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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IPB80N06S207ATMA1	-	RFQ	7895	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						55 V	80a (TC)	10V	6.3mohm @ 68a, 10v	4V @ 180 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3400 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IRFR024NTRLPBF	1.0200	RFQ	5	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR024			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						55 V	17a (TC)	10V	75mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	370 pf @ 25 V	-	45W (TC)
FF800R12KE7EHPSA1	355.7000	RFQ	4	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo						Estándar	AG-62 MMHB	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor de Medio Puente																			Parada de Campo de Trinchera	1200 V	800 A		1.75V @ 15V, 800A					100 µA	No	122 NF @ 25 V
ISC037N12NM6ATMA1	4.9500	RFQ	2316	Infineon Technologies	Optimos ™ 6	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	ISC037			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8 FL	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						120 V	19.2a (TA), 163A (TC)	8V, 10V	3.7mohm @ 50A, 10V	3.6V @ 111 µA	58 NC @ 10 V	± 20V	4300 pf @ 60 V	-	3W (TA), 214W (TC)
FS75R12KE3BPSA1	143.2800	RFQ	4271	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS75R12				350 W	Estándar	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor de puente entero																			-	1200 V	105 A		2.15V @ 15V, 75a					5 Ma	Si	5.3 NF @ 25 V
IRFR3709Z	-	RFQ	5610	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						30 V	86a (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 15a, 10v	2.25V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 20V	2330 pf @ 15 V	-	79W (TC)
IPP50R250CPXKSA1	1.8880	RFQ	4408	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP50R250			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						500 V	13a (TC)	10V	250mohm @ 7.8a, 10v	3.5V @ 520 µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1420 pf @ 100 V	-	114W (TC)
IRL3715TR	-	RFQ	8766	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)
IPB80N06S2L06ATMA1	-	RFQ	1493	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						55 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 69a, 10v	2V @ 180 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	3800 pf @ 25 V	-	250W (TC)
Auirf7478qtr	-	RFQ	5248	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001522778	EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						60 V	7a (TA)	4.5V, 10V	26mohm @ 4.2a, 10V	3V @ 250 µA	31 NC @ 4.5 V	± 20V	1740 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
SPD04N60S5BTMA1	-	RFQ	6862	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD04N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000313946	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						600 V	4.5A (TC)	10V	950mohm @ 2.8a, 10V	5.5V @ 200 µA	22.9 NC @ 10 V	± 20V	580 pf @ 25 V	-	50W (TC)
BSL716SNH6327XTSA1	-	RFQ	8200	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSOP6-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						75 V	2.5a (TA)	4.5V, 10V	150mohm @ 2.5a, 10v	1.8V @ 218 µA	13.1 NC @ 10 V	± 20V	315 pf @ 25 V	-	2W (TA)
FP10R06W1E3B11BOMA1	39.4800	RFQ	24	Infineon Technologies	EasyPim ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FP10R06				68 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	24	Inversor trifásico																			Parada de Campo de Trinchera	600 V	16 A		2V @ 15V, 10a					1 MA	Si	550 pf @ 25 V
Irf9520nstrl	-	RFQ	4603	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P						100 V	6.8a (TC)	10V	480mohm @ 4a, 10v	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 48W (TC)
IRF6635TRPBF	-	RFQ	7644	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX				Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal						30 V	32A (TA), 180A (TC)	4.5V, 10V	1.8mohm @ 32a, 10v	2.35V @ 250 µA	71 NC @ 4.5 V	± 20V	5970 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IPB47N10SL26ATMA1	-	RFQ	2155	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB47N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						100 V	47a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 33a, 10v	2V @ 2mA	135 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 25 V	-	175W (TC)
