SIC
close

Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R900P7SATMA1 0.7800
RFQ
 ECAD 7992 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN70R900 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60 µA 6.8 NC @ 10 V ± 16V 211 pf @ 400 V - 6.5W (TC)
FD300R12KS4HOSA1 Infineon Technologies FD300R12KS4HOSA1 209.2650
RFQ
 ECAD 1355 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FD300R12 1950 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Piquero - 1200 V 370 A 3.75V @ 15V, 300A 5 Ma No 20 nf @ 25 V
IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW120R040M1HXKSA1 21.3000
RFQ
 ECAD 1471 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 55A (TC) 15V, 18V 54.4mohm @ 19.3a, 18V 5.2V @ 10mA 39 NC @ 18 V +20V, -5V 1620 nf @ 25 V - 227W (TC)
FF300R12KT4PHOSA1 Infineon Technologies FF300R12KT4PHOSA1 202.4000
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF300R12 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 8 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 300 A 2.15V @ 15V, 300A 5 Ma No 19 NF @ 25 V
AIMZA75R140M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R140M1HXKSA1 6.4037
RFQ
 ECAD 7396 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-amza75r140m1hxksa1 240
IRGP4640DPBF Infineon Technologies IRGP4640DPBF -
RFQ
 ECAD 7707 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRGP4640 Estándar 250 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 400V, 24a, 10ohm, 15V 89 ns - 600 V 65 A 72 A 1.9V @ 15V, 24a 115 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 75 NC 41ns/104ns
IPB77N06S3-09 Infineon Technologies IPB77N06S3-09 -
RFQ
 ECAD 9248 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB77N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 77a (TC) 10V 8.8mohm @ 39a, 10v 4V @ 55 µA 103 NC @ 10 V ± 20V 5335 pf @ 25 V - 107W (TC)
IRF6610TR1PBF Infineon Technologies IRF6610TR1PBF -
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 20 V 15A (TA), 66A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1520 pf @ 10 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BC857BWH6778XTSA1 Infineon Technologies BC857BWH6778XTSA1 -
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC857 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
IPF017N08NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF017N08NF2SATMA1 4.2600
RFQ
 ECAD 617 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA IPF017N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-14 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 80 V 259a (TC) 6V, 10V 1.7mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 194 µA 186 NC @ 10 V ± 20V 8700 pf @ 40 V - 250W (TC)
AUIRF2903ZL Infineon Technologies Auirf2903zl -
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520876 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 160A (TC) 10V 2.4mohm @ 75a, 10v 4V @ 150 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 6320 pf @ 25 V - 231W (TC)
BSO203SPHXUMA1 Infineon Technologies BSO203SPHXUMA1 0.5595
RFQ
 ECAD 2569 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO203 Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 7a (TA) 2.5V, 4.5V 21mohm @ 8.9a, 4.5V 1.2V @ 100 µA 39 NC @ 4.5 V ± 12V 3750 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
SIGC15T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC15T60EX7777SA1 -
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo - - - SIGC15 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - - - -
IRLB4132PBF Infineon Technologies IRLB4132PBF 1.0200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRLB4132 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001558130 EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 30 V 78a (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 40a, 10V 2.35V @ 100 µA 54 NC @ 4.5 V ± 20V 5110 pf @ 15 V - 140W (TC)
BSP92P E6327 Infineon Technologies BSP92P E6327 -
RFQ
 ECAD 4159 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP92 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 250 V 260MA (TA) 2.8V, 10V 12ohm @ 260mA, 10V 2V @ 130 µA 5.4 NC @ 10 V ± 20V 104 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
AUIRF3205ZS Infineon Technologies Auirf3205zs -
RFQ
 ECAD 5410 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001518508 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 66a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3450 pf @ 25 V - 170W (TC)
IPD031N03LGBTMA1 Infineon Technologies IPD031N03LGBTMA1 0.5302
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD031 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000236957 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 15 V - 94W (TC)
DD1200S33KL2C_B5 Infineon Technologies DD1200S33KL2C_B5 1.0000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo 1800 W Estándar A-IHV130-6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 2 Independientes - 3300 V - No
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S461AATMA1 1.1400
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn IPG16N10 Mosfet (Óxido de metal) 29w PG-TDSON-8-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 100V 16A 61mohm @ 16a, 10v 3.5V @ 9 µA 7NC @ 10V 490pf @ 25V -
F4100R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies F4100R17N3E4BPSA1 217.5700
RFQ
 ECAD 7753 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 3 Banda Activo - F4100 - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 - - -
IRG6S320UTRLPBF Infineon Technologies IRG6S320UTRLPBF -
RFQ
 ECAD 2929 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRG6S320U Estándar 114 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 196v, 12a, 10ohm Zanja 330 V 50 A 1.65V @ 15V, 24a - 46 NC 24ns/89ns
BCX5116H6327XTSA1 Infineon Technologies Bcx5116h6327xtsa1 -
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX5116 2 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ040N06LS5ATMA1 1.6700
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ040 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 40A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 36 µA 6.6 NC @ 4.5 V ± 20V 3100 pf @ 30 V Estándar 69W (TC)
FP35R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies FP35R12W2T4PB11BPSA1 73.8100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies EasyPim ™ 2B Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FP35R12 20 MW Rectificador de Puente Trifásico Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 18 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 70 A 2.2V @ 15V, 35a 1 MA Si 2 NF @ 25 V
AUIRFR540Z Infineon Technologies Auirfr540z -
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr540 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521742 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 35A (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10v 4V @ 50 µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 91W (TC)
FS15R06XE3BOMA1 Infineon Technologies FS15R06XE3BOMA1 -
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FS15R06 71.5 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 Inversor de puente entero - 600 V 22 A 2V @ 15V, 15a 1 MA Si 830 pf @ 25 V
IPA50R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R199CPXKSA1 2.4531
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA50R199 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 17a (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 100 V - 139W (TC)
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N10S5N130ATMA1 1.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUZ40 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 40A (TC) 6V, 10V 13mohm @ 20a, 10v 3.8V @ 27 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1525 pf @ 50 V - 68W (TC)
BSS87 E6433 Infineon Technologies BSS87 E6433 -
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT89 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 240 V 260MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 260 mm, 10v 1.8V @ 108 µA 5.5 NC @ 10 V ± 20V 97 pf @ 25 V - 1W (TA)
BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL316CH6327XTSA1 0.5900
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 BSL316 Mosfet (Óxido de metal) 500MW PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 30V 1.4a, 1.5a 160mohm @ 1.4a, 10v 2V @ 3.7 µA 0.6nc @ 5V 282pf @ 15V Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar