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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
FS450R17OE4BOSA1	1.0000	RFQ	4	Infineon Technologies	ECONOPACK ™+	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FS450R17				2400 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4	Puente completo																			Parada de Campo de Trinchera	1700 V	630 A		2.3V @ 15V, 450a					3 MA	Si	36 NF @ 25 V
IRF1404L	-	RFQ	1051	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf1404l	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						40 V	162a (TC)	10V	4mohm @ 95a, 10v	4V @ 250 µA	200 NC @ 10 V	± 20V	7360 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
SPP03N60C3XKSA1	-	RFQ	3151	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp03n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						600 V	3.2a (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	3.9V @ 135 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 25 V	-	38W (TC)
Irf530ns	-	RFQ	3116	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf530ns	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						100 V	17a (TC)	10V	90mohm @ 9a, 10v	4V @ 250 µA	37 NC @ 10 V	± 20V	920 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 70W (TC)
IRLR7833TRR	-	RFQ	7697	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						30 V	140A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 15a, 10v	2.3V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 20V	4010 pf @ 15 V	-	140W (TC)
IRF6614TR1	-	RFQ	2142	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Directfet ™ isométrico st				Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ st	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	SP001525534	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						40 V	12.7a (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8.3mohm @ 12.7a, 10v	2.25V @ 250 µA	29 NC @ 4.5 V	± 20V	2560 pf @ 20 V	-	2.1W (TA), 42W (TC)
FF200R12KS4PHOSA1	195.5800	RFQ	8	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF200R12				1400 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	8	Medio puente																			-	1200 V	275 A		3.7V @ 15V, 200a					5 Ma	No	13 NF @ 25 V
Auirf7749l2tr	8.6200	RFQ	2	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico L8	Auirf7749			Mosfet (Óxido de metal)			DirectFet ™ Isométrico L8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						60 V	36A (TA), 345A (TC)	10V	1.5mohm @ 120a, 10V	4V @ 250 µA	275 NC @ 10 V	± 20V	10655 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 341W (TC)
BFR193FH6327XTSA1	0.5400	RFQ	9	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-723	BFR193				580MW		PG-TSFP-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000							12.5dB														12V	80mera										NPN		70 @ 30mA, 8V	8GHz			1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	7251	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto					IPC60R							-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000857790	Obsoleto	0000.00.0000	1									-
Ipu04n03lb g	-	RFQ	7376	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Ipu04n			Mosfet (Óxido de metal)			P-to251-3-1	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal						30 V	50A (TC)	4.5V, 10V	4.3mohm @ 50A, 10V	2V @ 70 µA	40 NC @ 5 V	± 20V	5200 pf @ 15 V	-	115W (TC)
IPU80R2K0P7AKMA1	1.1100	RFQ	4726	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPU80R2			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal						800 V	3A (TC)	10V	2ohm @ 940ma, 10v	3.5V @ 50 µA	9 NC @ 10 V	± 20V	175 pf @ 500 V	-	24W (TC)
IRG4IBC30FD	-	RFQ	1997	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar			45 W		PG-to220-FP	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRG4IBC30FD	EAR99	8541.29.0095	50				480v, 17a, 23ohm, 15V															42 ns	-	600 V	20.3 A	120 A	1.8v @ 15V, 17a	630 µJ (Encendido), 1.39mj (apagado)	51 NC	42NS/230NS
IAUZ40N10S5L120ATMA1	0.6886	RFQ	6955	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8-33	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						100 V	46a (TJ)	4.5V, 10V	12mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 27 µA	22.6 NC @ 10 V	± 20V	1589 pf @ 50 V	-	62W (TC)
BCR141WH6327XTSA1	-	RFQ	1575	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BCR141				250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA							100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	50 @ 5MA, 5V	130 MHz	22 kohms	22 kohms
BCV46E6327HTSA1	0.0820	RFQ	6347	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCV46				360 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																					60 V	500 mA							100NA (ICBO)			PNP - Darlington	1V @ 100 µA, 100 mA	10000 @ 100mA, 5V	200MHz
IPF019N12NM6ATMA1	3.5501	RFQ	8992	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo					IPDQ65							-	ROHS3 Cumplante						1,000
PTFA212001F/1 P4	-	RFQ	2032	Infineon Technologies	-	Banda	Descontinuado en sic	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA212001		2.14 GHz	Ldmos			H-37260-2	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40			10 µA		1.6 A	50W	15.8db											-										30 V
IRFC240NB	-	RFQ	1279	Infineon Technologies	Hexfet®	Una granela	Obsoleto		-	Montaje en superficie	Morir				Mosfet (Óxido de metal)			Morir	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	448-IRFC240NB	Obsoleto		1		-						200 V	-	-	-	-		-		-	-
IRLU8726PBF	-	RFQ	3640	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA				Mosfet (Óxido de metal)			I-pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001573088	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						30 V	86a (TC)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 25A, 10V	2.35V @ 50 µA	23 NC @ 4.5 V	± 20V	2150 pf @ 15 V	-	75W (TC)
BSC060P03NS3EGATMA1	1.2500	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC060			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		Canal P						30 V	17.7a (TA), 100A (TC)	6V, 10V	6mohm @ 50a, 10v	3.1V @ 150 µA	81 NC @ 10 V	± 25V	6020 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 83W (TC)
BSC091N03MSCGATMA1	0.2700	RFQ	24	Infineon Technologies	Sipmos®	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-6	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal						30 V	12A (TA), 44A (TC)	4.5V, 10V	9.1mohm @ 30a, 10V	2V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 28W (TC)
IRFR7746PBF	-	RFQ	4518	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001576124	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						75 V	56a (TC)	6V, 10V	11.2mohm @ 35a, 10v	3.7V @ 100 µA	89 NC @ 10 V	± 20V	3107 pf @ 25 V	-	99W (TC)
IQE050N08NM5ATMA1	2.7900	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	Iqe050n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSON-8-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						80 V	16a (TA), 101a (TC)	6V, 10V	5mohm @ 20a, 10v	3.8V @ 49 µA	43.2 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 40 V	-	2.5W (TA), 100W (TC)
Irf3711pbf	-	RFQ	9059	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						20 V	110A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 20V	2980 pf @ 10 V	-	3.1W (TA), 120W (TC)
Bsz15dc02kdhxtma1	1.3100	RFQ	9356	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ15DC02			Mosfet (Óxido de metal)	2.5w		PG-TSDSON-8-FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	N y p-canal complementario							20V	5.1a, 3.2a		55mohm @ 5.1a, 4.5V	1.4V @ 110 µA	2.8nc @ 4.5V		419pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
BFP 196R E6501	-	RFQ	4254	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BFP 196				700MW		PG-SOT-143-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000							10.5db ~ 16.5db														12V	150 Ma										NPN		70 @ 50mA, 8V	7.5 GHz			1.3db ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPD60R400CEATMA1	-	RFQ	2286	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						600 V	10.3a (TC)	10V	400mohm @ 3.8a, 10V	3.5V @ 300 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 100 V	-	83W (TC)
IPP06CN10N G	-	RFQ	5218	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP06C			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						100 V	100A (TC)	10V	6.5mohm @ 100a, 10v	4V @ 180 µA	139 NC @ 10 V	± 20V	9200 pf @ 50 V	-	214W (TC)
BCR158WH6327XTSA1	-	RFQ	3997	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BCR158				250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA							100NA (ICBO)			PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	200 MHz	2.2 kohms	47 kohms

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²