IKY100N120CH7XKSA1	16.4200	RFQ	190	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	IKY100N120	Estándar			721 W		PG-TO247-4-U10	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30				-															99 ns	Parada de Campo de Trinchera	1200 V	212 A	400 A	2.15V @ 15V, 100A	2.37MJ (Encendido), 2.65mj (apaguado)	714 NC	44ns/359ns
Auirfr3504ztrl	1.1429	RFQ	9665	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Auirfr3504			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001516690	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						40 V	42a (TC)		9mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	45 NC @ 10 V		1510 pf @ 25 V	-	90W (TC)
PTFA092201FV4XWSA1	-	RFQ	7866	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA092201		960MHz	Ldmos			H-37260-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40			10 µA		1.85 A	220W	18.5dB											-										30 V
IRFR3711TR	-	RFQ	3650	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						20 V	100A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 20V	2980 pf @ 10 V	-	2.5W (TA), 120W (TC)
IRLR8103TR	-	RFQ	2710	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						30 V	89A (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 15a, 10v	2V @ 250 µA (min)	50 NC @ 5 V	± 20V		-	89W (TC)
FF4MR12W2M1HB11BPSA1	263.3300	RFQ	1912	Infineon Technologies	Coolsic ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FF4MR12			CARBURO DE SILICIO (SIC)	20MW		Módulo	-	ROHS3 Cumplante			448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1	EAR99	8542.39.0001	15	2 Canales N (Medio Puente)							1200V	170A (TJ)		4mohm @ 200a, 18V	5.15V @ 80mA	594nc @ 18V		17600pf @ 800V	CARBURO DE SILICIO (SIC)
IRF5800TRPBF	-	RFQ	3140	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6				Mosfet (Óxido de metal)			Micro6 ™ (TSOP-6)	descascar		2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P						30 V	4A (TA)	4.5V, 10V	85mohm @ 4a, 10v	1V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	535 pf @ 25 V	-	2W (TA)
IPD03N03LA G	1.4900	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD03N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						25 V	90A (TC)	4.5V, 10V	3.2mohm @ 60a, 10V	2V @ 70 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	5200 pf @ 15 V	-	115W (TC)
IST011N06NM5AUMA1	6.2100	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	5-Powersfn	Ist011n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOF-5-1	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						60 V	38a (TA), 399A (TC)	6V, 10V	1.1mohm @ 100a, 10v	3.3V @ 148 µA	154 NC @ 10 V	± 20V	8100 pf @ 30 V	-	3.8W (TA), 313W (TC)
IRF5810TRPBF	-	RFQ	9604	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	IRF58			Mosfet (Óxido de metal)	960MW		6-TSOP	descascar		2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)							20V	2.9a		90mohm @ 2.9a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	9.6nc @ 4.5V		650pf @ 16V	Puerta de Nivel Lógico
IRG4BC20K-SPBF	-	RFQ	9492	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar			60 W		D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001549338	EAR99	8541.29.0095	50				480V, 9a, 50ohm, 15V																-	600 V	16 A	32 A	2.8V @ 15V, 9a	150 µJ (Encendido), 250 µJ (apaguado)	34 NC	28ns/150ns
BSF134N10NJ3GXUMA1	2.3000	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson	BSF134			Mosfet (Óxido de metal)			MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						100 V	9a (TA), 40a (TC)	6V, 10V	13.4mohm @ 30a, 10v	3.5V @ 40 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	2300 pf @ 50 V	-	2.2W (TA), 43W (TC)
IPDD60R102G7XTMA1	6.8200	RFQ	9520	Infineon Technologies	CoolMos ™ G7	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 10-PowerSop	IPDD60			Mosfet (Óxido de metal)			PG-HDSOP-10-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.700		N-canal						600 V	23a (TC)	10V	102mohm @ 7.8a, 10v	4V @ 390 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1320 pf @ 400 V	-	139W (TC)
IRF7807	-	RFQ	6596	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal						30 V	8.3a (TA)	4.5V	25mohm @ 7a, 4.5V	1V @ 250 µA	17 NC @ 5 V	± 12V		-	2.5W (TA)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²