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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
IPP35CN10N G	-	RFQ	5240	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP35C			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						100 V	27a (TC)	10V	35mohm @ 27a, 10v	4V @ 29 µA	24 NC @ 10 V	± 20V	1570 pf @ 50 V	-	58W (TC)
IPP60R145CFD7XKSA1	4.2900	RFQ	9068	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP60R145			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						600 V	16a (TC)	10V	145mohm @ 6.8a, 10V	4.5V @ 340 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	1330 pf @ 400 V	-	83W (TC)
SPB80N04S2L-03	-	RFQ	7811	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB80N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						40 V	80a (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	213 NC @ 10 V	± 20V	7930 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IPS70R2K0Ceakma1	-	RFQ	1888	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak	IPS70R2			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001471300	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						700 V	4A (TC)	10V	2ohm @ 1a, 10v	3.5V @ 70 µA	7.8 NC @ 10 V	± 20V	163 pf @ 100 V	-	42W (TC)
BSZ300N15NS5ATMA1	1.1844	RFQ	7366	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ300			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8-FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						150 V	32A (TC)	8V, 10V	30mohm @ 16a, 10v	4.6V @ 32 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 75 V	-	62.5W (TC)
IRLMS2002GTRPBF	-	RFQ	6094	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-23-6				Mosfet (Óxido de metal)			Micro6 ™ (SOT23-6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						20 V	6.5a (TA)	2.5V, 4.5V	30mohm @ 6.5a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	22 NC @ 5 V	± 12V	1310 pf @ 15 V	-	2W (TA)
IPP60R120C7XKSA1	5.5100	RFQ	486	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP60R120			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						600 V	19a (TC)	10V	120mohm @ 7.8a, 10V	4V @ 390 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 400 V	-	92W (TC)
IPI50R350CPXKSA1	-	RFQ	7407	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI50R350			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000680736	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						500 V	10a (TC)	10V	350mohm @ 5.6a, 10V	3.5V @ 370 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1020 pf @ 100 V	-	89W (TC)
IRG8CH15K10F	-	RFQ	2899	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Morir	Irg8ch	Estándar					Morir	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	SP001544928	Obsoleto	0000.00.0000	1				600V, 10a, 10ohm, 15V																-	1200 V			2V @ 15V, 10a	-	65 NC	15ns/170ns
IPZ65R065C7XKSA1	11.9900	RFQ	240	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	IPZ65R065			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal						650 V	33A (TC)	10V	65mohm @ 17.1a, 10v	4V @ 850 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	3020 pf @ 400 V	-	171W (TC)
IRL2203NPBF-INF	1.0000	RFQ	2638	Infineon Technologies	Hexfet®	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal						30 V	116a (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 60a, 10v	1V @ 250 µA	60 NC @ 4.5 V	± 16V	3290 pf @ 25 V	-	180W (TC)
BTS114A E3045A	3.2200	RFQ	4	Infineon Technologies	Tempfet®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-5	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						50 V	17a (TC)	10V	100mohm @ 9a, 10v	3.5V @ 1MA		± 20V	600 pf @ 25 V	-	50W
BSM100GB120DN2KHOSA1	-	RFQ	7097	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	BSM100				700 W	Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Medio puente																			-	1200 V	145 A		3V @ 15V, 100A					2 MA	No	6.5 NF @ 25 V
IRGS4045DTRRPBF	-	RFQ	4316	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar			77 W		D²pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800				400V, 6a, 47ohm, 15V															74 ns	-	600 V	12 A	18 A	2V @ 15V, 6a	56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado)	19.5 NC	27ns/75ns
IAUC90N10S5N062ATMA1	2.7800	RFQ	13	Infineon Technologies	Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IAUC90			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-34	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						100 V	90A (TC)	6V, 10V	6.2mohm @ 45a, 10V	3.8V @ 59 µA	36 NC @ 10 V	± 20V	3275 pf @ 50 V	-	115W (TC)
IRFS5615TRLPBF	-	RFQ	4541	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						150 V	33A (TC)	10V	42mohm @ 21a, 10v	5V @ 100 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 50 V	-	144W (TC)
Auirl1404z	-	RFQ	2280	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001516820	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						40 V	160A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 75a, 10v	2.7V @ 250 µA	110 NC @ 5 V	± 16V	5080 pf @ 25 V	-	200W (TC)
BCX5310E6327	0.0900	RFQ	19	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA					2 W		PG-SOT89-4-2	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																					80 V	1 A							100NA (ICBO)			500mv @ 50 mA, 500 mA	40 @ 50 mm, 2v	125MHz
IRLR2908TRLPBF	-	RFQ	1144	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						80 V	30A (TC)	4.5V, 10V	28mohm @ 23a, 10v	2.5V @ 250 µA	33 NC @ 4.5 V	± 16V	1890 pf @ 25 V	-	120W (TC)
IPD079N06L3GBTMA1	-	RFQ	7162	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD079			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						60 V	50A (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 50A, 10V	2.2V @ 34 µA	29 NC @ 4.5 V	± 20V	4900 pf @ 30 V	-	79W (TC)
IKY120N120CH7XKSA1	16.0100	RFQ	240	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	Iky120n120	Estándar			721 W		PG-TO247-4-U10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30				600V, 100A, 4OHM, 15V																Parada de Campo de Trinchera	1200 V	212 A	400 A	2.15V @ 15V, 100A	2.37MJ (Encendido), 2.65mj (apaguado)	714 NC	44ns/359ns
IRF1405ZLPBF	2.3000	RFQ	581	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						55 V	75A (TC)	10V	4.9mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	4780 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IPD80R2K7C3AATMA1	1.5800	RFQ	4	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD80R2			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						800 V	2a (TC)	10V	2.7ohm @ 1.2a, 10v	3.9V @ 250 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	290 pf @ 100 V	-	42W (TC)
IRLS3036TRLPBF	3.8000	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRLS3036			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						60 V	195a (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 165a, 10V	2.5V @ 250 µA	140 NC @ 4.5 V	± 16V	11210 pf @ 50 V	-	380W (TC)
IPN60R1K5PFD7SATMA1	0.7900	RFQ	7569	Infineon Technologies	CoolMos ™ PFD7	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	IPN60R1			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						600 V	3.6a (TC)	10V	1.5ohm @ 700 mA, 10V	4.5V @ 40 µA	4.6 NC @ 10 V	± 20V	169 pf @ 400 V	-	6W (TC)
PTFA212401F V4	-	RFQ	8287	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA212401		2.14 GHz	Ldmos			H-37260-2	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40			10 µA		1.6 A	50W	15.8db											-										30 V
Auirf7675m2tr	2.7500	RFQ	9	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico M2	Auirf7675			Mosfet (Óxido de metal)			DirectFet ™ Isométrico M2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal						150 V	4.4a (TA), 18a (TC)	10V	56mohm @ 11a, 10v	5V @ 100 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1360 pf @ 25 V	-	2.7W (TA), 45W (TC)
Auxclfz24nstrl	-	RFQ	8412	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						55 V	17a (TC)	10V	70mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 45W (TC)
IPI70P04P409AKSA1	-	RFQ	2561	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI70P			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000735974	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						40 V	72a (TC)	10V	9.4mohm @ 70a, 10v	4V @ 120 µA	70 NC @ 10 V	± 20V	4810 pf @ 25 V	-	75W (TC)
SPB18P06P	-	RFQ	7720	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB18P			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P						60 V	18.7a (TA)	10V	130mohm @ 13.2a, 10v	4V @ 1MA	28 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	81.1W (TA)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²