SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IPP90N06S404AKSA2 Infineon Technologies IPP90N06S404AKSA2 -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP90N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001028750 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 90A (TC) 10V 4mohm @ 90a, 10v 4V @ 90 µA 128 NC @ 10 V ± 20V 10400 pf @ 25 V - 150W (TC)
BFP520FH6327XTSA1 Infineon Technologies Bfp520fh6327xtsa1 0.5600
RFQ
 ECAD 6960 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables BFP520 100MW 4-TSFP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 22.5db 3.5V 40mera NPN 70 @ 20MA, 2V 45 GHz 0.95db @ 1.8Ghz
IRL2203NSTRLPBF Infineon Technologies IRL2203NSTRLPBF -
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 116a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10v 3V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 16V 3290 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 180W (TC)
IRFR9N20DTRPBF Infineon Technologies IRFR9N20DTRPBF -
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 9.4a (TC) 10V 380mohm @ 5.6a, 10V 5.5V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 560 pf @ 25 V - 86W (TC)
AUIRFS8409-7P Infineon Technologies Auirfs8409-7p 13.0100
RFQ
 ECAD 908 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Auirf8409 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 240a (TC) 10V 0.75mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250 µA 460 NC @ 10 V ± 20V 13975 pf @ 25 V - 375W (TC)
BCR 192 B6327 Infineon Technologies BCR 192 B6327 -
RFQ
 ECAD 5333 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 192 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
BSP61E6327HTSA1 Infineon Technologies BSP61E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5055 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP61 1.5 W PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 A 10 µA PNP - Darlington 1.8v @ 1 MMA, 1A 2000 @ 500mA, 10V 200MHz
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ070N08LS5ATMA1 1.6400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ070 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 40A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 36 µA 5 NC @ 4.5 V ± 20V 2340 pf @ 40 V Estándar 69W (TC)
IPB08CN10N G Infineon Technologies IPB08CN10N G -
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB08C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 95A (TC) 10V 8.2mohm @ 95a, 10v 4V @ 130 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 6660 pf @ 50 V - 167W (TC)
IRF6616 Infineon Technologies IRF6616 -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP001530696 EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 19a (TA), 106a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10v 2.25V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 3765 pf @ 20 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRFB33N15DPBF Infineon Technologies IRFB33N15DPBF -
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 56mohm @ 20a, 10v 5.5V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 30V 2020 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 170W (TC)
IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies IGW25T120FKSA1 5.9300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IGW25T120 Estándar 190 W PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25a, 22ohm, 15V NPT, Parada de Campo de Trinchegras 1200 V 50 A 75 A 2.2V @ 15V, 25A 4.2mj 155 NC 50NS/560NS
BCR583E6327 Infineon Technologies BCR583E6327 0.0700
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR583 330 MW PG-SOT23-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 4,418 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 150 MHz 10 kohms 10 kohms
IRG4PC30UPBF Infineon Technologies IRG4PC30UPBF -
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG4PC30 Estándar 100 W To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.1V @ 15V, 12A 160 µJ (Encendido), 200 µJ (apaguado) 50 NC 17ns/78ns
IPW60R060C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R060C7XKSA1 10.8500
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R060 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001385020 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 35A (TC) 10V 60mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 400 V - 162W (TC)
IRF6626TR1 Infineon Technologies IRF6626TR1 -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ isométrico st Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ st descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 16a (TA), 72a (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 16a, 10v 2.35V @ 250 µA 29 NC @ 4.5 V ± 20V 2380 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRL8113L Infineon Technologies IRL8113L -
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL8113L EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 105A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 20V 2840 pf @ 15 V - 110W (TC)
IRF2807ZLPBF Infineon Technologies IRF2807ZLPBF -
RFQ
 ECAD 6876 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 75A (TC) 10V 9.4mohm @ 53a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3270 pf @ 25 V - 170W (TC)
IPP093N06N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP093N06N3GHKSA1 -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP093N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000398048 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 9.3mohm @ 50A, 10V 4V @ 34 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 30 V - 71W (TC)
IRF9520NSTRR Infineon Technologies Irf9520nstrr -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 100 V 6.8a (TC) 10V 480mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
IRFS3207TRLPBF Infineon Technologies IRFS3207TRLPBF 4.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS3207 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 170A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 50 V - 300W (TC)
IRFSL4010PBF Infineon Technologies IRFSL4010PBF 3.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL4010 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 4.7mohm @ 106a, 10v 4V @ 250 µA 215 NC @ 10 V ± 20V 9575 pf @ 50 V - 375W (TC)
IRF2204PBF Infineon Technologies IRF2204PBF 2.9800
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF2204 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 210A (TC) 10V 3.6mohm @ 130a, 10V 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 5890 pf @ 25 V - 330W (TC)
BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1 0.4000
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR193 580MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 10dB ~ 15dB 12V 80mera NPN 70 @ 30mA, 8V 8GHz 1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRFR3103TRL Infineon Technologies IRFR3103TRL -
RFQ
 ECAD 4564 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 400 V 1.7a (TA) 10V 3.6ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 170 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R057M1HXKSA1 13.8000
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IMW65R Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 35A (TC) 18V 74mohm @ 16.7a, 18V 5.7V @ 5MA 28 NC @ 18 V +20V, -2V 930 pf @ 400 V - 133W (TC)
BC 818K-25 E6327 Infineon Technologies BC 818K-25 E6327 -
RFQ
 ECAD 7385 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC 818 500 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 170MHz
2PS24017E3CE32778NWSA1 Infineon Technologies 2PS24017E3CE32778NWSA1 -
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Alcanzar sin afectado 448-2PS24017E3CE32778NWSA1 EAR99 8541.29.0095 1
FZ1400R33HE4BPSA1 Infineon Technologies FZ1400R33HE4BPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 5934 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ1400 Rectificador de Puente de Una Sola Fase Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 3300 V 1400 A 2.3V @ 15V, 1400A (typ) 5 Ma No 187 nf @ 25 V
IPP60R160C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R160C6XKSA1 4.5000
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R160 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 23.8a (TC) 10V 160mohm @ 11.3a, 10V 3.5V @ 750 µA 75 NC @ 10 V ± 20V 1660 pf @ 100 V - 176W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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