SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MBRD1040-T-F Diodes Incorporated MBRD1040-TF -
RFQ
ECAD 3875 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRD1040 Schottky TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 510 MV @ 10 A 300 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated DMG1013TQ-7 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMG1013 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 460MA (TA) 1.8V, 4.5V 700mohm @ 350mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.58 NC @ 4.5 V ± 6V 59.76 pf @ 16 V - 270MW (TA)
UF1503S-B Diodes Incorporated UF1503S-B -
RFQ
ECAD 8612 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5a 35pf @ 4V, 1MHz
SBR10U60CT Diodes Incorporated SBR10U60CT 1.2054
RFQ
ECAD 2883 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SBR10 Super Barrera Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 5A 480 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C
DMJ65H430SCTI Diodes Incorporated DMJ65H430SCTI -
RFQ
ECAD 1265 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA DMJ65 Mosfet (Óxido de metal) ITO220AB-N (TUPO HE) - Alcanzar sin afectado 31-DMJ65H430SCTI EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 14a (TC) 10V 430mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 24.5 NC @ 10 V ± 30V 775 pf @ 100 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
BZT585B3V6T-7 Diodes Incorporated BZT585B3V6T-7 0.2300
RFQ
ECAD 62 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
SB150-B Diodes Incorporated SB150-B -
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Schottky Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
SBM1040-13 Diodes Incorporated SBM1040-13 -
RFQ
ECAD 7090 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie PowerMite®3 SBM1040 Schottky Powermit 3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 510 MV @ 10 A 300 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A 700pf @ 4V, 1 MHz
BZX84C15Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C15Q-13-F 0.0280
RFQ
ECAD 5141 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZX84C15Q-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
BZX84C3V3-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V3-7-F 0.1700
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
DSS9110Y-7 Diodes Incorporated DSS9110Y-7 0.0788
RFQ
ECAD 2823 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DSS9110 625 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 100 V 1 A 100na PNP 320mv @ 100 mm, 1a 150 @ 500 mA, 5V 100MHz
1N4004L-T Diodes Incorporated 1N4004L-T -
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4004 Estándar Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados In4004l-t EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C11S-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C11S-7-F-79 -
RFQ
ECAD 7676 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT52C11S-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
SBR10150CT Diodes Incorporated SBR10150CT 1.1600
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SBR10150 Super Barrera Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 5A 920 MV @ 5 A 250 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C
1N4148WSQ-7-F Diodes Incorporated 1N4148WSQ-7-F 0.2000
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 1N4148 Estándar Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
DDZ9693T-7 Diodes Incorporated DDZ9693T-7 0.4500
RFQ
ECAD 7136 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 DDZ9693 150 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 5.7 V 7.5 V
S3D Diodes Incorporated S3d -
RFQ
ECAD 1396 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar SMC descascar Alcanzar sin afectado 31-S3D EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 3 a 2 µs 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated Dmn3032lfdb-7 0.4000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3032 Mosfet (Óxido de metal) 1W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.2a 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
RS2KA-13 Diodes Incorporated Rs2ka-13 -
RFQ
ECAD 9953 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2k Estándar SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1.5 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
1N5258B-T Diodes Incorporated 1N5258B-T -
RFQ
ECAD 7446 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5258 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 27 V 36 V 70 ohmios
BZX84C7V5W-7 Diodes Incorporated BZX84C7V5W-7 -
RFQ
ECAD 8781 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
BAT54CT-7 Diodes Incorporated BAT54CT-7 -
RFQ
ECAD 1999 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SOT-523 BAT54 Schottky SOT-523 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 30 V 200MA (DC) 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C
DMTH10H010SCT Diodes Incorporated DMTH10H010SCT 1.2202
RFQ
ECAD 8984 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 100A (TA) 10V 9.5mohm @ 13a, 10v 4V @ 250 µA 56.4 NC @ 10 V ± 20V 4468 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 187W (TC)
AZ23C13-7 Diodes Incorporated AZ23C13-7 -
RFQ
ECAD 5674 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C13 300 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 13 V 25 ohmios
UDZ9V1BQ-13 Diodes Incorporated UDZ9V1BQ-13 0.3300
RFQ
ECAD 4819 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo - - UDZ9V1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000
SBR20A150CT Diodes Incorporated SBR20A150CT 1.0700
RFQ
ECAD 1102 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SBR20 Super Barrera Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados SBR20A150CTDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10A 820 MV @ 10 A 100 µA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C
BZX84C33-7-F Diodes Incorporated BZX84C33-7-F 0.1900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 23.1 V 33 V 80 ohmios
DMN2046U-13 Diodes Incorporated DMN2046U-13 0.0555
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2046 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN2046U-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 3.4a (TA) 2.5V, 4.5V 72mohm @ 3.6a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 3.8 NC @ 4.5 V ± 12V 292 pf @ 10 V - 760MW (TA)
BZX84C8V2TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C8V2TS-7-F -
RFQ
ECAD 5801 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Independientes 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated DMG1016VQ-13 0.1418
RFQ
ECAD 8468 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMG1016 Mosfet (Óxido de metal) 530MW SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMG1016VQ-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 Vecino del canal 20V 870MA, 640MA 400mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.74nc @ 4.5V 60.67pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock