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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | DMN3016LK3-13 | 0.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | DMN3016 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12.4a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 11a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 25.1 NC @ 10 V | ± 20V | 1415 pf @ 15 V | - | 1.6w (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | DMN3016LFDF-7-90 | 0.1703 | ![]() | 3877 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | DMN3016 | Mosfet (Óxido de metal) | U-DFN2020-6 (TUPO F) | descascar | Alcanzar sin afectado | 31-DMN3016LFDF-7-90TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 11a, 10v | 2V @ 250 µA | 25.1 NC @ 10 V | ± 20V | 1415 pf @ 15 V | - | 730MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | PB62-F | - | ![]() | 1109 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrados, PB-6 | PB62 | Estándar | PB-6 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | PB62-FDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 v @ 3 a | 10 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10200CT-LJ | - | ![]() | 1720 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR10200 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | MBR10200CT-LJDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 5A | 920 MV @ 5 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C20LP-7 | 0.4500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | BZT52 | 250 MW | X1-DFN1006-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt13003xztr-e1 | - | ![]() | 7021 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | APT13003 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 31-app13003xztr-e1tb | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2108UCB6-7 | - | ![]() | 7038 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLBGA | DMP2108 | Mosfet (Óxido de metal) | 840MW | U-WLB1510-6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 31-DMP2108UCB6-7TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 2.25a | 55mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 2.1NC @ 4.5V | 269pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | SBR10U100CTFP-JT | - | ![]() | 3777 | 0.00000000 | Diodos incorporados | SBR® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SBR10 | Super Barrera | ITO-220AB | - | 1 (ilimitado) | 31-SBR10U100CTFP-JT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 5A | 670 MV @ 5 A | 200 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||
![]() | B3100B-13-F-2477 | - | ![]() | 6623 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | SMB | - | 31-B3100B-13-F-2477 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 670 MV @ 3 A | 200 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR5E60P5-13D | 0.1740 | ![]() | 8846 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Powerdi ™ 5 | SBR5E60 | Super Barrera | Powerdi ™ 5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 520 MV @ 5 A | 220 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40U45CT-G-2223 | - | ![]() | 4121 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Super Barrera | Un 220-3 | - | 31-SBR40U45CT-G-2223 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 20A | 520 MV @ 20 A | 600 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT15M50AP5-7D | - | ![]() | 4200 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Trenchsbr | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerdi ™ 5 | SBRT15 | Super Barrera | Powerdi ™ 5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | SBRT15M50AP5-7DDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 540 MV @ 15 A | 150 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||
DMP3130LQ-7 | 0.4600 | ![]() | 1292 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DMP3130 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.5a (TA) | 2.5V, 10V | 77mohm @ 4.2a, 10V | 1.3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 12V | 864 pf @ 15 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | SDM1L20DCP3-7 | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-xfdfn | Sdm1l20 | Schottky | X3-DSN1006-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 1A | 500 MV @ 500 Ma | 8.6 ns | 100 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
STPR560D | 0.5400 | ![]() | 4027 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 31-STPR560D | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 5A (IO) | 600 V | 1.5 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 78pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH62M8SPS-13 | 0.5722 | ![]() | 4820 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | DMTH62 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI5060-8 (Tipo K) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 100A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 50A, 10V | 4V @ 250 µA | 95.4 NC @ 10 V | ± 20V | 4556 pf @ 30 V | - | 3.2W | |||||||||||||||||||
![]() | SDM1100S1F-7-2477 | - | ![]() | 1575 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123F | - | 31-SDM1100S1F-7-2477 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 820 MV @ 1 A | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS2KA-13-F | 0.1979 | ![]() | 2191 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rs2k | Estándar | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1.5 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54STQ-7-F-52 | 0.0870 | ![]() | 3086 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-523 | BAT54 | Schottky | SOT-523 | descascar | 31-bat54stq-7-F-52 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200 MMA | 1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | B120AF-13 | 0.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | B120 | Schottky | SMAF | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 1 A | 100 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH3004LPSQ-13 | 0.5292 | ![]() | 3358 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | DMTH3004 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI5060-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 22a (TA), 145A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 43.7 NC @ 15 V | +20V, -16V | 2370 pf @ 15 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | S1MSP1-7 | - | ![]() | 6889 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | PowerDI®123 | S1M | Estándar | PowerDi ™ 123 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1.2 µs | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC05120FP | 6.0400 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | ITO-220AC (TUPO WX) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 31-DSC05120FP | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 190 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 318pf @ 100mv, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52HC8V2WF-7 | 0.2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30A100CTB-13-G | - | ![]() | 1767 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotive, AEC-Q101, SBR® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBR30 | Super Barrera | Un 263 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 31-SBR30A100CTB-13-GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 850 MV @ 15 A | 100 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2A07G-T | - | ![]() | 7949 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2A07 | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | 40pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40TWQ-7-F | 0.1096 | ![]() | 7330 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BAS40 | Schottky | Sot-363 | - | Alcanzar sin afectado | 31-BAS40TWQ-7-FTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3 Independientes | 40 V | 200MA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 na @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2080UCB4-7 | 0.1300 | ![]() | 5291 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga, wlbga | DMN2080 | Mosfet (Óxido de metal) | X2-WLB0606-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3a (TA) | 1.5V, 4.5V | 56mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 7.4 NC @ 4.5 V | ± 8V | 540 pf @ 10 V | - | 710MW | |||||||||||||||||||
![]() | B160AF-13 | 0.3500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | B160 | Schottky | SMAF | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N444448WS-7 | - | ![]() | 2032 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Estándar | Sod-323 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 250 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz |
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