SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IRL540NL Infineon Technologies IRL540NL -
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL540NL EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 36A (TC) 4V, 10V 44mohm @ 18a, 10v 2V @ 250 µA 74 NC @ 5 V ± 16V 1800 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 140W (TC)
IRFZ44VZSPBF Infineon Technologies IRFZ44VZSPBF 1.1439
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Irfz44 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 57a (TC) 10V 12mohm @ 34a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 92W (TC)
BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1 0.4000
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR193 580MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 10dB ~ 15dB 12V 80mera NPN 70 @ 30mA, 8V 8GHz 1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRG4PC30UPBF Infineon Technologies IRG4PC30UPBF -
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG4PC30 Estándar 100 W To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.1V @ 15V, 12A 160 µJ (Encendido), 200 µJ (apaguado) 50 NC 17ns/78ns
BCX5416H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5416H6327XTSA1 0.1920
RFQ
 ECAD 4134 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX5416 2 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
ISC0803NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0803NLSATMA1 1.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC0803N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 8.8a (TA), 37a (TC) 4.5V, 10V 16.9mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 18 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 43W (TC)
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6N050HATMA1 1.6000
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IAUC60 Mosfet (Óxido de metal) 52W (TC) PG-TDSON-8-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canales N (Medio Puente) 40V 60A (TJ) 5mohm @ 30a, 10v 3V @ 13µA 17NC @ 10V 1027pf @ 25V -
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies AIKW50N65RF5XKSA1 12.0100
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 AIKW50 Estándar 250 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 310 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) 109 NC 20ns/156ns
IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD029N04NF2SATMA1 1.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD029 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IPD029N04NF2SATMA1CT EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 24a (TA), 131a (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 70a, 10v 3.4V @ 53 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 20 V - 3W (TA), 107W (TC)
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA1 -
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 Infineon Technologies Coolgan ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-LDFN PADS exposición IGLD60 Mosfet (Óxido de metal) PG-LSON-8-1 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 10a (TC) - - 1.6V @ 960 µA -10V 157 pf @ 400 V - 62.5W (TC)
P3000ZL45X168HPSA1 Infineon Technologies P3000ZL45X168HPSA1 10.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Un 200af P3000Z Estándar BG-P16826K-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Zanja 4500 V 3000 A 2.5V @ 15V, 3000A 200 µA No 620 NF @ 25 V
IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies IKD15N60RFATMA1 2.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IKD15N Estándar 250 W PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 15a, 15ohm, 15V 74 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 30 A 45 A 2.5V @ 15V, 15a 270 µJ (Encendido), 250 µJ (apaguado) 90 NC 13ns/160ns
AUXHMF7321D2 Infineon Technologies Auxhmf7321d2 -
RFQ
 ECAD 2222 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 30 V 4.7a (TA) 4.5V, 10V 62mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 710 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 2W (TA)
196WH6327 Infineon Technologies 196WH6327 -
RFQ
 ECAD 7191 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
FP50R12N2T4B16BPSA1 Infineon Technologies FP50R12N2T4B16BPSA1 183.9200
RFQ
 ECAD 2047 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15
PTFA212001EV4R0XTMA1 Infineon Technologies PTFA212001EV4R0XTMA1 -
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas 2.11GHz ~ 2.17GHz Ldmos H-36260-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001422974 EAR99 8541.29.0095 50 10 µA 1.6 A 200W 15.8db - 30 V
IRFS3207TRLPBF Infineon Technologies IRFS3207TRLPBF 4.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS3207 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 170A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 50 V - 300W (TC)
IPW60R060C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R060C7XKSA1 10.8500
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R060 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001385020 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 35A (TC) 10V 60mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 400 V - 162W (TC)
BDP947E6327HTSA1 Infineon Technologies Bdp947e6327htsa1 -
RFQ
 ECAD 3443 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BDP947 5 W PG-SOT223-4-10 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200MA, 2a 100 @ 500 mA, 1V 100MHz
IRLR3410PBF Infineon Technologies IRLR3410PBF -
RFQ
 ECAD 3715 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 17a (TC) 4V, 10V 105mohm @ 10a, 10v 2V @ 250 µA 34 NC @ 5 V ± 16V 800 pf @ 25 V - 79W (TC)
IRF6626TR1 Infineon Technologies IRF6626TR1 -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ isométrico st Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ st descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 16a (TA), 72a (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 16a, 10v 2.35V @ 250 µA 29 NC @ 4.5 V ± 20V 2380 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRF6646TR1PBF Infineon Technologies IRF6646TR1PBF -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MN Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mn descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 12A (TA), 68A (TC) 10V 9.5mohm @ 12a, 10v 4.9V @ 150 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2060 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPB80N06S2H5ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2H5ATMA1 -
RFQ
 ECAD 1711 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 5.2mohm @ 80a, 10v 4V @ 230 µA 155 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRLC8256ED Infineon Technologies IRLC8256ED -
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001567150 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IRG4PSH71U Infineon Technologies IRG4PSH71U -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 274AA Estándar 350 W Super-247 ™ (TO74AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4PSH71U EAR99 8541.29.0095 25 960V, 70a, 5ohm, 15V - 1200 V 99 A 200 A 2.7V @ 15V, 70a 4.77MJ (Encendido), 9.54mj (apagado) 370 NC 51ns/280ns
SI4420DYTR Infineon Technologies Si4420dytr -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10v 1V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 20V 2240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies DF160R12W2H3FB11BPSA1 125.8700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo DF160R12 20 MW Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 40 A 1.7v @ 15V, 20a 1 MA Si 2.35 NF @ 25 V
IRF9321PBF Infineon Technologies IRF9321PBF -
RFQ
 ECAD 8428 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001551656 EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 30 V 15a (TA) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10v 2.4V @ 50 µA 98 NC @ 10 V ± 20V 2590 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRL3715ZLPBF Infineon Technologies IRL3715ZLPBF -
RFQ
 ECAD 8559 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 45W (TC)
IRF8721TRPBF Infineon Technologies IRF8721TRPBF 0.7200
RFQ
 ECAD 4994 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF8721 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10v 2.35V @ 25 µA 12 NC @ 4.5 V ± 20V 1040 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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