SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IPS075N03LGAKMA1 Infineon Technologies IPS075N03LGAKMA1 -
RFQ
 ECAD 4752 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 15 V - 47W (TC)
IRF7307PBF Infineon Technologies IRF7307PBF -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF73 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001559776 EAR99 8541.29.0095 95 Vecino del canal 20V 5.2a, 4.3a 50mohm @ 2.6a, 4.5V 700mv @ 250 µA 20NC @ 4.5V 660pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IGP10N60TATMA1 Infineon Technologies IGP10N60TATMA1 -
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 110 W PG-TO20-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 400V, 10a, 23ohm, 15V NPT, Parada de Campo de Trinchegras 600 V 24 A 30 A 2.05V @ 15V, 10a 160 µJ (Encendido), 270 µJ (apaguado) 62 NC 12ns/215ns
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies AIKW50N60CTXKSA1 10.2500
RFQ
 ECAD 9147 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 AIKW50 Estándar 333 W PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 7ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 150 A 2V @ 15V, 50A 1.2mj (Encendido), 1.4mj (apaguado) 310 NC 26ns/299ns
IKW50N120CS7XKSA1 Infineon Technologies IKW50N120CS7XKSA1 11.4200
RFQ
 ECAD 890 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikw50n Estándar 428 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 50A, 2.3OHM, 15V 165 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 82 A 150 A 2V @ 15V, 50A 2.8MJ (Encendido), 2.2MJ (apaguado) 290 NC 29ns/170ns
IRF1010EZSTRLP Infineon Technologies IRF1010EZSTRLP 1.7200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF1010 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10v 4V @ 100 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRFH7934TR2PBF Infineon Technologies IRFH7934TR2PBF -
RFQ
 ECAD 2412 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 24a (TA), 76A (TC) 3.5mohm @ 24a, 10v 2.35V @ 50 µA 30 NC @ 4.5 V 3100 pf @ 15 V -
FS600R07A2E3B31BOSA1 Infineon Technologies FS600R07A2E3B31BOSA1 -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Obsoleto FS600R07 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3
IRF7342QTRPBF Infineon Technologies IRF7342QTRPBF -
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF734 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10v 1V @ 250 µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRLU2705 Infineon Technologies IRLU2705 -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLU2705 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 28a (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10v 2V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
IRF3711ZCSTRRP Infineon Technologies IRF3711ZCSTRP -
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 92a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 20V 2150 pf @ 10 V - 79W (TC)
IRFZ44ZS Infineon Technologies Irfz44zs -
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfz44zs EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 51a (TC) 10V 13.9mohm @ 31a, 10v 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1420 pf @ 25 V - 80W (TC)
IRGS10B60KDPBF Infineon Technologies IRGS10B60KDPBF -
RFQ
 ECAD 1817 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRGS10 Estándar 156 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 10a, 47ohm, 15V 90 ns Escrutinio 600 V 22 A 44 A 2.2V @ 15V, 10a 140 µJ (Encendido), 250 µJ (apaguado) 38 NC 30ns/230ns
FF300R17ME4PBPSA1 Infineon Technologies FF300R17ME4PBPSA1 283.2550
RFQ
 ECAD 6509 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF300R17 20 MW Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1700 V 600 A 2.3V @ 15V, 300A 3 MA Si 24.5 NF @ 25 V
IRF6603TR1 Infineon Technologies IRF6603TR1 -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico Mt Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mt descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP001531594 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 27a (TA), 92a (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 25A, 10V 2.5V @ 250 µA 72 NC @ 4.5 V +20V, -12V 6590 pf @ 15 V - 3.6W (TA), 42W (TC)
IRLR2905CPBF Infineon Technologies IRLR2905CPBF -
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 36A (TA) - - - -
IRL1404LPBF Infineon Technologies IRL1404LPBF -
RFQ
 ECAD 5088 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10v 3V @ 250 µA 140 NC @ 5 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRL3103D1S Infineon Technologies IRL3103D1S -
RFQ
 ECAD 1794 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3103D1S EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 34a, 10v 1V @ 250 µA 43 NC @ 4.5 V ± 16V 1900 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 89W (TC)
IRFU5305 Infineon Technologies IRFU5305 -
RFQ
 ECAD 6024 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFU5305 EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 55 V 31a (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 110W (TC)
FP50R12N2T4B86BPSA1 Infineon Technologies FP50R12N2T4B86BPSA1 236.2673
RFQ
 ECAD 3363 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15
IRFR48ZTRPBF Infineon Technologies IRFR48ZTRPBF 1.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR48 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 42a (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10v 4V @ 50 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1720 pf @ 25 V - 91W (TC)
FS150R12N2T7BPSA2 Infineon Technologies FS150R12N2T7BPSA2 248.6053
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS150R12 20 MW Estándar Ag-Econo2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 150 A 1.8v @ 15V, 150a 1.2 µA Si 30.1 NF @ 25 V
IRFS23N20D Infineon Technologies IRFS23N20D -
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFS23N20D EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 24a (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10v 5.5V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1960 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 170W (TC)
IRF7831TRPBF Infineon Technologies IRF7831TRPBF 1.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7831 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 12V 6240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
SPD100N03S2L04T Infineon Technologies SPD100N03S2L04T -
RFQ
 ECAD 9082 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-5, DPAK (4 cables + Pestaña), TO-252Ad SPD100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-5-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000013966 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 50A, 10V 2V @ 100 µA 89.7 NC @ 10 V ± 20V 3320 pf @ 25 V - 150W (TC)
BSS138N-E6327 Infineon Technologies BSS138N-E6327 -
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 230 mA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 230 mm, 10V 1.4V @ 250 µA 1.4 NC @ 10 V ± 20V 41 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies IPD80R1K4P7ATMA1 1.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD80R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 3.5V @ 700 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 500 V - 32W (TC)
IRFR1205TRPBF Infineon Technologies IRFR1205TRPBF 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR1205 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 44a (TC) 10V 27mohm @ 26a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 107W (TC)
IPD055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD055N08NF2SATMA1 1.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 17A (TA), 98A (TC) 6V, 10V 5.5mohm @ 60a, 10v 3.8V @ 55 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 40 V - 3W (TA), 107W (TC)
BFP720ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Bfp720esdh6327xtsa1 0.7100
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP720 100MW PG-SOT343-4-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 11dB ~ 30.5dB 4.7V 30mera NPN 160 @ 15 Ma, 3V 43GHz 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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