SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRFB31N20DPBF Infineon Technologies IRFB31N20DPBF -
RFQ
 ECAD 6839 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 31a (TC) 10V 82mohm @ 18a, 10v 5.5V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 30V 2370 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 200W (TC)
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies AIKQ120N60CTXKSA1 14.4400
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 AIKQ120 Estándar 833 W PG-TO247-3-46 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 120a, 3ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 160 A 480 A 2V @ 15V, 120a 4.1MJ (Encendido), 2.8MJ (apaguado) 772 NC 33ns/310ns
IPD052N10NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD052N10NF2SATMA1 1.9900
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 17a (TA), 118a (TC) 6V, 10V 5.2mohm @ 70a, 10v 3.8V @ 84 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 50 V - 3W (TA), 150W (TC)
SPP12N50C3HKSA1 Infineon Technologies Spp12n50c3hksa1 -
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp12n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 560 V 11.6a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 3.9V @ 500 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
BSZ0902NSIATMA1 Infineon Technologies Bsz0902nsiatma1 1.2300
RFQ
 ECAD 2095 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ0902 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 21a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC097N06NSATMA1 0.9500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC097 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 46a (TC) 6V, 10V 9.7mohm @ 40a, 10v 3.3V @ 14 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1075 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 36W (TC)
IPB14N03LA G Infineon Technologies IPB14N03LA G -
RFQ
 ECAD 6208 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB14N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 30A (TC) 4.5V, 10V 13.6mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 8.3 NC @ 5 V ± 20V 1043 pf @ 15 V - 46W (TC)
SPS04N60C3AKMA1 Infineon Technologies Sps04n60c3akma1 0.6000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
IRF7799L2TRPBF Infineon Technologies IRF7799L2TRPBF -
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L8 Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ Isométrico L8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 250 V 35A (TC) 10V 38mohm @ 21a, 10v 5V @ 250 µA 165 nc @ 10 V ± 30V 6714 pf @ 25 V - 4.3W (TA), 125W (TC)
IPB407N30NATMA1 Infineon Technologies IPB407N30NATMA1 10.0800
RFQ
 ECAD 463 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB407 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 300 V 44a (TC) 10V 40.7mohm @ 44a, 10v 4V @ 270 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 7180 pf @ 100 V - 300W (TC)
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies DF23MR12W1M1PB11BPSA1 88.2400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo DF23MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW Ag-Easy1b-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 2156-DF23MR12W1M1PB11BPSA1-448 EAR99 8541.21.0095 30 2 Canal N (Dual) 1200V (1.2kv) 25A (TJ) 45mohm @ 25A, 15V 5.55V @ 10mA 62NC @ 15V 1840pf @ 800V -
IPB80N04S403JEATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S403Jeatma1 -
RFQ
 ECAD 6150 0.00000000 Infineon Technologies Optimos®-T2 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 53 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 5260 pf @ 25 V - 94W (TC)
IPI60R125CP Infineon Technologies IPI60R125CP -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 0000.00.0000 1 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 16A, 10V 3.5V @ 1.1MA 70 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 100 V - 208W (TC)
BSZ0803LSATMA1 Infineon Technologies Bsz0803lsatma1 0.5836
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ0803 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 9a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 14.6mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 23 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 50 V - 2.1W (TA), 52W (TC)
IKZA40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies IKZA40N65RH5XKSA1 9.9100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Ikza40 Estándar 250 W PG-TO247-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 15ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 74 A 60 A 2.1V @ 15V, 40A 140 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) 95 NC 17ns/165ns
IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies IPB015N04NGATMA1 4.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB015 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 1.5mohm @ 100a, 10v 4V @ 200 µA 250 nc @ 10 V ± 20V 20000 pf @ 20 V - 250W (TC)
DF8MR12W2M1C03BOMA1 Infineon Technologies DF8MR12W2M1C03BOMA1 -
RFQ
 ECAD 2097 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto DF8MR12 - - Obsoleto 1 -
FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies Ff6mr12km1bosa1 -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF6MR12 Mosfet (Óxido de metal) - AG-62 mm descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 2 Canales N (Medio Puente) 1200V (1.2kv) 250a (TC) 5.81mohm @ 250a, 15V 5.15V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
IRL3715ZSTRLPBF Infineon Technologies IRL3715ZSTRLPBF -
RFQ
 ECAD 5588 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 45W (TC)
IRF3704LPBF Infineon Technologies IRF3704LPBF -
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3704LPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 77a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1996 pf @ 10 V - 87W (TC)
IRFU3704 Infineon Technologies IRFU3704 -
RFQ
 ECAD 8423 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFU3704 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 75A (TC) 10V 9.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1996 pf @ 10 V - 90W (TC)
IRF7207TR Infineon Technologies IRF7207TR -
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 5.4a (TC) 2.7V, 4.5V 60mohm @ 5.4a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 22 NC @ 4.5 V ± 12V 780 pf @ 15 V - 2.5W (TC)
IRGS4615DPBF Infineon Technologies IRGS4615DPBF -
RFQ
 ECAD 2161 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 99 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 8a, 47ohm, 15V 60 ns - 600 V 23 a 24 A 1.85V @ 15V, 8a 70 µJ (Encendido), 145 µJ (apaguado) 19 NC 30ns/95ns
BCR555E6433 Infineon Technologies BCR555E6433 0.0600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR555 330 MW PG-SOT23-3-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 4.792 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 150 MHz 2.2 kohms 10 kohms
IRF7475TRPBF Infineon Technologies IRF7475TRPBF -
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 12 V 11a (TA) 2.8V, 4.5V 15mohm @ 8.8a, 4.5V 2V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 12V 1590 pf @ 6 V - 2.5W (TA)
IRG4PC30UPBF Infineon Technologies IRG4PC30UPBF -
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG4PC30 Estándar 100 W To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.1V @ 15V, 12A 160 µJ (Encendido), 200 µJ (apaguado) 50 NC 17ns/78ns
IKA15N65H5XKSA1 Infineon Technologies Ika15n65h5xksa1 3.0000
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Ika15n65 Estándar 33.3 W PG-to20-3-111 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 7.5a, 39ohm, 15V 48 ns - 650 V 14 A 45 A 2.1V @ 15V, 15a 120 µJ (Encendido), 50 µJ (apaguado) 38 NC 17ns/160ns
FS100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies FS100R12KT4B11BOSA1 -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS100R12 515 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 2.1V @ 15V, 100A 1 MA No 6.3 NF @ 25 V
IPP100N06S3-04 Infineon Technologies IPP100N06S3-04 -
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 100A (TC) 10V 4.4mohm @ 80a, 10v 4V @ 150 µA 314 NC @ 10 V ± 20V 14230 pf @ 25 V - 214W (TC)
BSO080P03NS3EGXUMA1 Infineon Technologies BSO080P03NS3EGXUMA1 -
RFQ
 ECAD 7772 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 12a (TA) 6V, 10V 8mohm @ 14.8a, 10V 3.1V @ 150 µA 81 NC @ 10 V ± 25V 6750 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
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    2000+

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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