SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IXTH80N65X2 IXYS IXTH80N65X2 13.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ixys Ultra x2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH80 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 80a (TC) 10V 40mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 4MA 144 NC @ 10 V ± 30V 7753 pf @ 25 V - 890W (TC)
SQJ886EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ886EP-T1_BE3 1.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar 1 (ilimitado) 742-SQJ886EP-T1_BE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 60A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15.3a, 10v 2.5V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 2922 pf @ 20 V - 55W (TC)
2N3904RL1 onsemi 2N3904RL1 -
RFQ
 ECAD 3020 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2N3904 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 200 MA - NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
BCW 61D E6327 Infineon Technologies BCW 61D E6327 0.0400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 6.869 32 V 100 mA 20NA (ICBO) PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 380 @ 2mA, 5V 250MHz
BLF1046 Ampleon USA Inc. BLF1046 -
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 AMpleon USA Inc. BLF Una granela Activo 65 V Monte del Chasis Sot-467c 1 GHz Ldmos Sot467c descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 0000.00.0000 1 1 µA 300 mA 45W 14dB - 26 V
MRF5P21045NR1 NXP USA Inc. MRF5P21045NR1 -
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie Un 270ab MRF5 2.11GHz ~ 2.17GHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 Dual - 500 mA 10W 14.5dB - 28 V
IRFH7885TRPBF Infineon Technologies IRFH7885TRPBF -
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 Infineon Technologies Fastirfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-vqfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 80 V 22a (TA) 10V 3.9mohm @ 50A, 10V 3.6V @ 150 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2311 pf @ 40 V - 3.6W (TA), 156W (TC)
AOB260L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB260L 1.9870
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab AOB260 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 20A (TA), 140A (TC) 10V 2.2mohm @ 20a, 10v 3.2V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 14200 pf @ 30 V - 1.9W (TA), 330W (TC)
SMUN2214T3G onsemi Smun2214t3g 0.3700
RFQ
 ECAD 469 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Smun2214 230 MW SC-59 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 10 kohms 47 kohms
CPH6350-TL-E onsemi CPH6350-TL-E -
RFQ
 ECAD 1962 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-23-6 CPH635 Mosfet (Óxido de metal) 6-cph descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 6a (TA) 4V, 10V 43mohm @ 3a, 10v - 13 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 10 V - 1.6w (TA)
DTA143ZUA Yangjie Technology Dta143zua 0.0240
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DTA143 200 MW Sot-323 - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-dta143zuatr EAR99 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Precializado + Diodo 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms
BF820-QVL Nexperia USA Inc. BF820-QVL 0.0787
RFQ
 ECAD 9849 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1727-BF820-QVLTR EAR99 8541.21.0095 10,000 300 V 50 Ma 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 mm, 30 mA 50 @ 25 mm, 20V 60MHz
IPP65R150CFDXKSA2 Infineon Technologies IPP65R150CFDXKSA2 4.6900
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R150 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 22.4a (TC) 10V 150mohm @ 9.3a, 10v 4.5V @ 900 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 2340 pf @ 100 V - 195.3W (TC)
J175_D75Z onsemi J175_D75Z -
RFQ
 ECAD 7943 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J175 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P - 30 V 7 Ma @ 15 V 3 V @ 10 na 125 ohmios
MMBT2907A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT2907A_R1_00001 0.1600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 225 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-MMBT2907A_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
FQA9N50 Fairchild Semiconductor FQA9N50 -
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 220 N-canal 500 V 9.6a (TC) 10V 730mohm @ 4.8a, 10V 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 160W (TC)
MJD350T4 onsemi MJD350T4 -
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD35 15 W Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 300 V 500 mA 100 µA PNP - 30 @ 50mA, 10V -
SSR4N60BTF Fairchild Semiconductor Ssr4n60btf 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 2.8a (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
PDTC144TMB315 NXP USA Inc. PDTC144TMB315 0.0200
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.21.0075 1
IRG7U100HF12A Infineon Technologies IRG7U100HF12A -
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 Infineon Technologies - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Powir® 34 Irg7u 580 W Estándar POWIR® 34 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 Medio puente - 1200 V 200 A 2V @ 15V, 100A 1 MA No 10 NF @ 25 V
MRF6S9160HSR3 Freescale Semiconductor MRF6S9160HSR3 97.0400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Semiconductor de freescale - Una granela Activo 68 V Monte del Chasis Ni-780s 880MHz ~ 960MHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 10 µA 1.2 A 35W 20.9db - 28 V
2SAR293P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR293P5T100 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2Sar293 500 MW MPT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 350mv @ 25 mm, 500 mA 270 @ 100mA, 2V 320MHz
BF1201WR,115 NXP USA Inc. BF1201WR, 115 -
RFQ
 ECAD 1974 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 10 V Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BF120 400MHz Mosfet CMPAK-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 15 Ma - 29dB 1dB 5 V
2SA1015-GR-BP Micro Commercial Co 2SA1015-Gr-BP -
RFQ
 ECAD 5797 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2SA1015 400 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 353-2SA1015-Gr-BP EAR99 8541.21.0095 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
BCX53TX Nexperia USA Inc. Bcx53tx 0.4000
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX53 500 MW Sot-89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 140MHz
AUIRFR3607 International Rectifier Auirfr3607 -
RFQ
 ECAD 7019 0.00000000 Rectificador internacional Hexfet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr3607 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 75 V 56a (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10v 4V @ 100 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3070 pf @ 50 V - 140W (TC)
IXFA76N15T2 IXYS Ixfa76n15t2 5.2060
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa76 Mosfet (Óxido de metal) TO-263AA (IXFA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 76a (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10V 4.5V @ 250 µA 97 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 350W (TC)
IRLR8743PBF International Rectifier IRLR8743PBF -
RFQ
 ECAD 9970 0.00000000 Rectificador internacional Hexfet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 30 V 160A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 100 µA 59 NC @ 4.5 V ± 20V 4880 pf @ 15 V - 135W (TC)
BD180 onsemi BD180 -
RFQ
 ECAD 8678 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD180 30 W A-126 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 80 V 3 A 1MA (ICBO) PNP 800mv @ 100 mm, 1a 40 @ 150mA, 2V 3MHz
APTGF75DA120T1G Microsemi Corporation APTGF75DA120T1G -
RFQ
 ECAD 6340 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis SP1 500 W Estándar SP1 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Escrutinio 1200 V 100 A 3.7V @ 15V, 75a 250 µA Si 5.1 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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