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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
IQE046N08LM5CGATMA1	2.7200	RFQ	8312	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	9-Powertdfn	IQE046			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TTFN-9-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				5,000		N-canal						80 V	15.6a (TA), 99a (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 20a, 10v	2.3V @ 47 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	3250 pf @ 40 V	-	2.5W (TA), 100W (TC)
IKW50N65H5AXKSA1	-	RFQ	5409	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Ikw50n	Estándar			270 W		PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001187522	EAR99	8541.29.0095	240				400V, 25A, 12ohm, 15V															58 ns	Zanja	650 V	80 A	150 A	2.1V @ 15V, 50A	450 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado)	116 NC	21ns/173ns
IPP65R420CFDXKSA1	1.4606	RFQ	7166	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	La Última Vez Que Compre		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP65R420			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						650 V	8.7a (TC)	10V	420mohm @ 3.4a, 10V	4.5V @ 340 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W (TC)
IPB80N03S4L-03	-	RFQ	3176	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal						30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 80a, 10v	2.2V @ 45 µA	75 NC @ 10 V	± 16V	5100 pf @ 25 V	-	94W (TC)
FS150R12N2T7B15BPSA1	233.9900	RFQ	13	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 2	Banda	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS150R12				20 MW	Estándar	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor de puente entero																			Parada de Campo de Trinchera	1200 V	150 A		1.8v @ 15V, 150a					12 µA	Si	30.1 NF @ 25 V
IST007N04NM6AUMA1	3.7300	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos ™ 6	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	5-Powersfn	Ist007			Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOF-5-1	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						40 V	54A (TA), 440A (TC)	6V, 10V	0.7mohm @ 100a, 10v	3.3V @ 250 µA	152 NC @ 10 V	± 20V	7900 pf @ 20 V	-	3.8W (TA), 250W (TC)
IPA50R280CFD7	0.9400	RFQ	6778	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto												-				2156-IPA50R280CFD7			291
IRL3303Strr	-	RFQ	9885	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						30 V	38a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 20a, 10v	1V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 16V	870 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
FS225R12KE4BOSA1	641.7950	RFQ	3165	Infineon Technologies	ECONOPACK ™+ B	Banda	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FS225R12				1100 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4	Puente completo																			Parada de Campo de Trinchera	1200 V	320 A		2.15V @ 15V, 225a					3 MA	Si	13 NF @ 25 V
F3L600R10W4S7FC22BPSA1	306.6000	RFQ	5	Infineon Technologies	Easypack ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo					20 MW	Estándar	Ag-Easy4b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	6	Inversor de Tres Niveles																			Parada de Campo de Trinchera	950 V	310 A		2.25V @ 15V, 400A					1 MA	Si	49.2 NF @ 25 V
IRG4BC15UD-LPBF	-	RFQ	8850	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Estándar			49 W		Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50				480V, 7.8a, 75ohm, 15V															28 ns	-	600 V	14 A	42 A	2.4V @ 15V, 7.8a	240 µJ (Encendido), 260 µJ (apaguado)	23 NC	17ns/160ns
IPD60R2K1CEAUMA1	0.6600	RFQ	9	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						600 V	2.3a (TC)	10V	2.1ohm @ 760 mm, 10v	3.5V @ 60 µA	6.7 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 100 V	-	38W (TC)
SIGC84T120R3LEX1SA7	-	RFQ	9271	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Una granela	Activo					Sigc84	Estándar						descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SIGC84T120R3LE	EAR99	8541.29.0095	1				-																Parada de Campo de Trinchera	1200 V		225 A	2.1V @ 15V, 75a	-		-
FF200R17KE3S4HOSA1	179.1000	RFQ	10	Infineon Technologies	hacer	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FF200R17				1250 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor de Medio Puente																			Parada de Campo de Trinchera	1700 V	310 A		2.45V @ 15V, 200a					3 MA	No	18 NF @ 25 V
