SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRFI614BTUFP001 Fairchild Semiconductor IRFI614BTUFP001 0.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 2.8a (TC) 10V 2ohm @ 1.4a, 10v 4V @ 250 µA 10.5 NC @ 10 V ± 30V 275 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 40W (TC)
BC550 onsemi BC550 -
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC550 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
2C5012 Microsemi Corporation 2C5012 -
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 ECAD 3130 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - - - - - Rohs no conforme No Aplicable Obsoleto 0000.00.0000 1 - - - - -
MWT-9F Microwave Technology Inc. MWT-9F 53.2500
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 ECAD 3301 0.00000000 Microwave Technology Inc. - Caso Activo 6 V Morir MWT-9 500MHz ~ 18 GHz Mesfet Chip descascar 1203-MWT-9F EAR99 8541.29.0040 10 270 Ma 270 Ma 26.5dbm 8.5db - 4 V
PXAC243502FV-V1 Wolfspeed, Inc. PXAC243502FV-V1 -
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 ECAD 3710 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - Banda Descontinuado en sic 65 V Montaje en superficie H-37275-4 2.4GHz Ldmos H-37275-4 descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) EAR99 8541.29.0095 35 - 850 Ma 68w 15dB - 28 V
STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics Stgb10nc60kdt4 1.6300
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 ECAD 6371 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb10 Estándar 65 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390V, 5a, 10ohm, 15V 22 ns - 600 V 20 A 30 A 2.5V @ 15V, 5A 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
DMHC4035LSD-13 Diodes Incorporated DMHC4035LSD-13 0.8700
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 ECAD 62 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMHC4035 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 N Y 2 Canal P (Medio Puente) 40V 4.5a, 3.7a 45mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250 µA 12.5nc @ 10V 574pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
MMBT3904-7-F-52 Diodes Incorporated MMBT3904-7-F-52 0.0253
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 ECAD 5850 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar 31-MMBT3904-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
PTVA123501ECV2XWSA1 Infineon Technologies PTVA123501ECV2XWSA1 -
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 ECAD 2346 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 105 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Fin Lidera 1.2GHz ~ 1.4GHz Ldmos H-36248-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001237182 EAR99 8541.29.0095 50 Dual 10 µA 350W 17dB -
STB6NK90ZT4 STMicroelectronics STB6NK90ZT4 3.2000
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb6 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 5.8a (TC) 10V 2ohm @ 2.9a, 10v 4.5V @ 100 µA 60.5 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 140W (TC)
J112RLRAG onsemi J112rlrag -
RFQ
 ECAD 6973 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) J112 350 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal - 35 V 5 Ma @ 15 V 1 V @ 1 µA 50 ohmios
CP206-2N4392-CM Central Semiconductor Corp CP206-2N4392-CM -
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 ECAD 2591 0.00000000 Central de semiconductores * Banda Obsoleto descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1514-CP206-2N4392-CM Obsoleto 400
DMN67D8LT-7 Diodes Incorporated DMN67D8LT-7 0.0644
RFQ
 ECAD 1607 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN67 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 210MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 821 NC @ 10 V ± 20V 22 pf @ 25 V - 260MW (TA)
SI4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4430bdy-T1-E3 1.8500
RFQ
 ECAD 889 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SI4430 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 36 NC @ 4.5 V ± 20V - 1.6w (TA)
STD5N65M6 STMicroelectronics Std5n65m6 0.6486
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5n65 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 4A (TC) 0V, 10V 1.3ohm @ 2a, 10v 3.75V @ 250 µA 5.1 NC @ 10 V ± 25V 170 pf @ 100 V - 45W (TC)
FQA19N20C onsemi FQA19N20C -
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 21.8a (TC) 10V 170mohm @ 10.9a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 180W (TC)
RJK2508DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJK2508DPK-00#T0 -
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Activo - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RJK2508 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 250 V 50A (TA) 10V 64mohm @ 25A, 10V - 60 NC @ 10 V ± 30V 2600 pf @ 25 V - 150W (TC)
FDB9409-F085 onsemi FDB9409-F085 -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB9409 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2980 pf @ 25 V - 94W (TJ)
BCP5516H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5516H6327XTSA1 0.2968
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP55 2 W PG-SOT223-4-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
STP5NK60Z STMicroelectronics STP5NK60Z 2.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP5NK60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.5a, 10v 4.5V @ 50 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 690 pf @ 25 V - 90W (TC)
PDTA144VK,115 NXP USA Inc. PDTA144VK, 115 -
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA144 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 40 @ 5MA, 5V 47 kohms 10 kohms
J203-18 Central Semiconductor Corp J203-18 -
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 ECAD 5551 0.00000000 Central de semiconductores * Una granela Obsoleto - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 8536.69.4040 1
JANSM2N3499 Microchip Technology Jansm2n3499 41.5800
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/366 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-Jansm2n3499 1 100 V 500 mA 10 µA (ICBO) NPN 600mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150mA, 10V -
CM35MXA-24S Powerex Inc. CM35MXA-24S -
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 Powerex Inc. - Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Módulo 355 W Rectificador de Puente Trifásico Módulo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Inversor trifásico con freno - 1200 V 35 A 2.25V @ 15V, 35A 1 MA Si 3.5 NF @ 10 V
WAS300M12BM2 Wolfspeed, Inc. FUE 300M12BM2 966.1940
RFQ
 ECAD 4524 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - Una granela No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FUE 300 Módulo - 1697-was300m12bm2 1 2 Canales N (Medio Puente) 1200V 423A (TC) 1025nc @ 20V CARBURO DE SILICIO (SIC)
MRF7S38040HR5 NXP USA Inc. MRF7S38040HR5 -
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis NI-400-240 MRF7 3.4GHz ~ 3.6GHz Ldmos NI-400-240 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 450 Ma 8W 14dB - 30 V
FS400R07A1E3S7BOMA1 Infineon Technologies FS400R07A1E3S7BOMA1 360.8100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Hybridpack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS400R07 1250 W Rectificador de Puente Trifásico Ag-Hybrid1-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 16 Inversor de puente entero Parada de Campo de Trinchera 705 V 500 A 1.7V @ 15V, 400A 100 µA Si 28 NF @ 25 V
AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302 0.1900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 3a (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 3a, 4.5V 1.25V @ 250 µA 3.81 NC @ 4.5 V ± 10V 220 pf @ 10 V - 700MW (TA)
2SK3747-1E onsemi 2SK3747-1E -
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 ECAD 1108 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-94 2SK3747 Mosfet (Óxido de metal) TO-3PF-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1500 V 2a (TA) 10V 13ohm @ 1a, 10v - 37.5 NC @ 10 V ± 35V 380 pf @ 30 V - 3W (TA), 50W (TC)
BUK9Y40-55B/C3,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y40-55B/C3,115 -
RFQ
 ECAD 6309 0.00000000 Nexperia USA Inc. * Una granela Activo - 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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