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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
GBPC2504	-	RFQ	3867	Diodos incorporados	-	Banda	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC2504	Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	GBPC2504DI	EAR99	8541.10.0080	100													1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 400 V	25 A		Fase única	400 V
1N5236B-T	-	RFQ	1966	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5236		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0050	10,000													1.1 V @ 200 Ma	3 µA @ 6 V					7.5 V	6 ohmios
KBJ604G	1.0220	RFQ	9915	Diodos incorporados	-	Tubo	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBJ	KBJ604	Estándar		KBJ	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	20													1 v @ 3 a	5 µA @ 400 V	6 A		Fase única	400 V
DMC4050SDQ-13	0.8300	RFQ	13	Diodos incorporados	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	DMC4050	Mosfet (Óxido de metal)	1.8w	8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N y p-canal complementario		40V	5.3a		45mohm @ 3a, 10v	1.8V @ 250 µA	37.56nc @ 10V		1790.8pf @ 20V	-
ZC833BTC	-	RFQ	2747	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	ZC833B			Sot-23-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000																34.65pf @ 2V, 1MHz	Soltero	25 V			6.5	C2/C20	200 @ 3V, 50MHz
GBJ804-F	1.5600	RFQ	36	Diodos incorporados	-	Tubo	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ	GBJ804	Estándar		GBJ	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	15													1 v @ 4 a	5 µA @ 400 V	8 A		Fase única	400 V
GBJ1501	-	RFQ	8683	Diodos incorporados	-	Tubo	Descontinuado en sic		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ	GBJ1501	Estándar		GBJ	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GBJ1501DI	EAR99	8541.10.0080	15													1.05 V @ 7.5 A	10 µA @ 100 V	15 A		Fase única	100 V
HD02-T	0.4300	RFQ	91	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	HD02	Estándar		4 minidip	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	3.000													1 V @ 400 Ma	5 µA @ 200 V	800 Ma		Fase única	200 V
HD04-T	0.4300	RFQ	76	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	HD04	Estándar		4 minidip	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	3.000													1 V @ 400 Ma	5 µA @ 400 V	800 Ma		Fase única	400 V
GBJ2502	-	RFQ	6004	Diodos incorporados	-	Tubo	Descontinuado en sic		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ	GBJ2502	Estándar		GBJ	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GBJ2502DI	EAR99	8541.10.0080	15													1.05 V @ 12.5 A	10 µA @ 200 V	25 A		Fase única	200 V
DF1510S-T	0.6200	RFQ	186	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF1510	Estándar		DF-S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1.500													1.1 V @ 1.5 A	10 µA @ 1000 V	1.5 A		Fase única	1 kV
KBP202G	0.5100	RFQ	3	Diodos incorporados	-	Tubo	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBP	KBP202	Estándar		KBP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	KBP202GDI	EAR99	8541.10.0080	35													1.1 v @ 2 a	5 µA @ 200 V	2 A		Fase única	200 V
DF1502S-T	0.5100	RFQ	4	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF1502	Estándar		DF-S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1.500													1.1 V @ 1.5 A	10 µA @ 200 V	1.5 A		Fase única	200 V
RH02-T	0.2436	RFQ	3127	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	RH02	Estándar		4 minidip	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	3.000													1.15 V @ 400 Ma	5 µA @ 200 V	500 mA		Fase única	200 V
GBJ1002	-	RFQ	9282	Diodos incorporados	-	Tubo	Descontinuado en sic		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ	GBJ1002	Estándar		GBJ	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GBJ1002DI	EAR99	8541.10.0080	15													1.05 v @ 5 a	10 µA @ 200 V	10 A		Fase única	200 V
GBPC1501	-	RFQ	5309	Diodos incorporados	-	Banda	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC1501	Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	GBPC1501DI	EAR99	8541.10.0080	100													1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 100 V	15 A		Fase única	100 V
GBJ2010-F	2.1700	RFQ	4	Diodos incorporados	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ	GBJ2010	Estándar		GBJ	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	15													1.05 v @ 10 a	10 µA @ 1000 V	20 A		Fase única	1 kV
GBPC2502	-	RFQ	5143	Diodos incorporados	-	Banda	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC2502	Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	GBPC2502DI	EAR99	8541.10.0080	100													1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 200 V	25 A		Fase única	200 V
DF1506S-T	0.5800	RFQ	5	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF1506	Estándar		DF-S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1.500													1.1 V @ 1.5 A	10 µA @ 600 V	1.5 A		Fase única	600 V
KBP005G	0.5100	RFQ	5	Diodos incorporados	-	Tubo	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBP	KBP005	Estándar		KBP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	35													1.1 V @ 1.5 A	5 µA @ 50 V	1.5 A		Fase única	50 V
GBJ1510	-	RFQ	3300	Diodos incorporados	-	Tubo	Descontinuado en sic		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ	GBJ1510	Estándar		GBJ	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GBJ1510DI	EAR99	8541.10.0080	15													1.05 V @ 7.5 A	10 µA @ 1000 V	15 A		Fase única	1 kV
GBPC3506	-	RFQ	8628	Diodos incorporados	-	Banda	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC3506	Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	GBPC3506DI	EAR99	8541.10.0080	100													1.1 V @ 17.5 A	5 µA @ 600 V	35 A		Fase única	600 V
GBJ1504-F	1.5000	RFQ	5128	Diodos incorporados	-	Tubo	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ	GBJ1504	Estándar		GBJ	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	15													1.05 V @ 7.5 A	10 µA @ 400 V	15 A		Fase única	400 V
GBJ2004	-	RFQ	3199	Diodos incorporados	-	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ	GBJ2004	Estándar		GBJ	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Gbj2004di	EAR99	8541.10.0080	15													1.05 v @ 10 a	10 µA @ 400 V	20 A		Fase única	400 V
GBPC1504	-	RFQ	3853	Diodos incorporados	-	Banda	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC1504	Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	GBPC1504DI	EAR99	8541.10.0080	100													1.1 V @ 7.5 A	10 µA @ 400 V	15 A		Fase única	400 V
BZT52C33S-7-F	0.2800	RFQ	850	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZT52		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000													900 MV @ 10 Ma	100 na @ 23.1 V					33 V	80 ohmios
GBPC2506	-	RFQ	4595	Diodos incorporados	-	Banda	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC2506	Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	GBPC2506DI	EAR99	8541.10.0080	100													1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 600 V	25 A		Fase única	600 V
DF04S	0.4600	RFQ	11	Diodos incorporados	-	Tubo	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF04	Estándar		DF-S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	Df04sdi	EAR99	8541.10.0080	50													1.1 v @ 1 a	10 µA @ 400 V	1 A		Fase única	400 V
DMT3009LEV-7	0.1846	RFQ	9675	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-			DMT3009	-	-		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	31-DMT3009LEV-7TR	EAR99	8541.29.0095	2,000	-		-	-		-	-	-		-	-
Zxmn4a06gqta	0.6828	RFQ	1344	Diodos incorporados	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA		Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223-3	descascar			Alcanzar sin afectado	31-ZXMN4A06GQTATR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	40 V	5A (TA)	4.5V, 10V	50mohm @ 4.5a, 10V	1V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	746 pf @ 40 V	-	2W (TA)