IRF7465	-	RFQ	8050	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7465	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal						150 V	1.9a (TA)	10V	280mohm @ 1.14a, 10V	5.5V @ 250 µA	15 NC @ 10 V	± 30V	330 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IPTG029N13NM6ATMA1	3.3296	RFQ	4620	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Activo												-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	448-IPTG029N13NM6ATMA1TR			1.800
IRG4PH40KDPBF	-	RFQ	3827	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar			160 W		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400				800V, 15a, 10ohm, 15V															63 ns	-	1200 V	30 A	60 A	3.4V @ 15V, 15a	1.31mj (Encendido), 1.12mj (apaguado)	94 NC	50ns/96ns
IPD80R2K4P7ATMA1	1.0600	RFQ	2	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD80R2			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						800 V	2.5A (TC)	10V	2.4ohm @ 800 mA, 10V	3.5V @ 40 µA	7.5 NC @ 10 V	± 20V	150 pf @ 500 V	-	22W (TC)
IRFR4510TRPBF	1.9100	RFQ	13	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR4510			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						100 V	56a (TC)	10V	13.9mohm @ 38a, 10v	4V @ 100 µA	81 NC @ 10 V	± 20V	3031 pf @ 50 V	-	143W (TC)
IPP11N03LA	-	RFQ	2288	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IP11N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						25 V	30A (TC)	4.5V, 10V	11.5mohm @ 30a, 10v	2V @ 20 µA	11 NC @ 5 V	± 20V	1358 pf @ 15 V	-	52W (TC)
FS150R07N3E4BOSA1	218.5200	RFQ	5023	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 3	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS150R07				430 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor trifásico																			Parada de Campo de Trinchera	650 V	150 A		1.95V @ 15V, 150a					1 MA	Si	9.3 NF @ 25 V
Auirf1324wl	11.1800	RFQ	2650	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Cables de Ancho	Auirf1324			Mosfet (Óxido de metal)			Un 262-3 de ancho	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						24 V	240a (TC)	10V	1.3mohm @ 195a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	7630 pf @ 19 V	-	300W (TC)
FS100R12W2T7B11BOMA1	99.1800	RFQ	1282	Infineon Technologies	Easypack ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FS100R12				20 MW	Estándar	Ag-Easy2B-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Soltero																			Parada de Campo de Trinchera	1200 V	100 A		1.50V @ 15V, 100A					9 µA	Si
PTFA091201GL V1	-	RFQ	9036	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Fin Lidera	PTFA091201		960MHz	Ldmos			PG-63248-2	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			10 µA		750 Ma	110W	18.5dB											-										28 V
IRL3303SPBF	-	RFQ	2406	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						30 V	38a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 20a, 10v	1V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 16V	870 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
FZ400R12KE4HOSA1	132.3600	RFQ	8562	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FZ400R12				2400 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Soltero																			Parada de Campo de Trinchera	1200 V	400 A		2.1V @ 15V, 400A					5 Ma	Si	28 NF @ 25 V
SMBT3906UE6327HTSA1	0.1037	RFQ	4313	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	SMBT 3906				330MW		PG-SC74-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																					40V	200 MMA							50NA (ICBO)			2 PNP (dual)	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	250MHz
FS450R17OP4BPSA1	846.6400	RFQ	6664	Infineon Technologies	ECONOPACK ™+	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS450R17				20 MW	Estándar	Ag-ECONOPP-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4	Inversor trifásico																			Parada de Campo de Trinchera	1700 V	450 A		2.2V @ 15V, 450a					3 MA	Si	37 NF @ 25 V
IRF7240TRPBF	1.8100	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7240			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P						40 V	10.5a (TA)	4.5V, 10V	15mohm @ 10.5a, 10v	3V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	9250 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IPDQ60R022S7AXTMA1	18.4800	RFQ	2391	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 22 poderos	IPDQ60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-HDSOP-22-1	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	750		N-canal						600 V	24a (TC)	12V	22mohm @ 23a, 12V	4.5V @ 1.44MA	150 NC @ 12 V	± 20V	5640 pf @ 300 V	-	416W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²