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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 3MN03SF-TL-E | 0.0400 |  | 192 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 3-SMD, Plano Plano | 150MW | 3-SSFP | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | - | 20V | 30mera | NPN | 60 @ 1 MMA, 6V | 320MHz | 3DB @ 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PJD5NA50_L2_00001 | - | | 2985 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | PJD5NA50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-PJD5NA50_L2_00001CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 5A (TA) | 10V | 1.55ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 491 pf @ 25 V | - | 76W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC859B, 215 | 0.2200 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC859 | 250 MW | To-236ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MCH3221-TL-E | 0.1400 | | 48 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXGA30N120B3-TRL | 5.3818 | | 8634 | 0.00000000 | Ixys | GenX3 ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Ixga30 | Estándar | 300 W | TO-263 (D2PAK) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXGA30N120B3-TRLTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 960V, 30a, 5ohm, 15V | 37 ns | PT | 1200 V | 60 A | 150 A | 3.5V @ 15V, 30a | 3.47mj (Encendido), 2.16mj (apaguado) | 87 NC | 16ns/127ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RN1415 (TE85L, F) | 0.3400 | | 29 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1415 | 200 MW | S-Mini | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 50 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1760TLR | 0.3381 | | 7765 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SD1760 | 15 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 200Ma, 2a | 180 @ 500 Ma, 3V | 90MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP15M9S30GZ | 20.1900 | | 8529 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Montaje en superficie | SOT-1483-1 | BLP15 | 1.5 GHz | Ldmos | SOT1483-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | N-canal | - | 30W | 19.3db | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK536-MTK-TB-E | - | | 8288 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SK536 | - | 3-CP | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | 100MA (TJ) | 10V | - | - | ± 12V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLS6G2731S-120,112 | 221.8650 | | 8464 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Activo | 60 V | Monte del Chasis | Sot-502b | BLS6 | 2.7GHz ~ 3.1GHz | Ldmos | Sot502b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 33a | 100 mA | 120W | 13.5dB | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mun5240t1g | 0.0252 | | 8062 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | MUN5240 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma | 120 @ 5mA, 10V | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Php45nq15t, 127 | - | | 4535 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 V | 45.1a (TC) | 10V | 42mohm @ 20a, 10v | 4V @ 1MA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA17390RL | - | | 3278 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SA1739 | 150 MW | Smini3-g1 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 V | 50 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 200 MV @ 1 MMA, 10 Mape | 90 @ 10mA, 1V | 1.5 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PXAE261908NF-V1-R5 | 65.0147 | | 4366 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Montaje en superficie | PG-HBSOF-6-3 | PXAE261908 | 2.515GHz ~ 2.675GHz | LDMOS (dual) | PG-HBSOF-6-3 | - | 1697-PXAE261908NF-V1-R5TR | 500 | - | 10 µA | 450 Ma | 240W | 13.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ixtt26n60p | 10.2237 | | 5941 | 0.00000000 | Ixys | Polar | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Ixtt26 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 268AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 26a (TC) | 10V | 270mohm @ 500 mA, 10V | 5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 4150 pf @ 25 V | - | 460W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | D44h10tu | - | | 5748 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 220-3 | D44H | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 8 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansp2n3636 | - | | 3401 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLA8G1011LS-300GU | 387.4050 | | 1655 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 65 V | Monte del Chasis | Sot-502e | Bla8 | 1.06GHz | Ldmos | CDFM2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934068328112 | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | - | 150 Ma | 300W | 16.5dB | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIA462DJ-T4-GE3 | - | | 6987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA462 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 9a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5457_D75Z | - | | 2227 | 0.00000000 | onde | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2N5457 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 7pf @ 15V | 25 V | 1 ma @ 15 V | 500 MV @ 10 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n4261 | - | | 2275 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/511 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-72-3 METAL LATA | 2N4261 | 200 MW | TO-72 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 30 Ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 350mv @ 1 mapa, 10 ma | 30 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n3741u4 | - | | 9344 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/441 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 25 W | U4 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 1.25mA, 1A | 30 @ 250 Ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AOTF600A60L | 0.8024 | | 4025 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Amos5 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | AOTF600 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-AOTF600A60L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 8a (TJ) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 11.5 NC @ 10 V | ± 20V | 608 pf @ 100 V | - | 27.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP75NF20 | 4.5100 | | 5472 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-5958-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 75A (TC) | 10V | 34mohm @ 37a, 10v | 4V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 3260 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT21H350W03SR6 | 199.4800 | | 150 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | NI-1230-4S | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | NI-1230-4S | - | 2156-ATAIN21H350W03SR6 | 2 | N-canal | 10 µA | 763 Ma | 63W | 16.4db @ 2.11Ghz | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STX616 | - | | 3139 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | STX616 | 2.8 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 500 V | 1.5 A | 50 µA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 12 @ 500 Ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Stb25nm60nd | - | | 3311 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH ™ II | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Stb25n | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 160mohm @ 10.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 25V | 2400 pf @ 50 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPSW56RLRP | 0.0700 | | 287 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | MPSW56 | 1 W | TO-92 (TO-226) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 80 V | 500 mA | 500NA | PNP | 500mv @ 10 Ma, 250 Ma | 50 @ 250 Ma, 1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IT130A SOIC 8L ROHS | 8.5400 | | 2 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | IT130 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IT130 | 500MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 45V | 10 Ma | 1NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 500mV @ 50 µA, 500 µA | 225 @ 1 MMA, 5V | 110MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MCH4020-TL-E | - | | 5871 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-343f | MCH40 | 400MW | 4 mcph | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 17.5dB | 8V | 150 Ma | NPN | 60 @ 50 mm, 5v | 16 GHz | 1.2db @ 1ghz |
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