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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPA50R140CPXKSA1 | 6.0300 |  | 9371 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA50R140 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 23a (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10v | 3.5V @ 930 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 2540 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS820R08A6P2LBBPSA1 | 693.0000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hybridpack ™ | Banda | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS820R08 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 820 A | - | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI90N06S404AKSA1 | - | | 4086 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI90N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 10V | 4mohm @ 90a, 10v | 4V @ 90 µA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 10400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF150R12KE3GB2HOSA1 | 145.0400 | | 1176 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF150R12K | 780 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor de Medio Puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 225 A | 2.15V @ 15V, 150a | 5 Ma | No | 11 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bso203spntma1 | - | | 2955 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 21mohm @ 9a, 4.5V | 1.2V @ 100 µA | 50.4 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2265 pf @ 15 V | - | 2.35W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF2040E6814HTSA1 | 0.1090 | | 9578 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 8 V | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BF2040 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT-143-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | N-canal | 40mera | 15 Ma | - | 23dB | 1.6db | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA041501HL V1 | - | | 3778 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas | PTFA041501 | 470MHz | Ldmos | PG-64248-2 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 1 µA | 900 mA | 150W | 21db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7805ATRPBF | - | | 7503 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V | 11mohm @ 7a, 4.5V | 3V @ 250 µA | 31 NC @ 5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R400CEATMA1 | - | | 2286 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 10.3a (TC) | 10V | 400mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 300 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R360P7SAUMA1 | 1.1600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 10V | 360mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 140 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 555 pf @ 400 V | - | 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPL65R210CFDAUMA2 | 1.9840 | | 6383 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD2 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-Powertsfn | IPL65R210 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-VSON-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 V | 16.6a (TC) | 10V | 210mohm @ 7.3a, 10v | 4.5V @ 700 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM25GP120BPSA1 | 143.3713 | | 8973 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Bsm25g | 230 W | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | - | 1200 V | 45 A | 2.55V @ 15V, 25A | 500 µA | Si | 1.5 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 64-0007 | - | | 2367 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 150mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1160 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7324D1TRPBF | - | | 6798 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 20 V | 2.2a (TA) | 2.7V, 4.5V | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 7.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 260 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKWH30N65WR6XKSA1 | 3.4300 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ikwh30n | Estándar | 136 W | PG-TO247-3-32 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 67 A | 90 A | 1.75V @ 15V, 30a | - | 97 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGP15N60TXKSA1 | 2.1300 | | 866 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IGP15N60 | Estándar | 130 W | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15a, 15ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 30 A | 45 A | 2.05V @ 15V, 15a | 570 µJ | 87 NC | 17ns/188ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7807VD1 | - | | 3938 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7807VD1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 8.3a (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 3V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPDQ60R040S7XTMA1 | 11.2200 | | 6823 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 22 poderos | IPDQ60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-22-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | N-canal | 600 V | 14a (TC) | 12V | 40mohm @ 13a, 12V | 4.5V @ 790 µA | 83 NC @ 12 V | ± 20V | 3127 pf @ 300 V | - | 272W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP613PL6327HUSA1 | - | | 5943 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 2.9a (TA) | 10V | 130mohm @ 2.9a, 10v | 4V @ 1MA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 875 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC60N04S406ATMA1 | - | | 2313 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IPC60N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 10V | 6mohm @ 30a, 10v | 4V @ 30 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 2650 pf @ 25 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP171PE6327 | - | | 5355 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.9a (TA) | 4.5V, 10V | 300mohm @ 1.9a, 10V | 2V @ 460 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 460 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | 4.4700 | | 8331 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-Powertdfn | IQD016 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TTFN-9-U02 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | N-canal | 80 V | 31a (TA), 323A (TC) | 6V, 10V | 1.57mohm @ 50A, 10V | 3.8V @ 159 µA | 133 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 40 V | - | 3W (TA), 333W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846SH643333TMA1 | 0.0852 | | 4733 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4063-EPBF | - | | 9533 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 330 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 48a, 10ohm, 15V | Zanja | 600 V | 96 A | 144 A | 2.14V @ 15V, 48a | 625 µJ (Encendido), 1.28MJ (apagado) | 95 NC | 60ns/145ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR3714TRL | - | | 3720 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | = 94-2307 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUS300N08S5N012ATMA1 | 7.4600 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Ala de Gaviota | IAUS300 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOG-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 80 V | 300A (TC) | 6V, 10V | 1.2mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 275 µA | 231 NC @ 10 V | ± 20V | 16250 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC026N08NS5ATMA1 | 3.2600 | | 5856 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC026 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 23a (TA), 100a (TC) | 6V, 10V | 2.6mohm @ 50A, 10V | 3.8V @ 115 µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS100R12KE3BOSA1 | 237.3000 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS100R12 | 480 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | Escrutinio | 1200 V | 140 A | 2.15V @ 15V, 100A | 5 Ma | No | 7.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISC624P06X3MA1 | - | | 5239 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | SISC624 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000013956 | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFB192557SHV1XWSA1 | - | | 4707 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | H-34288G-4/2 | 1.99 GHz | Ldmos | H-34288G-4/2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001028952 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.35 A | 60W | 19dB | - | 28 V |
2000+
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30,000,000
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