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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | 2N5134 | - | ![]() | 7431 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | To-106-3 abovedado | Un 106 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | 10 V | 400NA (ICBO) | NPN | - | 20 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmpq2907a bk | - | ![]() | 4136 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MMPQ2907 | 1W | 16-soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 350 | 60V | 600mA | 20NA (ICBO) | 4 PNP (Quad) | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Cxt2907a tr pbfree | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | CXT2907 | 1.2 W | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CP588-BCY70 WN | - | ![]() | 8494 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | 350 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP588-BCY70 WN | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 200 MA | - | 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma | 60 @ 10 µA, 1V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7003T-M563D TR | - | ![]() | 9297 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | CTLDM7003T | Mosfet (Óxido de metal) | 350MW | Tlm563d | descascar | 1514-CTLDM7003T-M563DTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 50V | 280 Ma | 1.5ohm @ 50 mm, 5V | 1.2V @ 250 µA | - | 50pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | CMPDM202PH BK | - | ![]() | 7469 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-3 Platos Platos | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23F | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,500 | Canal P | 20 V | 2.3a (TA) | 2.5V, 5V | 88mohm @ 1.2a, 5V | 1.4V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | 12V | 800 pf @ 10 V | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | TIP30A PBFree | - | ![]() | 6432 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Tip30 | 30 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 1 A | 300 µA | PNP | 700mv @ 125ma, 1a | 40 @ 200Ma, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
2N5320 PBFree | 3.0000 | ![]() | 316 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 10 W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 75 V | 2 A | 500NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 30 @ 500mA, 4V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5367 PBFree | 0.3551 | ![]() | 1976 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 40 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 1v @ 30 mm, 300 mA | 100 @ 50mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||
2N3501 PBFree | 7.9100 | ![]() | 552 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 150 V | 300 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Cp372-wn | - | ![]() | 5123 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP372-Wn | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT3640 TR | - | ![]() | 1792 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | 1514-CMPT3640TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 12 V | 80 Ma | 10NA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 10 Mapa, 300mv | 500MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM8120G TR PBFREE | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | CMLDM8120 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 860MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 150MOHM @ 950MA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 3.56 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 16 V | - | 350MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | CP247-2N6284-CM | - | ![]() | 7287 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | - | CP247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP247-2N6284-CM | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7002A-M621 BK | - | ![]() | 5440 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powervfdfn | Mosfet (Óxido de metal) | TLM621 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 280MA (TA) | 5V, 10V | 2ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.592 NC @ 4.5 V | 40V | 50 pf @ 25 V | - | 900MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | SE9300 | - | ![]() | 7468 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 70 W | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 60 V | 10 A | 200 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 2.5V @ 150 mm, 7.5a | 100 @ 7.5a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-PMD19K100 WN | - | ![]() | 5184 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP647 | Morir | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 V | 30 A | - | PNP - Darlington | 2.8V @ 60 mm, 15a | 800 @ 15a, 3V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP41C PBFree | 0.6296 | ![]() | 2881 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TIP41 | 65 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 V | 6 A | 700 µA | NPN | 1.5V @ 600mA, 6a | 30 @ 300mA, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
2N4393 PBFree | 3.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 1.8 W | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 14pf @ 20V | 40 V | 5 Ma @ 20 V | 500 MV @ 1 Na | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP219-2N5339-CM | - | ![]() | 3954 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 6 W | Morir | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 V | 5 A | 100 µA | NPN | 1.2V @ 500 Ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4302 | - | ![]() | 2745 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | Vendedor indefinido | PN4302CS | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-canal | - | 30 V | 500 µA @ 15 V | 4 v @ 1 na | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT918 TR PBFREE | 0.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPT918 | 350MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 11db | 15V | 50mera | NPN | 20 @ 3mA, 1V | 600MHz | 6dB @ 60MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CP188-BC546B-CM | - | ![]() | 8882 | 0.00000000 | Central de semiconductores | CP188 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CP188-BC546B-CM | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
MD2369A | - | ![]() | 4566 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | MD236 | - | Un 78-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | 40V | 500mA | - | 2 NPN (dual) | - | 40 @ 10mA, 1V | 500MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CMUDM7004 TR PBFREE | 0.6100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | CMUDM7004 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 450mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 460mohm @ 200Ma, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.79 NC @ 4.5 V | 8V | 45 pf @ 25 V | - | 250MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | CP307-MPSA13-CT | - | ![]() | 5780 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 625 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP307-MPSA13-CT | EAR99 | 8541.21.0075 | 400 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3905 PBFree | 0.4400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 40 V | 50NA (ICBO) | PNP | - | 50 @ 10mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||
2N2639 | - | ![]() | 4564 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N263 | 600MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mera | - | 2 NPN (dual) | - | 50 @ 10 µA, 5V | 40MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA18 PBFree | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPSA18 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 45 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 500 @ 10mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM7585 TR PBFREE | 0.6600 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | CMLDM7585 | Mosfet (Óxido de metal) | 350MW | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 650 mm | 230MOHM @ 600MA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 1.58nc @ 4.5V | 100pf @ 16V | Puerta de Nivel Lógico |
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