SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRF3515STRL Infineon Technologies IRF3515Strl -
RFQ
ECAD 2595 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 41a (TC) 10V 45mohm @ 25A, 10V 4.5V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 30V 2260 pf @ 25 V - 200W (TC)
AUIRF7749L2TR Infineon Technologies Auirf7749l2tr 8.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L8 Auirf7749 Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ Isométrico L8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 36A (TA), 345A (TC) 10V 1.5mohm @ 120a, 10V 4V @ 250 µA 275 NC @ 10 V ± 20V 10655 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 341W (TC)
BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR193FH6327XTSA1 0.5400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 BFR193 580MW PG-TSFP-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12.5dB 12V 80mera NPN 70 @ 30mA, 8V 8GHz 1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies IPC60R280E6UNSAWNX6SA1 -
RFQ
ECAD 7251 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto IPC60R - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000857790 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IPU04N03LB G Infineon Technologies Ipu04n03lb g -
RFQ
ECAD 7376 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Ipu04n Mosfet (Óxido de metal) P-to251-3-1 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 50A, 10V 2V @ 70 µA 40 NC @ 5 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 115W (TC)
IPU80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies IPU80R2K0P7AKMA1 1.1100
RFQ
ECAD 4726 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU80R2 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 2ohm @ 940ma, 10v 3.5V @ 50 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 175 pf @ 500 V - 24W (TC)
IRG4IBC30FD Infineon Technologies IRG4IBC30FD -
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 45 W PG-to220-FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4IBC30FD EAR99 8541.29.0095 50 480v, 17a, 23ohm, 15V 42 ns - 600 V 20.3 A 120 A 1.8v @ 15V, 17a 630 µJ (Encendido), 1.39mj (apagado) 51 NC 42NS/230NS
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N10S5L120ATMA1 0.6886
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 46a (TJ) 4.5V, 10V 12mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 27 µA 22.6 NC @ 10 V ± 20V 1589 pf @ 50 V - 62W (TC)
BCR141WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR141WH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR141 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 130 MHz 22 kohms 22 kohms
BCV46E6327HTSA1 Infineon Technologies BCV46E6327HTSA1 0.0820
RFQ
ECAD 6347 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCV46 360 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 200MHz
IPF019N12NM6ATMA1 Infineon Technologies IPF019N12NM6ATMA1 3.5501
RFQ
ECAD 8992 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo IPDQ65 - ROHS3 Cumplante 1,000
PTFA212001F/1 P4 Infineon Technologies PTFA212001F/1 P4 -
RFQ
ECAD 2032 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Descontinuado en sic 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA212001 2.14 GHz Ldmos H-37260-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 40 10 µA 1.6 A 50W 15.8db - 30 V
IRFC240NB Infineon Technologies IRFC240NB -
RFQ
ECAD 1279 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir Mosfet (Óxido de metal) Morir - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 448-IRFC240NB Obsoleto 1 - 200 V - - - - - - -
IRLU8726PBF Infineon Technologies IRLU8726PBF -
RFQ
ECAD 3640 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001573088 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 86a (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 50 µA 23 NC @ 4.5 V ± 20V 2150 pf @ 15 V - 75W (TC)
BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSC060P03NS3EGATMA1 1.2500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC060 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 30 V 17.7a (TA), 100A (TC) 6V, 10V 6mohm @ 50a, 10v 3.1V @ 150 µA 81 NC @ 10 V ± 25V 6020 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
BSC091N03MSCGATMA1 Infineon Technologies BSC091N03MSCGATMA1 0.2700
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 12A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 30a, 10V 2V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
IRFR7746PBF Infineon Technologies IRFR7746PBF -
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001576124 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 75 V 56a (TC) 6V, 10V 11.2mohm @ 35a, 10v 3.7V @ 100 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 3107 pf @ 25 V - 99W (TC)
IQE050N08NM5ATMA1 Infineon Technologies IQE050N08NM5ATMA1 2.7900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Iqe050n Mosfet (Óxido de metal) PG-TSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 16a (TA), 101a (TC) 6V, 10V 5mohm @ 20a, 10v 3.8V @ 49 µA 43.2 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 40 V - 2.5W (TA), 100W (TC)
IRF3711PBF Infineon Technologies Irf3711pbf -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 110A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 3.1W (TA), 120W (TC)
BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies Bsz15dc02kdhxtma1 1.3100
RFQ
ECAD 9356 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ15DC02 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N y p-canal complementario 20V 5.1a, 3.2a 55mohm @ 5.1a, 4.5V 1.4V @ 110 µA 2.8nc @ 4.5V 419pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
BFP 196R E6501 Infineon Technologies BFP 196R E6501 -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BFP 196 700MW PG-SOT-143-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 10.5db ~ 16.5db 12V 150 Ma NPN 70 @ 50mA, 8V 7.5 GHz 1.3db ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPD60R400CEATMA1 Infineon Technologies IPD60R400CEATMA1 -
RFQ
ECAD 2286 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 10.3a (TC) 10V 400mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 300 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 100 V - 83W (TC)
IPP06CN10N G Infineon Technologies IPP06CN10N G -
RFQ
ECAD 5218 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP06C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 100a, 10v 4V @ 180 µA 139 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 50 V - 214W (TC)
IPB230N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB230N06L3GATMA1 -
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB130N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 30A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 11 µA 10 NC @ 4.5 V ± 20V 1600 pf @ 30 V - 36W (TC)
BCR158WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR158WH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR158 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
IRFR120NCTRLPBF Infineon Technologies IRFR120NCTRLPBF -
RFQ
ECAD 1553 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 9.4a (TA) 10V 210mohm @ 5.6a, 10v 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 48W (TC)
IPP100N06S3-04 Infineon Technologies IPP100N06S3-04 -
RFQ
ECAD 9315 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 100A (TC) 10V 4.4mohm @ 80a, 10v 4V @ 150 µA 314 NC @ 10 V ± 20V 14230 pf @ 25 V - 214W (TC)
IPD05N03LA G Infineon Technologies IPD05N03LA G -
RFQ
ECAD 6405 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD05N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5.1mohm @ 30a, 10v 2V @ 50 µA 25 NC @ 5 V ± 20V 3110 pf @ 15 V - 94W (TC)
IPB50R199CP Infineon Technologies IPB50R199CP -
RFQ
ECAD 9067 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1,000 N-canal 500 V 17a (TC) 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 100 V - 139W (TC)
BCR 133L3 E6327 Infineon Technologies BCR 133L3 E6327 -
RFQ
ECAD 9894 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 133 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130 MHz 10 kohms 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock