SIC
close

Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRF6635TRPBF Infineon Technologies IRF6635TRPBF -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 32a, 10v 2.35V @ 250 µA 71 NC @ 4.5 V ± 20V 5970 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRF6636 Infineon Technologies IRF6636 -
RFQ
 ECAD 1093 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ isométrico st Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ st descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 20 V 18a (TA), 81a (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 18a, 10v 2.45V @ 250 µA 27 NC @ 4.5 V ± 20V 2420 pf @ 10 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BCP 51-16 H6778 Infineon Technologies BCP 51-16 H6778 -
RFQ
 ECAD 7634 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-143r BCP 51 2 W PG-SOT-143R-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
IPU10N03LA Infineon Technologies IPU10N03LA -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU10N Mosfet (Óxido de metal) P-to251-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000014984 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 V 30A (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 11 NC @ 5 V ± 20V 1358 pf @ 15 V - 52W (TC)
IGQ75N120S7XKSA1 Infineon Technologies IGQ75N120S7XKSA1 12.2600
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30
IRF7700TRPBF Infineon Technologies IRF7700TRPBF -
RFQ
 ECAD 2913 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 8.6a (TC) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 89 NC @ 5 V ± 12V 4300 pf @ 15 V - 1.5W (TC)
BCR 191F E6327 Infineon Technologies BCR 191F E6327 -
RFQ
 ECAD 1536 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-723 BCR 191 250 MW PG-TSFP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
IRFH7932TRPBF Infineon Technologies IRFH7932TRPBF 1.2100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFH7932 Mosfet (Óxido de metal) Pqfn (5x6) muere individual descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 24a (TA), 104A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 100 µA 51 NC @ 4.5 V ± 20V 4270 pf @ 15 V - 3.4W (TA)
IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies IRFR024NTRLPBF 1.0200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR024 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 45W (TC)
BSM300GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM300GA170DLCHOSA1 -
RFQ
 ECAD 3059 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo BSM300 2520 W Estándar Módulo - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 1700 V 600 A 3.2V @ 15V, 300A 600 µA No 20 nf @ 25 V
SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies SPB80N06S08ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7954 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 7.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 240 µA 187 NC @ 10 V ± 20V 3660 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRG4BC30F-S Infineon Technologies IRG4BC30F-S -
RFQ
 ECAD 8211 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 100 W D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4BC30F-S EAR99 8541.29.0095 50 480v, 17a, 23ohm, 15V - 600 V 31 A 120 A 1.8v @ 15V, 17a 230 µJ (Encendido), 1.18MJ (apaguado) 51 NC 21ns/200ns
FP40R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FP40R12KE3BOSA1 -
RFQ
 ECAD 5130 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPIM ™ 2 Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FP40R12 210 W Estándar Módulo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 55 A 2.3V @ 15V, 40A 1 MA Si 2.5 NF @ 25 V
IRF1010EZLPBF Infineon Technologies IRF1010EZLPBF -
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10v 4V @ 100 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRL3705NSTRR Infineon Technologies IRL3705NSTRR -
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 89A (TC) 4V, 10V 10mohm @ 46a, 10v 2V @ 250 µA 98 NC @ 5 V ± 16V 3600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 170W (TC)
IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R099C7AUMA1 7.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL65R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 21a (TC) 10V 99mohm @ 5.9a, 10v 4V @ 590 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2140 pf @ 400 V - 128W (TC)
AUIRLR2905ZTRL Infineon Technologies Auirlr2905ztrl 1.2223
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirlr2905 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519942 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 42a (TC) 13.5mohm @ 36a, 10v 3V @ 250 µA 35 NC @ 5 V 1570 pf @ 25 V - 110W (TC)
BSP296NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSP296NL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000942910 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 1.2a (TA) 4.5V, 10V 600mohm @ 1.2a, 10V 1.8V @ 100 µA 6.7 NC @ 10 V ± 20V 152.7 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies ISP650P06NMXTSA1 1.5500
RFQ
 ECAD 3863 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ISP650 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 3.7a (TA) 10V 65mohm @ 3.7a, 10v 4V @ 1.037MA 39 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 30 V - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
SIGC15T60SEX7SA1 Infineon Technologies SIGC15T60SEX7SA1 -
RFQ
 ECAD 2648 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC15 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 30 A 90 A 2.05V @ 15V, 30A - -
BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ009NE2LS5ATMA1 2.9200
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ009 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 39A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 900mohm @ 20a, 10V 2V @ 250 µA 124 NC @ 10 V ± 16V 5500 pf @ 12 V - 2.1W (TA), 69W (TC)
IPP80N04S303AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S303AKSA1 -
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 120 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 7300 pf @ 25 V - 188W (TC)
BCW68GE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW68GE6327HTSA1 0.0662
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 200MHz
900546CHOSA1 Infineon Technologies 900546Chosa1 1.0000
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
FP75R12N2T7B11BPSA2 Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2 183.5400
RFQ
 ECAD 7010 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPIM ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP75R12 20 MW Rectificador de Puente Trifásico Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 75 A 1.55V @ 15V, 75a 14 µA Si 15.1 NF @ 25 V
PTFA210701EV4T500XWSA1 Infineon Technologies PTFA210701EV4T500XWSA1 -
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie H-36265-2 2.11GHz ~ 2.17GHz Ldmos H-36265-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000393362 EAR99 8541.29.0095 500 - 550 Ma 18W 16.5dB - 30 V
AUIRF7316Q Infineon Technologies Auirf7316q -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AuIRF7316 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001522678 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 30V - 58mohm @ 4.9a, 10v 3V @ 250 µA 34nc @ 10V 710pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies IKFW50N65DH5XKSA1 -
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-IKFW50N65DH5XKSA1-448 1
IRLZ44NPBF Infineon Technologies IRLZ44NPBF 1.5900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRLZ44 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 47a (TC) 4V, 10V 22mohm @ 25A, 10V 2V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD028N06NF2SATMA1 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD028 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 24a (TA), 139A (TC) 6V, 10V 2.85mohm @ 70a, 10v 3.3V @ 80 µA 102 NC @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 30 V - 3W (TA), 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar