SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 0.6200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP88H6327 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 240 V 350MA (TA) 2.8V, 10V 6ohm @ 350mA, 10V 1.4V @ 108 µA 6.8 NC @ 10 V ± 20V 95 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
AUIRF2804L-313TRL Infineon Technologies AuIRF2804L-313TRL -
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 195a (TC) 10V 2.3mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 6450 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRL1404SPBF Infineon Technologies IRL1404SPBF -
RFQ
 ECAD 9563 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10v 3V @ 250 µA 140 NC @ 5 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPP60R074C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R074C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 2606 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 57.7a (TC) 10V 74mohm @ 21a, 10v 3.5V @ 1.4MA 138 NC @ 10 V ± 20V 3020 pf @ 100 V - 480.8W (TC)
IRL40B209 Infineon Technologies IRL40B209 -
RFQ
 ECAD 7737 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL40B209 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001576458 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 195a (TC) 4.5V, 10V 1.25mohm @ 100a, 10v 2.4V @ 250 µA 270 NC @ 4.5 V ± 20V 15140 pf @ 25 V - 375W (TC)
F3L300R12MT4B22BOSA1 Infineon Technologies F3L300R12MT4B22BOSA1 284.5850
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo F3L300 1550 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 450 A 2.1V @ 15V, 300A 1 MA Si 19 NF @ 25 V
IP165R660CFD Infineon Technologies IP165R660CFD 0.5600
RFQ
 ECAD 7905 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 500
IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R060CFD7XKSA1 9.2300
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R060 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 36A (TC) 10V 60mohm @ 16.4a, 10V 4.5V @ 860 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 3288 pf @ 400 V - 171W (TC)
PTFA070601FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA070601FV4R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 8978 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA070601 760MHz Ldmos H-37265-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 600 mA 60W 19.5dB - 28 V
FP35R12N2T7B11BPSA2 Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2 123.6900
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPIM ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP35R12 20 MW Rectificador de Puente Trifásico Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 35 A 1.6v @ 15V, 35a 7 µA Si 6.62 NF @ 25 V
SPB100N08S2L-07 Infineon Technologies SPB100N08S2L-07 -
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 68a, 10v 2V @ 250 µA 246 NC @ 10 V ± 20V 7130 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRF7306TRPBF Infineon Technologies IRF7306TRPBF 1.1200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF73 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 30V 3.6a 100mohm @ 1.8a, 10V 1V @ 250 µA 25nc @ 10V 440pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies IPN80R4K5P7ATMA1 0.8300
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN80R4 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 800 V 1.5a (TC) 10V 4.5ohm @ 400 mA, 10V 3.5V @ 20 µA 4 NC @ 10 V ± 20V 80 pf @ 500 V - 6W (TC)
AUIRFZ24NS Infineon Technologies Auirfz24ns -
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfz24 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
IRFB4310GPBF Infineon Technologies IRFB4310GPBF -
RFQ
 ECAD 3919 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001564018 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 130A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 250 nc @ 10 V ± 20V 7670 pf @ 50 V - 300W (TC)
BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC027N04LSGATMA1 1.5800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC027 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 24a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 50A, 10V 2V @ 49 µA 85 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
IRF6216PBF Infineon Technologies IRF6216PBF -
RFQ
 ECAD 2909 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF6216 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 150 V 2.2a (TA) 10V 240mohm @ 1.3a, 10V 5V @ 250 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 1280 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPA65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA2 4.0800
RFQ
 ECAD 461 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 17.5a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 4.5V @ 700 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 100 V - 34W (TC)
F575R06KE3B5BOSA1 Infineon Technologies F575R06KE3B5BOSA1 -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 3 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo F575R06 250 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 600 V 75 A 1.9V @ 15V, 75a 1 MA Si 4.6 NF @ 25 V
DF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies DF1000R17IE4BOSA1 710.6400
RFQ
 ECAD 1196 0.00000000 Infineon Technologies Primepack ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo DF1000 6250 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Soltero - 1700 V 2.45V @ 15V, 1000A 5 Ma Si 81 NF @ 25 V
SIGC28T60EX1SA4 Infineon Technologies SIGC28T60EX1SA4 -
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC28 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 50 A 150 A 1.85V @ 15V, 50A - -
AUIRFS4127TRL Infineon Technologies Auirfs4127trl 4.4729
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirfs4127 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001518830 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 72a (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 5380 pf @ 50 V - 375W (TC)
FS75R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies FS75R12W2T4PBPSA1 80.8150
RFQ
 ECAD 8078 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS75R12 375 W Estándar Ag-Easy2b - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 18 Inversor de puente entero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 107 A 2.15V @ 15V, 75a 1 MA Si 4.3 NF @ 25 V
AUIRGP66524D0 Infineon Technologies Auirgp66524d0 -
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Auirgp66524 Estándar 214 W To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 400V, 24a, 10ohm, 15V 176 ns - 600 V 60 A 72 A 1.9V @ 15V, 24a 915 µJ (Encendido), 280 µJ (apagado) 80 NC 30ns/75ns
SPS04N60C3E8177AKMA1 Infineon Technologies SPS04N60C3E8177AKMA1 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-SPS04N60C3E8177AKMA1-448 1
AUIRFP4409 Infineon Technologies Auirfp4409 -
RFQ
 ECAD 9837 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Auirfp4409 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001518024 EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 300 V 38a (TC) 10V 69mohm @ 24a, 10v 5V @ 250 µA 125 NC @ 10 V ± 20V 5168 pf @ 50 V - 341W (TC)
FZ1500R33HE3S6BOSA1 Infineon Technologies FZ1500R33HE3S6BOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 4323 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ1500 2400000 W Estándar AG-IHVB190 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Interruptor Único Parada de Campo de Trinchera 3300 V 1500 A 3.1V @ 15V, 1.5ka 5 Ma No 280 NF @ 25 V
IRF7811WTRPBF Infineon Technologies IRF7811WTRPBF -
RFQ
 ECAD 4187 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V 12mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 33 NC @ 5 V ± 12V 2335 pf @ 16 V - 3.1W (TA)
BCR 153T E6327 Infineon Technologies BCR 153T E6327 -
RFQ
 ECAD 2784 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 153 250 MW PG-SC75-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 1 MMA, 20 mm 20 @ 20MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
IRFP3306PBF Infineon Technologies Irfp3306pbf 3.3500
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP3306 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 4.2mohm @ 75a, 10v 4V @ 150 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 4520 pf @ 50 V - 220W (TC)
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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