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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZVP3310ASTOA Diodes Incorporated Zvp3310astoa -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 100 V 140MA (TA) 10V 20ohm @ 150mA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 625MW (TA)
DMN63D1LV-7 Diodes Incorporated DMN63D1LV-7 0.1474
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) 940MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 550 mA (TA) 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA 0.392NC @ 4.5V 30pf @ 25V -
B140BQ-13-F Diodes Incorporated B140BQ-13-F 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB B140 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 500 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
SF30AG-B Diodes Incorporated SF30AG-B -
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 75pf @ 4V, 1 MHz
DMN3009LFV-13 Diodes Incorporated DMN3009LFV-13 0.1725
RFQ
 ECAD 7211 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 15 V - 2W (TA)
DN0150BLP4-7 Diodes Incorporated DN0150BLP4-7 -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DN0150 450 MW X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 60MHz
SD830-B Diodes Incorporated SD830-B -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 700 MV @ 8 A 1 ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 8A 550pf @ 4V, 1MHz
DDZ9697-7 Diodes Incorporated DDZ9697-7 0.2800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 DDZ9697 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 7.6 V 10 V
STPR2020CTW Diodes Incorporated STPR2020CTW 0.6900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STPR20 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-STPR2020CTW EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 20A 1.25 V @ 20 A 30 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
SMAZ7V5-13-F Diodes Incorporated SMAZ7V5-13-F 0.4700
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz7 1 W SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 5 V 7.5 V 2 ohmios
BZX84B8V2-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84B8V2-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZX84B8V2-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
SBR40U120CT Diodes Incorporated SBR40U120CT 2.4500
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SBR40 Super Barrera Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados SBR40U120CTDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 20A 860 MV @ 20 A 500 µA @ 120 V -65 ° C ~ 150 ° C
BAT54ADW-7 Diodes Incorporated BAT54AdW-7 -
RFQ
 ECAD 1906 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 Schottky Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Par de Ánodo Común 30 V 200MA (DC) 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C
FMMTA42QTA Diodes Incorporated Fmmta42qta 0.0648
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-fmmta42qtatr EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 200 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
DDTC114YCAQ-7-F Diodes Incorporated Ddtc114ycaq-7-f 0.0524
RFQ
 ECAD 3474 0.00000000 Diodos incorporados DDTC (Serie R1 ≠ R2) CA Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDTC114YCAQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
SBR10U200P5Q-13 Diodes Incorporated SBR10U200P5Q-13 0.8600
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBR10 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 880 MV @ 10 A 100 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
BZT52C2V7S-7 Diodes Incorporated BZT52C2V7S-7 -
RFQ
 ECAD 1974 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
DMP4011SK3-13 Diodes Incorporated DMP4011SK3-13 0.5541
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP4011 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMP4011SK3-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 14a (TA), 74A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2747 pf @ 20 V - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
DMN2250UFB-7B Diodes Incorporated DMN2250UFB-7B 0.4200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMN2250 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 1.35a (TA) 1.8V, 4.5V 170mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 250 µA 3.1 NC @ 10 V ± 8V 94 pf @ 16 V - 500MW (TA)
BZT585B27T-7 Diodes Incorporated BZT585B27T-7 0.2300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 18.9 V 27 V 80 ohmios
BAS16HLPQ-7B Diodes Incorporated BAS16HLPQ-7B 0.3500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) BAS16 Estándar X1-DFN1006-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 500 na @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C 215 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
DMN1054UCB4-7 Diodes Incorporated DMN1054UCB4-7 0.6400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, wlbga DMN1054 Mosfet (Óxido de metal) X1-WLB0808-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 8 V 2.7a (TA) 1.2V, 4.5V 42mohm @ 1a, 4.5V 700mv @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 5V 908 pf @ 6 V - 740MW (TA)
RS1G-13 Diodes Incorporated Rs1g-13 -
RFQ
 ECAD 7938 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1g Estándar SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
HER601-T Diodes Incorporated HER601-T -
RFQ
 ECAD 9252 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero R-6, axial HER601 Estándar R-6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.2 v @ 6 a 60 ns 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
DT955-7 Diodes Incorporated DT955-7 0.4200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DT955 SOT-223-3 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - - - - -
DMN2053UFDBQ-13 Diodes Incorporated DMN2053UFDBQ-13 0.1227
RFQ
 ECAD 9185 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2053 Mosfet (Óxido de metal) 820MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2053UFDBQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 20V 4.6a (TA) 35mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 7.7nc @ 10V 369pf @ 10V -
BZX84C8V2-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C8V2-7-F-31 -
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C8V2-7-F-31TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
SDM1A40LP8-7 Diodes Incorporated SDM1A40LP8-7 -
RFQ
 ECAD 2583 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 2-UFDFN Schottky U-DFN1608-2 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDM1A40LP8-7TR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 590 MV @ 1 A 14 ns 20 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 69pf @ 1v, 1 MHz
BZT52C39S-7-F Diodes Incorporated BZT52C39S-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27.3 V 39 V 130 ohmios
DMN3404L-7-50 Diodes Incorporated DMN3404L-7-50 0.0758
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3404 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN3404L-7-50 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4.2a (TA) 3V, 10V 28mohm @ 5.8a, 10v 2V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 498 pf @ 15 V - 720MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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