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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated DMN61D8LVT-13 0.1512
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN61 Mosfet (Óxido de metal) 820MW TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 630mA 1.8ohm @ 150mA, 5V 2v @ 1 mapa 0.74nc @ 5V 12.9pf @ 12V Puerta de Nivel Lógico
DMP2042UCB4-7 Diodes Incorporated DMP2042UCB4-7 -
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-UFBGA, WLBGA DMP2042 Mosfet (Óxido de metal) U-WLB1010-4 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.6a (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 1a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 2.5 NC @ 4.5 V -6v 218 pf @ 10 V - 1.4w
DMT69M5LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMT69M5LFVWQ-13 0.3567
RFQ
 ECAD 8341 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT69M5LFVWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 14.8a (TA), 40.6a (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 13.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 28.4 NC @ 10 V ± 20V 1406 pf @ 30 V - 2.74W (TA), 20.5W (TC)
DMN2991UDA-7B Diodes Incorporated Dmn2991uda-7b 0.4200
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMN2991 Mosfet (Óxido de metal) 310MW (TA) X2-DFN0806-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 20V 450mA (TA) 990MOHM @ 100MA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.35nc @ 4.5V 21.5pf @ 16V -
D3G Diodes Incorporated D3g -
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero T1, axial D3g Estándar T-1 descascar 31-d3g Obsoleto 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
PD3Z284C4V3-7 Diodes Incorporated PD3Z284C4V3-7 -
RFQ
 ECAD 4732 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie PowerDi ™ 323 PD3Z284 500 MW PowerDi ™ 323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated DMP1005UFDF-7 0.5400
RFQ
 ECAD 399 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP1005 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 26a (TC) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 47 NC @ 8 V ± 8V 2475 pf @ 6 V - 2.1W (TA)
DMTH6012LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH6012LPSW-13 0.2453
RFQ
 ECAD 8826 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6012 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo Q) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 31-DMTH6012LPSW-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 11.5A (TA), 50.5A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 13.6 NC @ 10 V ± 20V 785 pf @ 30 V - 2.8W (TA), 53.6W (TC)
BZT52C11TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C11TQ-7-F 0.0474
RFQ
 ECAD 7177 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
ZMM5250B-7 Diodes Incorporated ZMM5250B-7 -
RFQ
 ECAD 8828 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 ZMM5250 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
DMN62D0U-7 Diodes Incorporated DMN62D0U-7 0.3200
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN62 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 380MA (TA) 1.8V, 4.5V 2ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 20V 32 pf @ 30 V - 380MW (TA)
BZX84B16Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B16Q-7-F 0.0382
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZX84B16Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
DFLZ6V8Q-7 Diodes Incorporated Dflz6v8q-7 0.1417
RFQ
 ECAD 4308 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie PowerDI®123 Dflz6 1 W PowerDi ™ 123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 3 V 6.8 V 1 ohmios
UDZ12B-7 Diodes Incorporated UDZ12B-7 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 UDZ12 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 9 V 12 V 30 ohmios
DMG3415UFY4-7 Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7 -
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMG3415 Mosfet (Óxido de metal) DFN2015H4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 16 V 2.5a (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 8V 281.9 pf @ 10 V - 400MW (TA)
BZX84C18-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C18-7-F-31 -
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6.39% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C18-7-F-31TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
MMBZ5248BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5248BTS-7-F 0.1300
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5248 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Independientes 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
AZ23C3V9-7-G Diodes Incorporated AZ23C3V9-7-G -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto AZ23C3V9 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado AZ23C3V9-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
BZX84B12-7-F Diodes Incorporated BZX84B12-7-F 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
DMT10H052LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF-13 0.1469
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT10 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT10H052LFDF-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 100 V 5A (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 5.4 NC @ 10 V ± 20V 258 pf @ 50 V - 800MW (TA)
DMTH4004SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4004SPSQ-13 1.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 31a (TA), 100a (TC) 10V 2.7mohm @ 90a, 10v 4V @ 250 µA 68.6 NC @ 10 V ± 20V 4305 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 167W (TC)
DXT13003EK-13 Diodes Incorporated DXT13003EK-13 -
RFQ
 ECAD 7398 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DXT13003 1.6 W Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 460 V 1.5 A - NPN 400mv @ 250 mA, 1a 15 @ 300mA, 2V 4MHz
BZT585B3V9TQ-13 Diodes Incorporated BZT585B3V9TQ-13 0.0417
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW Sod-523 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZT585B3V9TQ-13TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
DMC4050SSD-13 Diodes Incorporated DMC4050SSD-13 0.6500
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC4050 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 40V 5.3a 45mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 37.56nc @ 10V 1790.8pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
SDT20A60VCT Diodes Incorporated SDT20A60VCT 0.6988
RFQ
 ECAD 1469 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Sdt20 Schottky Un 220-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT20A60VCT EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 570 MV @ 10 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR1660 Diodes Incorporated MBR1660 -
RFQ
 ECAD 5164 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1660 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MBR1660DI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 16 A 1 ma @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A 450pf @ 4V, 1 MHz
DDZ8V2BSF-7 Diodes Incorporated DDZ8V2BSF-7 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Ddz8v2 500 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 7.5 µA @ 7.39 V 7.99 V 30 ohmios
BAS40-04T-7-F-36 Diodes Incorporated BAS40-04T-7-F-36 -
RFQ
 ECAD 3799 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-523 BAS40 Schottky SOT-523 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 40 V 200MA (DC) 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
AC847BWQ-7 Diodes Incorporated AC847BWQ-7 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 AC847 200 MW Sot-323 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
MBR735 Diodes Incorporated MBR735 -
RFQ
 ECAD 2907 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 MBR735 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MBR735DI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 840 MV @ 15 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a 400pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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