | 3171 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4310ZPBF | - | ![]() | 4513 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 10V | 6mohm @ 75a, 10V | 4V @ 150 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 6860 pf @ 50 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7T300SD12B | - | ![]() | 4217 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo Powir® 62 | Irg7t | 1800 W | Estándar | POWIR® 62 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Soltero | - | 1200 V | 600 A | 2.2V @ 15V, 300A | 4 Ma | No | 41.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR116E6433HTMA1 | 0.0495 | ![]() | 7798 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR116 | 200 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-2355pbf | - | ![]() | 3475 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | - | 4V, 10V | ± 16V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7748L1TRPBF | - | ![]() | 4893 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico L6 | IRF7748 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet l6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 60 V | 28a (TA), 148a (TC) | 10V | 2.2mohm @ 89a, 10V | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 8075 pf @ 50 V | - | 3.3W (TA), 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI60R250CP | 1.5700 | ![]() | 474 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10v | 3.5V @ 520 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB034N06N3G | 0.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 100A (TC) | 10V | 3.4mohm @ 100a, 10V | 4V @ 93 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 30 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC240NB | - | ![]() | 1279 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC240NB | Obsoleto | 1 | - | 200 V | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA060N06NXKSA1 | 2.0100 | ![]() | 484 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA060 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 6V, 10V | 6mohm @ 45a, 10v | 3.3V @ 36 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 30 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU60R950C6AKMA1 | - | ![]() | 3498 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 600 V | 4.4a (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 130 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 100 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 101T E6327 | - | ![]() | 2100 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 101 | 250 MW | PG-SC75-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 50 Ma | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 70 @ 5MA, 5V | 100 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirfz24nstrr | - | ![]() | 8647 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (TO-252AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW60R165CPFKSA1 | 6.7600 | ![]() | 228 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW60R165 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 165mohm @ 12a, 10v | 3.5V @ 790 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 100 V | - | 192W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPQC60R010S7AXTMA1 | 33.2200 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 22 poderos | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-22 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | N-canal | 600 V | 50A (TC) | 12V | 10mohm @ 50A, 12V | 4.5V @ 3.08MA | 318 NC @ 12 V | ± 20V | - | 694W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3711 | - | ![]() | 5661 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2980 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfz34nstrr | - | ![]() | 8649 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 29a (TC) | 10V | 40mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC010N04LS6ATMA1 | 2.4600 | ![]() | 511 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC010 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 40a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 1mohm @ 50a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 67 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4600 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR2607ZPBF | - | ![]() | 2792 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001567472 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 75 V | 42a (TC) | 10V | 22mohm @ 30a, 10v | 4V @ 50 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 146T E6327 | - | ![]() | 2418 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 146 | 250 MW | PG-SC-75 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 70 Ma | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 47 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP014N06NF2SAKMA2 | 3.8100 | ![]() | 345 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-U05 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 39a (TA), 198a (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 100a, 10v | 3.3V @ 246 µA | 305 NC @ 10 V | ± 20V | 13800 pf @ 30 V | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGB4060DPBF | - | ![]() | 7095 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 99 W | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001533960 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 8a, 47ohm, 15V | 60 ns | Zanja | 600 V | 16 A | 32 A | 1.85V @ 15V, 8a | 70 µJ (Encendido), 145 µJ (apaguado) | 19 NC | 30ns/95ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB3307 | - | ![]() | 8632 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFB3307 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 130A (TC) | 10V | 6.3mohm @ 75a, 10V | 4V @ 150 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 5150 pf @ 50 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
FS200R12PT4BOSA1 | 280.3700 | ![]() | 2121 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 4 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FS200R12 | 1000 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 280 A | 2.15V @ 15V, 200a | 1 MA | Si | 14 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80R1K2P7 | 0.6800 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R110CFDATMA1 | 3.8773 | ![]() | 1946 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R110 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 31.2a (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10v | 4.5V @ 1.3MA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 3240 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLZ44NSTRRPBF | - | ![]() | 9059 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001552954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 47a (TC) | 4V, 10V | 22mohm @ 25A, 10V | 2V @ 250 µA | 48 NC @ 5 V | ± 16V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR129WE6327HTSA1 | - | ![]() | 1608 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BCR129 | 250 MW | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLU3714PBF | - | ![]() | 4038 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM300GA120DLCSHOSA1 | 207.8090 | ![]() | 9201 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | BSM300 | 2250 W | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | - | 1200 V | 570 A | 2.6V @ 15V, 300A | 5 Ma | No | 22 NF @ 25 V |
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