SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
AUIRFR8403TRLARMA1 Infineon Technologies Auirfr8403trlarma1 1.1051
RFQ
ECAD 4136 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q100, HEXFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr8403 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-901 | Dpak - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 76a, 10v 3.9V @ 100 µA 99 NC @ 10 V ± 20V 3171 pf @ 25 V - 99W (TC)
IRFS4310ZPBF Infineon Technologies IRFS4310ZPBF -
RFQ
ECAD 4513 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 6mohm @ 75a, 10V 4V @ 150 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6860 pf @ 50 V - 250W (TC)
IRG7T300SD12B Infineon Technologies IRG7T300SD12B -
RFQ
ECAD 4217 0.00000000 Infineon Technologies - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Powir® 62 Irg7t 1800 W Estándar POWIR® 62 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 1200 V 600 A 2.2V @ 15V, 300A 4 Ma No 41.5 NF @ 25 V
BCR116E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR116E6433HTMA1 0.0495
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR116 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 4.7 kohms 47 kohms
94-2355PBF Infineon Technologies 94-2355pbf -
RFQ
ECAD 3475 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 50 - 4V, 10V ± 16V
IRF7748L1TRPBF Infineon Technologies IRF7748L1TRPBF -
RFQ
ECAD 4893 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L6 IRF7748 Mosfet (Óxido de metal) Directfet l6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 28a (TA), 148a (TC) 10V 2.2mohm @ 89a, 10V 4V @ 250 µA 220 NC @ 10 V ± 20V 8075 pf @ 50 V - 3.3W (TA), 94W (TC)
IPI60R250CP Infineon Technologies IPI60R250CP 1.5700
RFQ
ECAD 474 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 520 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 100 V - 104W (TC)
IPB034N06N3G Infineon Technologies IPB034N06N3G 0.8800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 93 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 30 V - 167W (TC)
IRFC240NB Infineon Technologies IRFC240NB -
RFQ
ECAD 1279 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir Mosfet (Óxido de metal) Morir - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 448-IRFC240NB Obsoleto 1 - 200 V - - - - - - -
IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies IPA060N06NXKSA1 2.0100
RFQ
ECAD 484 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA060 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 45a (TC) 6V, 10V 6mohm @ 45a, 10v 3.3V @ 36 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 30 V - 33W (TC)
IPU60R950C6AKMA1 Infineon Technologies IPU60R950C6AKMA1 -
RFQ
ECAD 3498 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 V 4.4a (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 100 V - 37W (TC)
BCR 101T E6327 Infineon Technologies BCR 101T E6327 -
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 101 250 MW PG-SC75-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 100 kohms 100 kohms
AUIRFZ24NSTRR Infineon Technologies Auirfz24nstrr -
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
IPW60R165CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R165CPFKSA1 6.7600
RFQ
ECAD 228 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R165 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 165mohm @ 12a, 10v 3.5V @ 790 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 100 V - 192W (TC)
IPQC60R010S7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC60R010S7AXTMA1 33.2200
RFQ
ECAD 5550 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 22 poderos Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-22 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 750 N-canal 600 V 50A (TC) 12V 10mohm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08MA 318 NC @ 12 V ± 20V - 694W (TC)
IRFR3711 Infineon Technologies IRFR3711 -
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRFZ34NSTRR Infineon Technologies Irfz34nstrr -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 29a (TC) 10V 40mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LS6ATMA1 2.4600
RFQ
ECAD 511 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC010 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 40a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 1mohm @ 50a, 10v 2.3V @ 250 µA 67 NC @ 4.5 V ± 20V 4600 pf @ 20 V - 3W (TA), 150W (TC)
IRFR2607ZPBF Infineon Technologies IRFR2607ZPBF -
RFQ
ECAD 2792 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001567472 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 75 V 42a (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10v 4V @ 50 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 25 V - 110W (TC)
BCR 146T E6327 Infineon Technologies BCR 146T E6327 -
RFQ
ECAD 2418 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 146 250 MW PG-SC-75 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 70 Ma 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 150 MHz 47 kohms 22 kohms
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies IPP014N06NF2SAKMA2 3.8100
RFQ
ECAD 345 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-U05 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 39a (TA), 198a (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10v 3.3V @ 246 µA 305 NC @ 10 V ± 20V 13800 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 300W (TC)
IRGB4060DPBF Infineon Technologies IRGB4060DPBF -
RFQ
ECAD 7095 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 99 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001533960 EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 8a, 47ohm, 15V 60 ns Zanja 600 V 16 A 32 A 1.85V @ 15V, 8a 70 µJ (Encendido), 145 µJ (apaguado) 19 NC 30ns/95ns
IRFB3307 Infineon Technologies IRFB3307 -
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFB3307 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 130A (TC) 10V 6.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 5150 pf @ 50 V - 250W (TC)
FS200R12PT4BOSA1 Infineon Technologies FS200R12PT4BOSA1 280.3700
RFQ
ECAD 2121 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 4 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS200R12 1000 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 280 A 2.15V @ 15V, 200a 1 MA Si 14 NF @ 25 V
IPP80R1K2P7 Infineon Technologies IPP80R1K2P7 0.6800
RFQ
ECAD 980 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar EAR99 8542.39.0001 1
IPB65R110CFDATMA1 Infineon Technologies IPB65R110CFDATMA1 3.8773
RFQ
ECAD 1946 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R110 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 31.2a (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10v 4.5V @ 1.3MA 118 NC @ 10 V ± 20V 3240 pf @ 100 V - 277.8W (TC)
IRLZ44NSTRRPBF Infineon Technologies IRLZ44NSTRRPBF -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001552954 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 47a (TC) 4V, 10V 22mohm @ 25A, 10V 2V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
BCR129WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR129WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 1608 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR129 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 kohms
IRLU3714PBF Infineon Technologies IRLU3714PBF -
RFQ
ECAD 4038 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 9.7 NC @ 4.5 V ± 20V 670 pf @ 10 V - 47W (TC)
BSM300GA120DLCSHOSA1 Infineon Technologies BSM300GA120DLCSHOSA1 207.8090
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo BSM300 2250 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 1200 V 570 A 2.6V @ 15V, 300A 5 Ma No 22 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock