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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Voltaje - Salida | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Voltaje | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Resistencia - RDS (ON) | Drenaje real (ID) - Max | Corriente - valle (iv) | Corriente - Pico |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTTFS003N04 CTAG | - |  | 1149 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | NTTFS003 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 22a (TA), 103A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 50A, 10V | 3.5V @ 60 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 3.2W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| Nttfs5c460nltag | 1.4100 | | 1530 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | NTTFS5 | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 19A (TA), 74A (TC) | 4.8mohm @ 35a, 10v | 2V @ 40 µA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Nvmys2d1n04cltwg | 0.9304 | | 4288 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1023, 4-LFPAK | Nvmys2 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK4 (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 29a (TA), 132a (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 50A, 10V | 2V @ 90 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 25 V | - | 3.9W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| Nvtfs5c460nltag | 1.3500 | | 5207 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Nvtfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 19A (TA), 74A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 35a, 10v | 2V @ 40 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| Nvtfs5c460nlwftag | 0.8764 | | 6237 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Nvtfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 19A (TA), 74A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 35a, 10v | 2V @ 40 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SIS108DN-T1-GE3 | 0.9100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 6.7a (TA), 16a (TC) | 7.5V, 10V | 34mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 545 pf @ 40 V | - | 3.2W (TA), 24W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SISS61DN-T1-GE3 | 0.9900 | | 1425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS61 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 30.9a (TA), 111.9a (TC) | 1.8V, 4.5V | 3.5mohm @ 15a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 231 NC @ 10 V | ± 8V | 8740 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 65.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2647 | - | | 7507 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | descascar | No Aplicable | 2n2647cs | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 6V | - | 300 MW | 18 MA | 2 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4949 | - | | 5297 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 3V | - | 2 MA | 1 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5431 | - | | 7170 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 1V | - | 2 MA | 400 na | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMN31D5L-7 | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN31 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 500 mA (TA) | 2.5V, 4V | 1.5ohm @ 10mA, 4V | 1.6V @ 250 µA | 1.2 NC @ 10 V | ± 20V | 50 pf @ 15 V | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DMP3007LSS-13 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | DMP3007 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 14a (TA) | 4V, 10V | 7mohm @ 17a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 64.2 NC @ 10 V | ± 25V | 2826 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DMTH6016LFVW-13 | 0.2436 | | 9550 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8Powervdfn | DMTH6016 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 41a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15.1 NC @ 10 V | ± 20V | 939 pf @ 30 V | - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
| UPA384T1P-E1-A | - | | 9994 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | - | UPA384 | - | - | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DGTD65T40S2PT | - | | 8658 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | DGTD65 | Estándar | 230 W | To-247 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | 60 ns | Parada de Campo | 650 V | 80 A | 120 A | 2.3V @ 15V, 40A | 500 µJ (Encendido), 400 µJ (apaguado) | 60 NC | 6ns/55ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| Dmn62d1lfdq-13 | 0.0863 | | 2937 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xdfn | DMN62 | Mosfet (Óxido de metal) | U-DFN1212-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 60 V | 400 mA (TA) | 1.5V, 4V | 2ohm @ 100 mm, 4V | 1V @ 250 µA | 0.55 NC @ 4.5 V | ± 20V | 36 pf @ 25 V | - | 500MW | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NTP190N65S3HF | 4.4000 | | 4988 | 0.00000000 | onde | FRFET®, Superfet® III | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | NTP190 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10v | 5V @ 430 µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 1610 pf @ 400 V | - | 162W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntns5k0p021ztcg | - | | 7805 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | NTNS5 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-xdfn (0.42x0.62) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | Canal P | 20 V | 127MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 100 mm, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 8V | 12.8 pf @ 15 V | - | 125MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM150GB170DLCE3256HDLA1 | - | | 9812 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | BSM150 | 1250 W | Estándar | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | - | 1700 V | 300 A | 3.2V @ 15V, 150a | 300 µA | No | 10 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF1500R12IE5PBPSA1 | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack ™ 3+ B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF1500R | 20 MW | Estándar | Ag-prime3+-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 1500 A | 2.15V @ 15V, 1.5ka | 5 Ma | Si | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FF450R33T3E3P2BPSA1 | 1.0000 | | 6115 | 0.00000000 | Infineon Technologies | XHP ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF450R33 | 1000000 W | Estándar | AG-XHP100-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 8541.29.0095 | 2 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 3300 V | 450 A | 2.75V @ 15V, 450A | 5 Ma | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS100R12N2T4B11BOSA1 | - | | 4721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FS100R12 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONO2-6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001723592 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 100 A | 2.1V @ 15V, 100A | 1 MA | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUA200N04S5N010AUMA1 | 2.9800 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | IAUA200 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 7V, 10V | 1mohm @ 100a, 10v | 3.4V @ 100 µA | 132 NC @ 10 V | ± 20V | 7650 pf @ 25 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IEWS20R5135IPBXKLA1 | - | | 6258 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-6 | Lógica | 288 W | PG-TO247-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001778868 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | Parada de Campo de Trinchera | 1350 V | 40 A | 60 A | 1.85V @ 0v, 20a | -, 1.2mj (apaguado) | 668ns/2.034 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKFW90N60EH3XKSA1 | 12.7500 | | 248 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKFW90 | Estándar | 178 W | PG-TO247-3-AI | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75a, 5ohm, 15V | 107 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 77 A | 300 A | 2.3V @ 15V, 75a | 2.65mj (Encendido), 1.3mj (apaguado) | 440 NC | 32NS/210NS | ||||||||||||||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | 2.4916 | | 3744 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-Powertsfn | IPL65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-VSON-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 V | 21.3a (TC) | 10V | 165mohm @ 9.3a, 10v | 4.5V @ 900 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 100 V | - | 195W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP65R110CFDXKSA2 | 6.8400 | | 7298 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R110 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 31.2a (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10v | 4.5V @ 1.3MA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 3240 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | AFGB30T65SQDN | 4.7600 | | 9835 | 0.00000000 | onde | Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | AFGB30 | Estándar | 220 W | D²pak-3 (A-263-3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 30a, 6ohm, 15V | 245 ns | - | 650 V | 60 A | 120 A | 2.1V @ 15V, 30a | - | 56 NC | 14.5ns/63.2ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4392-CT | - | | 2539 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Banda | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP206-2N4392-CT | Obsoleto | 400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4393-CT | - | | 7572 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP216-2N4393-CT | Obsoleto | 400 | N-canal | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 5 Ma @ 20 V | 500 MV @ 1 Na | 100 ohmios | 50 Ma |
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