SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRG4BC30WPBF Infineon Technologies IRG4BC30WPBF -
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 100 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.7V @ 15V, 12A 130 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) 51 NC 25ns/99ns
SIGC15T60EX1SA4 Infineon Technologies SIGC15T60EX1SA4 -
RFQ
 ECAD 1494 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC15 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 30 A 90 A 1.9V @ 15V, 30a - -
BFP405E6433HTMA1 Infineon Technologies Bfp405e6433htma1 -
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP405 75MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 23dB 5V 25 Ma NPN 60 @ 5 MMA, 4V 25 GHz 1.25db @ 1.8Ghz
BFS17SE6327HTSA1 Infineon Technologies BFS17SE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BFS17 280MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 25 Ma 2 NPN (dual) 40 @ 2mA, 1V 1.4GHz 3DB ~ 5DB @ 800MHz
BFQ790H6327XTSA1 Infineon Technologies Bfq790h6327xtsa1 2.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-243AA BFQ790 1.5w PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 17dB 6.1V 300mA NPN 60 @ 250mA, 5V 1.85 GHz 2.6db @ 1.8ghz
IPD65R250E6XTMA1 Infineon Technologies IPD65R250E6XTMA1 -
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ E6 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 16.1a (TC) 10V 250mohm @ 4.4a, 10V 3.5V @ 400 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 1000 V - 208W (TC)
IRFZ44ESTRLPBF Infineon Technologies Irfz44estrlpbf 1.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Irfz44 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 48a (TC) 10V 23mohm @ 29a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1360 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRG8CH20K10F Infineon Technologies IRG8CH20K10F -
RFQ
 ECAD 3064 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Irg8ch Estándar Morir descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado SP001549654 Obsoleto 0000.00.0000 1 600V, 15a, 10ohm, 15V - 1200 V 2V @ 15V, 15a - 90 NC 20ns/170ns
DD800S17K3B2NOSA1 Infineon Technologies DD800S17K3B2NOSA1 842.7200
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-DD800S17K3B2NOSA1-448 1
IRFU540ZPBF Infineon Technologies IRFU540ZPBF -
RFQ
 ECAD 3549 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 35A (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10v 4V @ 50 µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 91W (TC)
BSC072N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1 -
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn BSC072N03 Mosfet (Óxido de metal) 57W PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 30V 11.5a 7.2mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 41NC @ 10V 3500pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IPS50R520CP Infineon Technologies IPS50R520CP -
RFQ
 ECAD 7830 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak IPS50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 550 V 7.1a (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 100 V - 66W (TC)
IPP60R210CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R210CFD7XKSA1 3.2700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R210 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 210mohm @ 4.9a, 10v 4.5V @ 240 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1015 pf @ 400 V - 64W (TC)
SPB04N50C3ATMA1 Infineon Technologies SPB04N50C3ATMA1 -
RFQ
 ECAD 1979 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB04N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 560 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 470 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRF3707STRR Infineon Technologies IRF3707Strr -
RFQ
 ECAD 2455 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 62a (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1990 pf @ 15 V - 87W (TC)
IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S208ATMA2 -
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 7.7mohm @ 58a, 10v 4V @ 150 µA 96 NC @ 10 V ± 20V 2860 pf @ 25 V - 215W (TC)
SMBTA06UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies SmbTA06UPNE6327HTSA1 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 SMBTA 06 330MW PG-SC74-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80V 500mA 100na NPN, PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies IRFR6215TRLPBF 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR6215 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 150 V 13a (TC) 10V 295mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 110W (TC)
IPP80CN10NGHKSA1 Infineon Technologies IPP80CN10NGHKSA1 -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 13a (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10v 4V @ 12 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 716 pf @ 50 V - 31W (TC)
IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies Imza65r083m1hxksa1 11.9000
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 26a (TC) 18V 111mohm @ 11.2a, 18V 5.7V @ 3.3MA 19 NC @ 18 V +20V, -2V 624 pf @ 400 V - 104W (TC)
IPI120N06S402AKSA2 Infineon Technologies IPI120N06S402AKSA2 2.3590
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10v 4V @ 140 µA 195 NC @ 10 V ± 20V 15750 pf @ 25 V - 188W (TC)
BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies Bsm100gd120dlcbosa1 332.1020
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo BSM100 Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 10 Soltero Escrutinio 1200 V 100 A 2.6V @ 15V, 100A 12.2 µA No 6.5 NF @ 25 V
IRF3706S Infineon Technologies IRF3706S -
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3706S EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 77a (TC) 2.8V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IPB90R340C3ATMA1 Infineon Technologies IPB90R340C3ATMA1 -
RFQ
 ECAD 3542 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB90R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 15A (TC) 10V 340mohm @ 9.2a, 10v 3.5V @ 1MA 94 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 100 V - 208W (TC)
IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies IPB65R310CFDAATMA1 3.4900
RFQ
 ECAD 992 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R310 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 11.4a (TC) 10V 310mohm @ 4.4a, 10V 4.5V @ 440 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1110 pf @ 100 V - 104.2W (TC)
IRG4PC50UD-EPBF Infineon Technologies IRG4PC50UD-EPBF -
RFQ
 ECAD 6292 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG4PC50 Estándar 200 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 480V, 27a, 5ohm, 15V 50 ns - 600 V 55 A 220 A 2V @ 15V, 27A 990 µJ (Encendido), 590 µJ (apaguado) 180 NC 46ns/140ns
BCR 135F E6327 Infineon Technologies BCR 135F E6327 -
RFQ
 ECAD 6091 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-723 BCR 135 250 MW PG-TSFP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 kohms 47 kohms
IRF7331TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7331TRPBF-1 -
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF733 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001555168 EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 20V 7a (TA) 30mohm @ 7a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16V -
IPP045N10N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP045N10N3GHKSA1 -
RFQ
 ECAD 7501 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP045N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000457560 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 150 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
IRFSL3006PBF Infineon Technologies IRFSL3006PBF 6.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL3006 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 195a (TC) 10V 2.5mohm @ 170a, 10V 4V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 8970 pf @ 50 V - 375W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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