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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP65R125C7XKSA1 | 5.6700 |  | 2472 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R125 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 18a (TC) | 10V | 125mohm @ 8.9a, 10v | 4V @ 440 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1670 pf @ 400 V | - | 101W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IQDH45N04LM6CGATMA1 | 4.0500 | | 8000 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-Powertdfn | IQDH45 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TTFN-9-U02 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | N-canal | 40 V | 60A (TA), 637A (TC) | 4.5V, 10V | 0.45mohm @ 50A, 10V | 2.3V @ 1.449MA | 129 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 333W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX51E6327 | 0.0900 | | 67 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2 W | PG-SOT89-4-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 V | 1 A | 100NA (ICBO) | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IQE018N06NM6SCATMA1 | 1.1992 | | 5918 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IQE018N06NM6SCATMA1TR | 6,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGS4610DTRLPBF | - | | 1139 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 77 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001536494 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 6a, 47ohm, 15V | 74 ns | - | 600 V | 16 A | 18 A | 2V @ 15V, 6a | 56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado) | 13 NC | 27ns/75ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI076N12N3GAKSA1 | 3.5800 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI076 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 120 V | 100A (TC) | 10V | 7.6mohm @ 100a, 10v | 4V @ 130 µA | 101 NC @ 10 V | ± 20V | 6640 pf @ 60 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bsc0911ndatma1 | 2.0000 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC0911 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | PG-TISON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 25V | 18a, 30a | 3.2mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 12NC @ 4.5V | 1600pf @ 12V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB34CN10NGATMA1 | - | | 7110 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB34C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 27a (TC) | 10V | 34mohm @ 27a, 10v | 4V @ 29 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1570 pf @ 50 V | - | 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP034N03LGHKSA1 | - | | 8514 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP034N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000237660 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5300 pf @ 15 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R125P6 | 1.0000 | | 9832 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to20-3-111 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 125mohm @ 11.6a, 10V | 4.5V @ 960 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2660 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfu4510pbf | 1.9100 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU4510 | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 56a (TC) | 10V | 13.9mohm @ 38a, 10v | 4V @ 100 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3031 pf @ 50 V | - | 143W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP139N08N3G | 0.5600 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 80 V | 45a (TC) | 6V, 10V | 13.9mohm @ 45a, 10v | 3.5V @ 33 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1730 pf @ 40 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF2040WH6814XTSA1 | - | | 1018 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BF2040 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT343-3D | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 40mera | 15 Ma | - | 23dB | 1.6db | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP30R06YE3BOMA1 | - | | 3348 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000100331 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC019N06NSATMA1 | 2.6600 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC019 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 100A (TA) | 6V, 10V | 1.95mohm @ 50A, 10V | 3.3V @ 74 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 5250 pf @ 30 V | - | 136W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bts247ze3043aksa1 | - | | 5109 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | Mosfet (Óxido de metal) | P-to220-5-43 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 12a, 10v | 2V @ 90 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 1730 pf @ 25 V | Diodo de Deteca de Temperatura | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Skb06n60atma1 | - | | 8352 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Skb06n | Estándar | 68 W | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 6a, 50ohm, 15V | 200 ns | Escrutinio | 600 V | 12 A | 24 A | 2.4V @ 15V, 6a | 215 µJ | 32 NC | 25ns/220ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC60R041C6UNSAWNX6SA1 | - | | 3057 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IPC60R | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000910380 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM15GD120DN2E3224BOSA1 | 78.2250 | | 2492 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Bsm15g | 145 W | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Puente completo | - | 1200 V | 25 A | 3V @ 15V, 15a | 500 µA | No | 1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Higfed1bosa1 | - | | 6279 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | - | - | Higfed1 | - | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000713564 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857SE6327BTSA1 | - | | 5814 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R250CPFKSA1 | - | | 7675 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP50R12KS4CBOSA1 | 205.6510 | | 1282 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FP50R12 | 360 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | - | 1200 V | 70 A | 3.7V @ 15V, 50A | 5 Ma | Si | 3.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR3518PBF | - | | 3068 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 80 V | 38a (TC) | 10V | 29mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPB80N03S2L-05 | - | | 5517 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 55a, 10v | 2V @ 110 µA | 89.7 NC @ 10 V | ± 20V | 3320 pf @ 25 V | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Spa04n50c3xksa1 | - | | 5317 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Spa04n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 560 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 470 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirgdc0250 | - | | 2300 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Auirgdc | Estándar | 543 W | Super-220 ™ (To-273AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 600V, 33A, 5OHM, 15V | - | 1200 V | 141 A | 99 A | 1.57V @ 15V, 33A | 15MJ (apaguado) | 227 NC | -/485ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC037N025S G | - | | 8349 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 21a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 50A, 10V | 2V @ 50 µA | 29 NC @ 5 V | ± 20V | 3660 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3102STRR | - | | 7324 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 61a (TC) | 4.5V, 7V | 13mohm @ 37a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 58 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2500 pf @ 15 V | - | 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP80N06S2L-06 | 1.0000 | | 9133 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 69a, 10v | 2V @ 180 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 25 V | - | 250W (TC) |
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