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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
SBL4050PT Diodes Incorporated SBL4050PT -
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 SBL4050 Schottky Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 40A 700 MV @ 20 A 1 ma @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
SDT4U40EP3-7B Diodes Incorporated SDT4U40EP3-7B 0.1022
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Schottky X3-TSN1608-2 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT4U40EP3-7BTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 4 A 150 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 295pf @ 4V, 1MHz
SBR0220T5-7 Diodes Incorporated SBR0220T5-7 0.3900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 SBR0220 Super Barrera Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 20 V 470 MV @ 200 Ma 40 µA @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA -
DSR8F600 Diodes Incorporated DSR8F600 -
RFQ
 ECAD 1193 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.7 v @ 8 a 45 ns 80 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 8A 9.3pf @ 40V, 1MHz
DMTH4005SK3-13 Diodes Incorporated DMTH4005SK3-13 0.4410
RFQ
 ECAD 1829 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH4005 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 95A (TC) 10V 4.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 49.1 NC @ 10 V ± 20V 3062 pf @ 20 V - 2.1W (TA), 100W (TC)
DDTC115EUA-7-F Diodes Incorporated DDTC115EUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddtc115 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Ddtc115eua-7-fdict EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
SBRT4U60LP-7 Diodes Incorporated SBRT4U60LP-7 -
RFQ
 ECAD 6478 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-Powerudfn SBRT4 Super Barrera U-DFN3030-8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 60 V 520 MV @ 4 A 150 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 180pf @ 5V, 1 MHz
MMBZ5226BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5226BT-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOT-523 MMBZ5226 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
RS1B-13 Diodes Incorporated Rs1b-13 -
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1b Estándar SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
DMP4050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4050SDQ-13 1.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP4050 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 40V 4A 50mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 13.9nc @ 10V 674pf @ 20V -
DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated DMN6069SFG-13 0.2279
RFQ
 ECAD 7807 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN6069 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 5.6a (TA), 18a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 30 V - 930MW (TA)
BZT52B15LP-7B Diodes Incorporated BZT52B15LP-7B 0.3500
RFQ
 ECAD 312 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) BZT52 250 MW X1-DFN1006-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 10.5 V 15 V 15 ohmios
BAS16HLPQ-7B Diodes Incorporated BAS16HLPQ-7B 0.3500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) BAS16 Estándar X1-DFN1006-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 500 na @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C 215 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
SD830-B Diodes Incorporated SD830-B -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 700 MV @ 8 A 1 ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 8A 550pf @ 4V, 1MHz
DMN1054UCB4-7 Diodes Incorporated DMN1054UCB4-7 0.6400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, wlbga DMN1054 Mosfet (Óxido de metal) X1-WLB0808-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 8 V 2.7a (TA) 1.2V, 4.5V 42mohm @ 1a, 4.5V 700mv @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 5V 908 pf @ 6 V - 740MW (TA)
DMN2053UFDBQ-13 Diodes Incorporated DMN2053UFDBQ-13 0.1227
RFQ
 ECAD 9185 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2053 Mosfet (Óxido de metal) 820MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2053UFDBQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 20V 4.6a (TA) 35mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 7.7nc @ 10V 369pf @ 10V -
DT955-7 Diodes Incorporated DT955-7 0.4200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DT955 SOT-223-3 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - - - - -
RS1G-13 Diodes Incorporated Rs1g-13 -
RFQ
 ECAD 7938 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1g Estándar SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BZX84C8V2-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C8V2-7-F-31 -
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C8V2-7-F-31TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
PR1503S-T Diodes Incorporated PR1503S-T -
RFQ
 ECAD 7039 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial PR1503 Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5a -
SMAZ7V5-13-F Diodes Incorporated SMAZ7V5-13-F 0.4700
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz7 1 W SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 5 V 7.5 V 2 ohmios
FMMTA42QTA Diodes Incorporated Fmmta42qta 0.0648
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-fmmta42qtatr EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 200 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
SBR10U200P5Q-13 Diodes Incorporated SBR10U200P5Q-13 0.8600
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBR10 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 880 MV @ 10 A 100 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated DMTH6004SCTB-13 2.2800
RFQ
 ECAD 5318 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab DMTH6004 Mosfet (Óxido de metal) Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 250 µA 95.4 NC @ 10 V ± 20V 4556 pf @ 30 V - 4.7W (TA), 136W (TC)
BZX84B8V2-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84B8V2-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZX84B8V2-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
BZT585B15TQ-13 Diodes Incorporated BZT585B15TQ-13 0.4400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW Sod-523 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 10.5 V 15 V 15 ohmios
B0530WSQ-13-F Diodes Incorporated B0530WSQ-13-F 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 B0530 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 500 Ma 500 µA @ 30 V -40 ° C ~ 125 ° C 500mA 58pf @ 0V, 1 MHz
BAS70DW-06-7 Diodes Incorporated BAS70DW-06-7 -
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAS70 Schottky Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Par de Ánodo Común 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
B290Q-13-F Diodes Incorporated B290Q-13-F 0.1530
RFQ
 ECAD 6384 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB B290 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 790 MV @ 2 A 7 µA @ 90 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a 75pf @ 4V, 1 MHz
SB360-B Diodes Incorporated SB360-B -
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 740 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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AD9208BBPZ-3000

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